ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 06.04.2024
Просмотров: 48
Скачиваний: 0
лекторный вывод, выходной ток снимается с внутреннего слоя коллектора. Диапазон час тот — от 10 кгц до 10 Мгц.
Маломощные р-п-р-п переключатели могут быть использованы как элементы цепей с дву мя устойчивыми состояниями, элементы па мяти, кольцевые счетчики, а также в переклю чающих и ключевых схемах. Мощные приборы можно применять вместо газонаполненных ти ратронов. Они имеют улучшенные по сравне нию с лампами свойства: малые падения на пряжения в проводящем состоянии, высокие скорости переключения, большие пиковые токи и отсутствие накала. Это открывает широкие возможности для принципиально нового их применения.
В связи с новым направлением в радио электронике — микроминиатюризацией схем в целом и схемных элементов в частности, а также с переходом на малые мощности в вы числительных устройствах все существующие типы приборов оцениваются сейчас с точки зрения их пригодности в твердых и тонкопле ночных схемах. На первый план выдвигаются требования простоты технологии, воспроизво димости параметров триодов, их надежности и универсальности, а также возможности объединения в одном приборе функций схем ного узла.
Большой интерес вызывают канальные триоды, предназначенные для схем с непо средственной связью. Не менее интересны и планарные приборы,, у которых на окисном слое может быть выполнена тонкопленочная схема. Четырехслойные переключатели как
101,
приборы с отрицательным сопротивлением представляют один из основных классов сов ременных приборов. В настоящее время инже неры стремятся конструировать схемные узлы в одном приборе, разрабатывают двухэмиттерные и двухколлекторные устройства (послед ние работают как сумматоры). Возможно, что через несколько лет на смену единичным трио дам придут интегральные устройства, основан ные на различных принципах работы и имею щие различную технологию. Сейчас можно с уверенностью сказать, что без компактных программных устройств, работающих на по лупроводниках, немыслимо завоевание космо са, нельзя экономично осуществлять автома тизацию производственных процессов, невоз можно создать искусственный мозг — «мозгсправочник».
В развитии электронной техники большое значение имеет решение вопросов, связанных с уменьшением веса и занимаемых приборами площадей, а также со снижением потребляе мой ими мощности. Но это еще не все. Самое главное — это обеспечение надежности и дол говечности работы полупроводниковых прибо ров. Универсальные интегральные узлы, сде ланные в одном кристалле, являются теми «кирпичиками», из которых можно собрать любую сложную машину. И в схеме мощного усилительного каскада, и в высокочастотной переключающей схеме за основу можно взять одни и те же триоды к тетроды. Это значи тельно удешевит технологию изготовления электронной аппаратуры, даст возможность быстро заменять отдельные приборы.
102
Мы назвали несколько перспективных на правлений развития полупроводниковой элек троники. Но возможно, что с развитием хи мии, электронно-лучевой и ядерной техники будут найдены принципиально новые решения для конструирования полупроводниковых ми кроминиатюрных приборов. Новое не заставит себя ждать. Будущее за нашими друзьями — малютками ПТІ
|
ЛИТЕРАТУРА |
Б о л т а к с |
Б. И. Диффузия в полупроводниках. |
Физматгиз. М., |
196!. |
Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. под ред. Я. А. Федотова. «Советское радио». М., 1960— 1964.
Полупроводниковые приборы с отрицательным со противлением. Сб. под ред. С. А. Горяйнова. Госэнерго-
издат. М , 1962.
Производство полупроводниковых приборов. Пере вод с англ, под ред. Г. Д. Глебова. Оборонгиз, 1962.
Ф е д о т о в |
Я. А., Ш м а р ц е в Ю. |
В. Транзисторы |
«Советское радио». М., 1960. |
|
|
Ф е д о т о в |
Я- А. Основы физики |
полупроводнико |
вых приборов. |
«Советское радио». М., |
1963. |
|
О С Н О В Н Ы Е У С Л О В Н Ы Е О Б О З Н А Ч Е Н И Я |
||||||||
В и Вк |
— коэффициент |
передачи |
соответственно |
||||||
|
тока базы и тока коллектора; |
|
|
|
|||||
ß Hac |
— коэффициент |
передачи |
тока |
базы |
в |
||||
|
режиме |
насыщения; |
|
|
|
|
|
||
0 „ и 0 |
— коэффициент |
диффузии |
соответствен’ |
||||||
|
но электронов и дырок, см2/сек; |
|
|||||||
Об |
— коэффициент |
диффузии |
носителей |
в |
|||||
|
базе; |
|
|
|
|
|
|
|
|
£ КИ[( |
— средняя |
кинетическая |
энергия |
элек |
|||||
|
трона; |
|
|
|
|
|
|
|
|
Д£ |
— ширина |
запрещенной зоны, эѳ; |
|
|
|||||
|
— основание |
натуральных |
логарифмов |
||||||
|
(«= 2,71828...); |
|
|
|
|
|
|
||
/а н jfg |
— предельная |
частота усиления соответ |
|||||||
|
ственно по коэффициенту передачи то |
||||||||
f макс |
ка и по эффективности переноса; |
|
|||||||
— максимальная |
