ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 20.06.2024
Просмотров: 134
Скачиваний: 0
- 56 -
по переменному току можно считать " закороченньши".
При этом условии емкость Са э |
оказывается |
подключен |
|||
ной к зажимам a-к , а |
емкость |
С э с - к |
зажимам с-к . |
Первая |
|
увеличивает выходную, |
а вторая входную емкости лампы. Имея |
||||
в виду, |
что в экранированных |
лампах типа пентодов |
и тетро- |
||
дов с о с |
. мало и,- как |
правило, C olc<Kq>i; « С.к1выходную и |
|||
входную емкости пампы можно определить |
|
||||
С„ |
« С |
- |
а з |
и С |
« С_ |
э с |
ьыэс |
а к |
' |
|
с к |
||
В триодном усилителе |
очень |
часто CQc( i +Т£0) > Сс ^ |
||||
поэтому обычно входная емкость экранированных ламп (типа пентодов и триодов) существенно меньше входной емкости триодов.
Итак, на основании проведенных рассуждений можно, сде
лать выводы: |
|
|
|
|
|
|
|
1. |
Учет обратной связи через |
емкость |
С с1с |
практичес |
|||
ки необходим только для оценки |
|
нагруженной |
лампы. |
||||
2. |
Имеют место зависимости входного сопротивления уси- ; |
||||||
лительного каскада от величины проходной емкости лампы, а |
|||||||
также от |
величины и характера |
нагрузки, |
|
|
|||
3. |
Входное сопротивление усилительного каскада является |
||||||
величиной комплексной, содержащей параллельно соединенные |
|||||||
активную и емкостную составляющие |
2 , |
s U , |
—- . |
||||
4. |
Емкость |
, |
|
Ьос |
ьос. |
feac |
|
, подключенная |
параллельно |
к выходное |
|||||
му сопротивлению предыдущего каскада усиления, должна оказы-: |
|||||||
вать влияние на |
его частотные |
характеристики. |
|
||||
|
|
■КОНТРОЛЬНЫЕ |
ВОПРОСЫ |
|
|
|
|
X. Приведите схему усилительного каскада с учетом "пара-: зитных" емкостей лампы.
2 . Представьте эквивалентную схему усилительного элемен-: та в виде двух четырехполюсников.
3. Определить у — параметры эквивалентной схемы в области высоких частот.
- 57 |
- |
4 . Какое влияние оказывает |
емкость Сас, на работу усили |
теля?
5. Определить входное сопротивление усилительного кас када с общим катодом.
6. Дать анализ входному сопротивлению при различных видах нагрузки.
7. Дать сравнительную оценку входным и выходным емкостяЦ триодов и экранированных ламп.
§ J . 7. НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА
При анализе усилителей на транзисторах будем использо вать систему V - параметров. Если определение усилительных свойств транзистора допустимо проводить на сравнительно низ
ких частотах, |
то в |
этом случае можно считать параметры |
, Т а Д 21>Т аа |
чисто активными, т .е . не зависящи |
|
ми от частоты. |
В |
этом случае система уравнений (1.20) будет |
иметь следующий вид:
^2 ~ |
*' ^ £ 2 ^ 2 " |
(1.28) |
Конкретные величины - параметров реального транзие тора можно определить по его статическим характеристикам. Но они различны для различных схем включения транзисторов.
Определим g Ц параметры для наиболее распространенной схемы включения транзистора с общим эмиттером (р и с .I.31 ).
В этой схеме полярность источников и направление по стоянных составляющих токов соответствует транзистору типа р-п-р.
Низкочастотные свойства усилительного транзистора как
- 58 -
элемента определяются свойством его входных и выходных ха рактеристик. Для нашего случая будем считать,что
ч - ч |
1 = 1 . |
V |
UK v |
1 * |
|
||||
Тогда |
для транзистора |
с общим ’эмиттером уравнения |
||
(1.28) примут вид:
Ч ~ £ и Ч * § t& 4 s ;
01.29)
4 =£ti4> + £ * u 4 t .
