Файл: Важенина, З. П. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона.pdf

Изменений токов второго каскада (закрываемого) составлю

В этом выражении дробный множитель меньше единицы, поэтому

ответственно ß и (ß+1). Поэтому при построении мультивибратора

ляет собой принципиально необходимое требование возбуждения. Известно, что с уменьшением токов, протекающих через тран­ зистор, коэффициент ß уменьшается [7]. Так как при увеличении R

9

Для токов /ц н Ус от 1 до 1Ö мкА

(O.lS)

При токах / к и / о от 10 до 100 мкА

(0.16)

Приведенные выражения являются приближенными, особенно на краях диапазонов. По формуле (0.14) находим, что у низко­

исследования показывают, что допустимо устанавливать минималь­ ный ток заряда / Зарынп=1 мкА.

Релаксационным генераторам на полевых транзисторах и на полевых в сочетании с биполярными посвящена гл. 2. Входное со­ противление полевых транзисторов значительно превосходит вход­

зисторов не потребляет, а полевых с р-п переходом почти не по­ требляет тока. Это снижает ограничение на максимальную вели­ чину сопротивления хронирующего резистора R, включенного в цепь затвора. В релаксационных генераторах, собранных на полевых транзисторах, можно использовать хронирующие резисторы Якакс = ='(1 ... 10) МОм и даже выше. Это позволяет генерировать им­ пульсы в миллисекундном диапазоне при предельно малых значе­ ниях емкостей хронирующих конденсаторов ( С ^ 10 000 пФ). По­ этому такие генераторы легко реализуются в гибридном интеграль­ ном исполнении с применением тонкопленочных ДС-структур.

Температурная стабильность релаксационных генераторов на полевых транзисторах не зависит от выбора величины хронирую­ щего сопротивления (как в генераторах на биполярных транзисто­ рах). Она определяется зависимостью напряжения отпирания (по­ рогового напряжения) полевого транзистора во от температуры.

Недавно появившемуся классу релаксационных схем на тран­ зисторном эквиваленте двухбазового диода (ЭДД) посвящена гл. 3. Двухбазовый диод (однопереходной транзистор) (8, 9] конструктив­ но представляет собой пластину или нить из полупроводника п- или p-типа, в которой на определенном расстоянии от одного из выводов сформирован точечный эмиттер из полупроводника другого типа. Такое устройство представляет собой полупроводниковый при­ бор с отрицательным сопротивлением.

Рассмотрим двухбазовый диод п-типа (рис. 0.4). На пластину гомогенного полупроводника л-типа длиной L подается менаду вы­ водами бі и бг напряжение питания Е. На расстоянии L і от ба­ зового вывода бі расположен точечный эмиттер Э из полѵпооводника p-типа. Напряжение Е равномерно распределено вдоль пла­ стины и составляет в точке Э

10

тически все параметры характеристик. Очень важным преимущест­ вом ЭДД является возможность подключения нагрузки к средней точке делителя, что позволяет получить более мощный импульс тока, чем у двухбазового диода.

Рассмотрим простейшие схемы автоколебательного и ждущего мультивибраторов на ЭДД.

На рис. 0.6 изображена схема автоколебательного мультивиб­ ратора на ЭДД и временные диаграммы напряжений в характерных точках мультивибратора при работе его в установившемся режиме. Пользуясь этими временными диаграммами, опишем работу муль­

что на управляющем электроде (эмиттере) ЭДД напряжение ниже порогового. При этом ЭДД закрыт, т. е. транзистор 77 заперт

Рис. 0.5. Два варианта транзисторного эквивалента двухбазового диода.

обратным напряжением иваі, а транзистор Т2 работает в режиме

(транзисторы 77 и Т2 насыщены). За время переключения ЭДД на­ пряжение »с уменьшится на величину АUc, но все же (при большой емкости конденсатора С) будет значительным. Далее происходит разряд конденсатора С через насыщенные транзисторы ЭДД, кото­ рые можно представить в виде включенных параллельно распреде­

12