Файл: Басалов Ф.А. Некоторые вопросы техники сверхвысоких частот [конспект лекций].pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.04.2024

Просмотров: 71

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Паразитная емкость С

= Свыхл -f Смонг

заряжается

от

ис­

точника Еи через

сопротивление

до напряжения,

примерно

равного

Еи.

Напряжение

на

магнетроне

иа^ 0

.

Паразитная

емкость

С*п^

Смагн -Ч С^зонт

разряжена.

 

 

 

 

 

При

подаче

на сетку

модуляторной

лампы

Л положитель­

ного прямоугольного

импульса

от подмодулятора

(момент

вре­

мени

рис. 66)

она

открывается.

Через

лампу

Л

будут

про­

текать токи

разряда

паразитной емкости С , накопительной ем­

кости Св и ток источника

Е„

через

сопротивление

R {.

Сопро­

тивление

Ri

необходимо

для

ограничения тока

источника Е„

с.

через открытую

лампу Л и для изоляции источника

от

тока

разряда накопительной емкости Сн. Обычно

R j^ R ,. Нако­

пительная емкость

С„ вначале разряжается через модуляторную

лампу Л, паразитную емкость

СП2 и сопротивление R-,- Разряд

через магнетрон в это время не

происходит, так

как

магнетрон

еще не генерирует

и его дифференциальное сопротивление

ве­

лико (см. рис. 56).

паразитной

емкости Сщ (а следовательно, и

Напряжение

на

на магнетроне)

быстро растет,

и когда оно достигает

значения

UaB (напряжение возбуждения магнетрона), магнетрон начинает

генерировать колебания,

дифференциальное

сопротивление его

становится

малым, и дальнейший

разряд Сн идет

в

основном

через

магнетрон.

При этом

напряжение

на магнетроне

будет

быстро

увеличиваться

от значения

UaB до

номинального

U3U, а

ток магнетрона

будет

нарастать

от

нуля до

номинального зна­

чения

/ ап в

рабочей точке А (см.

рис. 56).

 

 

магнетроне

Длительность

фронта

импульса

напряжения на

ц, зависит

в

основном

от

величины _паразитной

емкости

схемы и от величины

токов,

протекающих

через

паразитные

61


емкости. Длительность фронта уменьшается с уменьшением

паразитной емкости и увеличением тока, протекающего через эти емкости.

После достижения номинального значения CJaHнапряжение на магнетроне начинает медленно уменьшаться за счет частичного разряда накопительной емкости Сн, вызывая уменьшение тока магнетрона.

Спад вершины импульса напряжения на магнетроне умень­ шается с увеличением накопительной емкости С„.

После окончания импульса подмодулятора (момент времени tz — рис. 66) модуляторная лампа Л запирается напряжением

 

Рис. 66.

 

 

 

 

 

смещения Eg, происходит процесс

заряда

паразитной емкости

СП; и накопительной емкости С„, а также процесс

разряда

пара­

зитной емкости Сп. Разряд паразитной емкости

Сп

идет

внача­

ле в основном через магнетрон.

При

этом

напряжение на

магнетроне быстро

уменьшается от

значения Um — hU3 до U3в,

а ток магнетрона

от значения / ан — Д/а спадает до

нуля.

Маг­

нетрон перестает генерировать колебания, дифференциальное

сопротивление его

становится

большим, и дальнейший разряд

паразитной емкости

С идет

через

сопротивления R •> и й,.

При этом напряжение на магнетроне

иа от значения С/ав спадает

до нуля.

 

 

 

62


Длительность

среза .импульса

напряжения

на магнетроне tc

зависит в

основном от

величины

паразитной

емкости

схемы и

от величин

сопротивлений R-, и /?,. Длительность среза

увели­

чивается

с

увеличением

паразитной емкости

схемы

и

сопро­

тивлений

/?,

и R x.

 

рассмотрение работы

схемы

Произведенное

качественное

модулятора

позволяет сделать следующие выводы:

 

 

1.Импульсы напряжения и тока магнетрона имеют форму, отличную от прямоугольной даже в том случае, когда на сетку модуляторной лампы подаются идеально прямоугольные импуль­ сы от подмодулятора. Это является следствием наличия в схеме паразитных емкостей и ограниченной величины накопительной емкости.

2.Длительность импульсов модулятора определяется главным образом длительностью импульсов, подаваемых от подмодуля­ тора на сетку модуляторной лампы.

3.Начало импульса тока магнетрона запаздывает относитель­ но начала импульса напряжения на магнетроне. Это объясня­ ется особенностью вольтамперной характеристики магнетрона и наличием в схеме модулятора паразитных емкостей.

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости и шунтирующей нагрузку индуктивностью

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости и шунтирующим нагрузку активным сопротивлением формирует импульс напряжения на магнетроне с большой длительностью среза. В ряде случаев большая длительность среза недопустима, так как некоторые магнетроны на участке среза импульса могут генерировать паразитные колебания

низковольтных видов, а многие магнетроны генерируют

шумы,

что мешает приему и индикации сигналов от целей.

 

С целью получения

импульсов напряжения

на магнетроне

с малой длительностью

среза используют импульсный

модуля­

тор с частичным разрядом накопительной

емкости и шунтирую­

щей нагрузку индуктивностью.

Схема

такого

модулятора

приведена на рис. 67. Эта схема

аналогична схеме модулятора,

приведенной на рис. 65, только

здесь

вместо

сопротивления

R-, параллельно магнетрону поставлена

индуктивность L,

Влиянием индуктивности L на процесс формирования фронта

импульса напряжения

на магнетроне

можно пренебречь, так

как за мдлое время длительности фронта ток в ней не успевает

заметно вырасти.

