Файл: Lektsia_12.doc

1 - Е_вн< Е_зап, I_пр малий;

2 - Е_вн> Е_зап, I_пр визначається тільки опором напівпровідника;

3 - р-n-перехід закритий; I_обр визначається рухом неосновних носіїв зарядів;

4 - U_обр> U_{обр max} ; р-n-перехід пробитий; I_обр різко збільшується.

Пунктиром показана характеристика сильнолегованих напівпровідників, що відрізняється формою ділянки 1 і відсутністю ділянки 3, що пов'язано з впливом квантово-механічного тунельного ефекту.

Рис. 5. Вольт-амперна характеристика р-n-перехода

Для електричного пробою характерна оборотність, яка полягає в тому, що початкові властивості р-n-переходу повністю відновлюються, якщо знизити напругу на р-n-переході. Завдяки цьому електричний пробій використовують в якості робочого режиму в напівпровідникових діодах.

Якщо температура р-n-переходу зростає в результаті його нагрівання зворотним струмом і недостатнього тепловідводу, то підсилюється процес генерації пар носіїв заряду. Це приводить до подальшого збільшення зворотного струму і нагрівання р-n-переходу, що може викликати руйнування переходу. Такий процес називають тепловим пробоєм. Тепловий пробій руйнує р-n-перехід.

У сильнолегованих напівпровідниках може виникати квантово-механічний тунельний ефект, який полягає в тому, що при дуже малій товщині запираючого шару основні носії можуть переборювати замикаючий шар без зміни енергії. Це призводить до зростання струму на даних ділянках.

Закритий р-n-перехід має електричну ємність, що залежить від його площі та ширини, а також від діелектричної проникності запираючого шару.

Властивості р-n-переходу широко використовуються в напівпровідникових приладах.

---

Контрольні питання:

1. Що вивчає електроніка?

2. Що таке напівпровідник?

3. Які основні переваги та недоліки напівпровідникових приладів?

4. Від чого залежить тип електропровідності напівпровідників?

5. Як утворюється р-n-перехід?

6. Пояснити ВАХ р-n-переходу.

7

---