I k
Рис. I . 31
Заменяя в них переменные токи и напряжения соответствующ ий ш малыми приращениями п етоянных входных и выходных токов и напряжений около рабочей точки транзистора, получим:
a I 5 - g , , a U S ’ Cffla U K.i
- 59 -
А ! к “ g * iAU6 + g a a A U K •' |
а . з о ) |
Графическое определение приращений для рабочей точки "О-1 представлено на рио. 1.32.
Определив сначала |
параметры g u |
и |
. Они опредв' |
ляются в режиме короткого зашкания |
на выходе,т.е^ когда |
||
a Uk =G |
('UK=const). |
|
|
-60
Давая отрицательное приращение - & \ J g |
относитель- |
||||||
но смещения-U g0 |
при |
U KQ = c o n s t |
по входной и про |
||||
ходной |
характеристикам |
находим, что отрицательные токи базы |
|||||
и коллектора получат |
отрицательные приращения,т.е. - д I g |
и |
|||||
- А I |
Следовательно, |
получим |
|
|
|
||
|
*и |
|
|
|
- д 1 . |
UKO»GOn^t |
|
|
ик о c o n s i |
|
|||||
|
|
|
|
|
|||
Параметры |
и |
|
определяются в режиме коротко |
||||
го замыкания на входе, |
когда |
a U5 = q (U Sg = c o n s t > |
|
||||
Давая |
отрицательное |
приращение - a U k |
при Wg0» c o n s i |
, |
|||
по выходной и проходной характеристикам находим отрицатель- •
ное приращение коллекторного |
тока - д 1 |
к |
и положитель |
||
ное"- приращение базового тока |
+ A I g |
, тогда |
|
||
&12 - * V K |
IL =с o u s t |
К |
ьяг |
- д и * |
jUgo=c o n st |
|
оо |
|
|||
Ha p c . 1.33 представлена схема для переменных состав ляющих ( в нашем случае для приращений). На ней стрелками
~~1
Rh
ш К
___I
Рис. 1.33
- 61
показаны направления приращений токов. Из схемы следует,что
при подаче на вход напряжения |
- & U g |
, выходной ток |
создает на активной нагрузке |
( R H) |
падение напряжения |
а17к со знаком, обратным входному напряжению. Следовательно, транзистор, включенный по схеме с общиЦ
эмиттером, поворачивает фазу усиливаемого сигнала на 180°. Следует заметить, что в изложении мы воспользовались
выходными статическими характерстиками по напряжению, коточ рые используются реже,чем выходные характеристики по току.
Однако в |
нашем случае |
использование |
выходных характеристик |
|||||
по напряжению несколько упростило изложение. |
|
|
||||||
Параметры |
|
и |
g a i=т а г |
|
|
|||
аналогичны соответстве"но выходной проводимости-лампы ^ |
й |
|||||||
статической |
крутизне лампы |
S |
. |
Поэтому для них сохраним |
||||
то же обозначение, что |
и для |
ламп, |
T .e.S = g2i |
и |
. |
|||
Параметры |
и |
g ift |
не имеют ламповых аналогов. |
|||||
Сравнивая параметры ламп и транзисторов в области низк#х |
||||||||
частот, |
можно сделать |
т р основных |
вывода: * |
|
|
|||
1 . |
Конечная и довольно большая величина |
g # характери |
||||||
зует малое |
входное сопротивление |
транзистора. |
|
|
||||
2 . В транзисторе имеет место обратная связь, характе
ризуемая |
конечной величиной и |
• |
_ _ _ _ _ _ |
|
3 . |
Параметры транзистора |
существенно |
зависят от темпе-* |
|
ратуры |
п-р - |
переходов. |
|
|
На р с . |
1.34 изображена |
эквивалентная схема транзисч |
||
т о р . |
|
|
|
|
I*
Рис. 1.34