 

 

импульса

напряжение на

 

Во время формирования вершит,!

магнетроне в этой схеме будет уменьшаться

не только за

счет

частичного разряда накопительной

емкости

С„, но

и за

счет

нарастания тока в

индуктивности

L.

Спад вершины

импульса

W a

уменьшается

с увеличением

индуктивности

,

 

 

-JJ—

 

L .

 

 

у я н

63


Введение в схему индуктивности

L

приводит к изменению

характера процесса

на

участке

среза

импульса

напряжения на

магнетроне. После

окончания

импульса

(при иа< 1 /ав) в коле­

бательном контуре, образованном индуктивностью L и паразит­

ной емкостью

схемы

Сп= Сп — Сп, возникает

колебательный

процесс (рис.

68, кривая 1).

 

 

 

 

В результате наличия колебательного процесса длительность среза импульса уменьшается (чем меньше индуктивность L, тем меньше длительность среза tc), но при этом, во время

действия полупериода

А, существенно

возрастает

напряжение

на модуляторной лампе

Л и она может

пробиться,

а во время

действия полупериода Б возможна повторная генерация магнет­

рона.

Для подавления колебаний в схему модулятора включается диод D. Во время действия импульса наличие диода не сказы­ вается на работе схемы, так как напряжение на аноде диода

64

отрицательно и его

сопротивление

велико. После окончания

импульса (в момент,

когда напряжение на магнетроне «а

меняет знак) диод становится проводящим и шунтирует

контур

L 6 П,

превращая его

из

колебательного в апериодический.

Форма

напряжения

на

магнетроне

при

 

наличии подавляющего диода D показана на

 

рис. 68 (кривая 2).

 

 

 

 

 

 

Схема модулятора с шунтирующей наг­

 

рузку индуктивностью (рис. 67) может быть

 

упрощена

за счет исключения из нее диода D.

 

При

этом

колебательный

контур

LC„

мо­

 

жет

быть превращен

в

апериодический

при

 

внесении

в него активного

сопротивления г

 

(рис. 69) при условии,

что

величина

сопро­

 

тивления

 

 

 

 

 

Р и с.

69.

 

 

 

 

 

 

 

r > 2 \ ' k -

В практических схемах для сопротивления г катушка провода, материал которого ление.

внесения в контур LCn активного индуктивности L наматывается из имеет большое удельное сопротив­

§ 7. УСИЛИТЕЛИ СВЧ С НИЗКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ШУМА

Работа ламповых усилителей в диапазоне СВЧ сопровожда­ ется теми же специфическими особенностями, которые были выше (§ 2) проанализированы для ламповых генераторов СВЧ. Указанные особенности ограничивают максимальную частоту,

на которой еще могут быть эффективно использованы ламповые усилители. Поэтому ламповые усилители в качестве УВЧ на практике можно встретить лишь в приемниках метровых волн и, отчасти,— дециметровых волн (верхняя часть диапазона). При­ чем, например, на дециметровых волнах ламповые усилители име­ ют те жеконструктивные особенности, что и ламповые генераторы: используются специальные лампы (маячковые) и колебательные системы в виде отрезков коаксиальных линий.

Кроме того, в диапазоне СВЧ. появляется еще один чрез­ вычайно важный ограничивающий фактор, препятствующий использованию обычных ламповых усилителей в качестве УВЧ приемников -- это уровень собственных шумов. Известно, что приемник сам себе создает помехи — внутриприемные шумы. Эти шумы ограничивают величину минимального сигнала, кото­ рый еще может быть принят, то есть ограничивают чувствитель­

ность приемника, а вместе с нею и дальность действия

радио­

технической станции.

 

5 Ф. А. Баеалов. Зак. J29

65


Внутренние шумы приемника в целом, а также шумы его отдельных каскадов характеризуют коэффициентом шума Ш, который может быть определен как

 

Ш =

 

 

 

где

Рс и Рш — мощности сигнала

и шума

соответственно;

 

вход и выход — относятся, в зависимости

от

рассмотрения,

к отдельному каскаду или к приемнику

в целом

(к его линей­

ной части).

Следовательно, у идеального бесшумного приемника (или его отдельного каскада) коэффициент шума Ш = 1, a v реального —

HI > 1.

Известно, что коэффициент шума приемника Ш может быть следующим образом определен через коэффициенты шумов его каскадов Ш,-

Afj М г --М п_л

где Mf — коэффициент усиления номинальной, мощности г'-го каскада (номинальной мощностью называют максимальную мощность, передаваемую от каскада в его нагрузку при их согласовании).

Из этой формулы видно, что главное влияние на коэффи­ циент шума приемника оказывает его первый каскад. Отсюда же вытекают требования, которые необходимо предъявить к первому каскаду: малый коэффициент шума Ш, и большой коэффициент усиления номинальной мощности — в этом случае коэффициент шума приемника будет определяться прак­ тически только коэффициентом шума первого каскада.

Первым элементом приемника, если не считать входных устройств (это пассивные элементы), имеющих сравнительно низ­ кий уровень собственных шумов, является УВЧ. Следовательно, основным требованием к УВЧ в диапазоне СВЧ является малый уровень собственных шумов (наряду с большим усилением). Основными причинами шумов ламповых усилителей являются дробовой эффект, перераспределение электронов между элект­ родами многоэлектродной лампы и влияние инерции электронов. Причем уровень шумов в диапазоне СВЧ у них значительно увеличивается за счет последней причины. Поэтому обычные ламповые усилители с ростом частоты становятся все менее и менее эффективными, и уже в нижней части диапазона деци­ метровых волн их не применяют. На этих и на более коротких сантиметровых и миллиметровых волнах в качестве УВЧ при­ емников используются усилители на лампе бегущей волны

66