частота |
генерации; |
|
||||||
ft |
— полоса |
частот; |
|
|
|
|
|
||
G — градиент концентрации примесей (<?= |
|||||||||
|
_сШ\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
~ dxj ’ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ls / ко, /у, / 0 — ток соответственно насыщения, |
обрат |
||||||||
|
ный ток коллектора, ток утечки и ге |
||||||||
|
нерации; |
|
|
|
|
|
|
|
|
/э а |
— ток соответственно эмиттера и коллек |
||||||||
|
тора; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
— ток диффузии; |
|
|
|
|
|
|||
/кя— ток насыщения коллектора; |
|
|
|
||||||
К — коэффициент |
усиления |
по мощности; |
|||||||
k — постоянная |
|
Больцмана |
(ft = 1,38 X |
||||||
|
X КН3 дж/ярад) ; |
|
|
|
|
|
|||
Ln и Lp— диффузионная |
длина смещения |
соот |
|||||||
|
ветственно |
электронов |
и |
дырок |
в |
р- |
|||
|
и п-слое, ли; |
|
|
|
|
|
|
||
A'fj и /Ѵд— концентрация |
соответственно доноров |
||||||||
|
и акцепторов, |
слг*; |
|
|
|
|
|
Пп и пр — концентрация |
электронов |
соответ |
||||||
ственно в п- и p-слое, ел-3; |
|
|
||||||
Ршкс— предельная мощность рассеяния; |
||||||||
Рп и рр— концентрация дырок |
соответственно в |
|||||||
п- |
и |
p-слое, елг-3; |
|
|
|
|
||
q— заряд |
электрона (q= 1,60 • 10~19), k\ |
|||||||
RaaT— внешнее |
сопротивление, |
сопротивле |
||||||
ние нагрузки; |
|
|
|
|
|
|||
Rpac— распределенное |
сопротивление; |
|
||||||
гвх, гэ> г нас и гоб— сопротивление |
соответственно |
входа, |
||||||
эмиттерного перехода, насыщения и |
||||||||
объемное |
базы; |
|
|
|
|
|
||
S„ — площадь |
перехода; |
|
|
|
|
|||
5 К — площадь |
коллекторного перехода; |
|||||||
Т — температура, °К; |
|
|
|
|
||||
tne — время переключения; |
|
|
|
|
||||
^пр — время |
пролета |
неосновного |
носителя |
|||||
от эмиттера к коллектору; |
|
|
|
|||||
tx — время |
формирования |
переднего |
фрон |
|||||
та |
импульса; |
|
|
|
|
|
||
~ta и (и — время соответственно |
задержки |
и на |
||||||
растания тока; |
|
|
|
|
|
|||
ta — длительность импульса до |
запирания |
|||||||
эмиттера; |
|
|
|
|
|
|
?р и /ф — время соответственно восстановления (рассасывания) и формирования фронта;
taK и ^вык — время соответственно включения и вы ключения;
ІІЭ и UK— напряжение соответственно на эмит тере и коллекторе;
^ДР — дрейфовая скорость носителей, см/сек:
°д иф ~ скорость диффузии носителей, см/сек-,
w — ширина базы;
105
а— коэффициент передачи тока эмиттера, коэффициент усиления по току;
«о — коэффициент передачи тока на низких частотах;
а ’ — коэффициент эффективности коллекто ра;
ß — эффективность переноса;
Y— эффективность |
эмиттера; |
(tn и |Лр — подвижность |
соответственно электро |
нов и дырок, |
см/в ■сеіс; |
Qs.-ек и Q6 — удельное сопротивление, соответствен но эмиттерной, коллекторной и базо вой областей, ом-см;
т„ — время жизни электронов (неосновных носителей в p-слое), сек;
хр— время жизни дырок (неосновных но сителей в «-слое), сек;
Ф — контактная разность потенциалов.
СОДЕРЖАНИЕ
П реди слови е................................................................... |
|
|
3 |
7 |
Физические основы работы транзисторов. . . |
|
|||
Структура и |
принцип |
действия плоскостного |
7 |
|
т р и о д а ......................... |
передачи |
т о к а |
17 |
|
Коэффициент |
21 |
|||
Распределение объемного заряда . . . |
. |
|||
Основные требования, предъявляемые к ПТ при |
|
|||
различных |
режимах |
р аб оты .......................... |
25 |
|
Типы тран зи сторов ..................................................... |
|
42 |
|
|
Транзисторы, работающие на неосновных носи |
42 |
|||
телях ............................................................................ |
|
|
|
|
Транзисторы, работающие на основных носите |
73 |
|||
лях .................................................................................. |
|
|
|
|
Транзисторы |
с отрицательным сопротивлением |
90 |
||
Литература...................................................................... |
|
|
103 |
|
Основные условные обозначения |
|
104 |
МАРКОВА ВАЛЕНТИНА НИКОЛАЕВНА
ГОЖЕНКО НОННА АНАТОЛЬЕВНА
М А Л Ю Т К И ПТ Второе издание
Печатается по решению Редак ционной коллегии научно-попу лярной литературы Академии наук Украинской ССР
Редактор Н.М. Титова Обложка художника Р. И. Калыша Художественный редактор
В. П. Кузь
Технический редактор Б. А. Пиков-
ская
Корректор Г. М. Столярчук_______
БФ 03319. Зак. Ѣ 273. Изд. № 207. Тираж 70 000. Бумага № 2, 70Х90'/з2. Печати, листов 3,375+1 вкл. Условн. печ. листов 4,0. Учетно-изд.
листов |
3,85. Подписано к печати |
8.6 1967 |
г. Цена 12 коп. |
Издательство «Наукова думка»,
Киев, Репина, 3.
Киевская книжная типография № 5 Комитета по печати при Совете Ми нистров УССР, Киев, Репина, 4.
Цена 12 коп.
о
*
Г
’ f