Рисунок 5 – Зависимость потерь запирания от частоты

4. 
   Экспериментальные зависимости переключателя.
   

Рисунок 6 – Сигнал без подключения диодов

Левый диод, левый выход:

t_зап = 2,5 мкс

t_оп = 1,5 мкс

Правый диод, левый выход:

t_зап = 1,2 мкс

t_оп = 1,5 мкс



Рисунок 7 – Диод №1

Выводы:

В ходе выполнения лабораторной работы были получены статические вольтамперные характеристики, имеющие более резистивный характер (пологий график) в сравнении с ВАХ обычных диодов, ввиду наличия низколегированного i-слоя.

Рассчитаны потери пропускания и запирания обоих плеч измерительного тракта при постоянной частоте и получены зависимости, формирующие вывод о том, что потери существенны.

Определено напряжение смещения, при котором происходит наилучшее переключение, и потери при постоянном напряжении смещения. Зависимость носит сложный характер, с явным “горбом” в области 700-1000 МГц.

Определено время входа и рассасывания заряда. Из полученных данных можно судить о толщине i-слоя в исследуемых диодах, которая должна быть близка к диапазону 100-200 мкм. Так как согласно теоретическим положениям: «Для p-i-n диодов с толщиной i -области 100…200 мкм время переключения составляет 1…2 мкс, а у мощных диодов с толщиной i -области до 400 мкм оно может достигать десятков микросекунд».

---

Смотрите также файлы

• Как обучали азбуке на Руси.docx

• Правила игры в волейбол, жесты судей.docx

• Правовая позиция сторон.docx

• Протокол от 26. 08. 2022 г. 1 Согласовано.doc

• Общая характеристика образовательной организации Организация ано школа Ника.docx