ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.03.2025
Просмотров: 12
Скачиваний: 0
ГОСТ 2.730-73
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
О БОЗНАЧЕНИЯ УС ЛО В Н Ы Е
ГРАФ И ЧЕ С К И Е В СХЕМ АХ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Издание официальное
Москва
Стандартинформ
2010
гидроиспытания трубопроводов
УДК 744:621.382:003.62:006.354 |
Группа Т52 |
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й |
С Т А Н Д А Р Т |
Единая система конструкторской документации |
|
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ |
ГОСТ |
Приборы полупроводниковые |
2 .7 3 0 -7 3 |
|
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
МКС 01.080.40 31.080
Дата введения 01.07.74
1.Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2.Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Издание официальное |
Перепечатка воспрещена |
© СТАНДАРТИНФОРМ, 2010
59
Наименование Обозначение
1. |
(Исключен, Изм. № 2). |
|
|
2. |
Электроды: |
т |
|
база с одним выводом |
|||
|
|||
база с двумя выводами
| | U/Ш | 1 ,и ли --- 1---
/’-эмиттер с /V-областью
iV-эмиттер с Т1-областью
несколько |
/’-эмиттеров |
с N -об- |
/ \\ |
|
ластью |
|
|
|
|
|
|
|
/ |
|
несколько |
N -эмиттеров с |
Р -об- |
/ ЧЧ |
|
ластью |
|
|
|
|
|
|
|
/ |
|
коллектор с базой |
|
|
________L |
|
|
|
|
|
|
несколько |
коллекторов, |
напри- |
\ |
|
мер, четыре коллектора на базе |
|
|||
|
\ // |
|||
Наименование
3. Области:
область между проводниковыми слоями с различной электропро водностью.
Переход от /’-области к TV-области и наоборот
область собственной электропро водности (/-область):
1)между областями с электро проводностью разного типа P IN или
N IP
2)между областями с электро проводностью одного типа P IP или
N IN
3)между коллектором и областью
спротивоположной электропровод ностью P IN или N IP
4)между коллектором и областью
сэлектропроводностью того же типа
P IP или N IN
4.Канал проводимости для полевых транзисторов:
обогащенного типа
Т а б л и ц а 1 |
.С |
|
2 |
Обозначение |
73-730.2ГОСТ |
|
.Л
-Jl
d
. А
ГТ
обедненного типа
П
Наименование |
Обозначение |
5. Переход P N
X
6. Переход NP
7. /’-канал на подложке /V-типа, |
" 1 “ |
|
обогащенный тип |
||
|
Наименование
10.Исток и сток
Пр и м е ч а н и е . Линия истока должна быть изображена на про должении линии затвора, например:
11.Выводы полупроводниковых приборов:
электрически не соединенные с корпусом
электрически соединенные с корпусом
Продолжение табл. 1
Обозначение
Затворб I
ГГ
ИстокS 1 |
1СтокВ |
У |
j ) у |
—У |
или . У ,или ■— S |
8. |
/V-канал на подложке /’-типа, |
J L |
|
у/ |
или У ,или у' |
обедненный тип |
|
|
|
||
|
|
|
|
||
|
|
12. Вывод корпуса |
внешний. |
> |
> |
|
|
Допускается в месте присоединения |
|||
|
|
к корпусу помещать точку |
|
||
9. |
Затвор изолированный |
L |
|
||
|
|
|
|
|
|
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3). 3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. № 1).
3 .С 73730. 2 ГОСТ
ON
to
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
4 |
|
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение |
|
|||
1. Эффект туннельный |
|
] |
2. Эффект лавинного пробоя: |
J |
|
|
||
а) |
прямой |
|
а) |
односторонний |
|
|
||
|
|
|
|
|
||||
б) |
обращенный |
|
I |
б) |
двухсторонний |
J |
|
|
|
3—8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
|||||
|
|
|
J |
|
|
|||
|
|
|
|
9. Эффект Шапки |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5. |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
5 |
|
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение |
|
|||
1. Диод |
|
|
|
|
|
|
|
|
Общее обозначение |
|
|
6 |
Варикап (диод емкостной) |
и т |
_ ^ | | _ |
|
|
|
|
|
|
|
_ £ | _ |
|
||
2. Диод туннельный |
- |
й |
- |
н и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||
3. Диод обращенный |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
|
||
|
|
■ |
« |
|
|
|
||
|
|
- |
|
|
|
|
||
4. |
Стабилитрон (диод |
лавинный |
|
|
|
Um |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
выпрямительный) |
|
|
|
|
|
|
|
|
а) |
односторонний |
- f e |
h |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8. Модуль с несколькими (нап |
|
|
|
|
|
|
|
|
ример, тремя) одинаковыми диода |
|
|
|
|
|
|
ш |
ми с общим анодным и самостоя |
|
|
|
||
б) |
двухсторонний |
тельными катодными выводами |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||
73-730. 2 ГОСТ 4 .С
5. Диод теплоэлектрический |
W |
|
t° |
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
8а. Модуль с несколькими одина |
|
9. Диод Шотки |
ковыми диодами с общим катодным |
|
|
и самостоятельными анодными вы |
|
|
водами |
|
|
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Наименование
1. Тиристор диодный, запирае
ON мый в обратном направлении UJ
2.Тиристор диодный, проводя щий в обратном направлении
3.Тиристор диодный симмет ричный
4.Тиристор триодный. Общее обозначение
Обозначение |
Наименование |
5. |
Тиристор триодный, запирае |
мый в обратном направлении с |
|
управлением: |
|
по аноду |
|
-ЕИ- |
|
по катоду |
|
|
|
|
|
|
|
-I" |
"Ей" |
6. Тиристор |
триодный |
выклю |
чаемый: |
|
|
||
общее обозначение |
|
|||
|
|
запираемый |
в обратном |
направ |
|
|
лении, с управлением по аноду |
||
Продолжение табл. 5
Обозначение
- м -
Т а б л и ц а 6
Обозначение
5 .С 73730. 2 ГОСТ
|
|
|
Продолжение табл. 6 |
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение |
запираемый в обратном |
направ |
8. Тиристор триодный симмет |
|
лении, с управлением по катоду |
ричный (двунаправленный) — триак |
или — |
|
7. Тиристор триодный, |
проводя |
|
|
|
|
||
щий в обратном направлении: |
7 * |
? |
|
общее обозначение |
|
||
- й -
т
9. Тиристор тетроидный, запи раемый в обратном направлении
с управлением по аноду
7 * * -
с управлением по катоду
-й ё
Пр и м е ч а н и е . Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8.Примеры построения обозначений транзисторов с 7*-/V-переходами приведены в табл. 7.
73-730.2 ГОСТ 6 .С
Наименование
1. Транзистор
а) типа PNP
б) типа N P N с выводом от внутреннего экрана
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3. Транзистор лавинный типа
N PN
4. Транзистор однопереходный с ЛГ-базой
Обозначение
у
Ж
V
Y
т*т
Наименование
5.Транзистор однопереходный с Р-базой
6.Транзистор двухбазовый типа
N PN
7. |
Транзистор |
двухбазовый |
типа |
PN IP с выводом от /-области |
|
||
8. |
Транзистор |
двухбазовый |
типа |
PN IP с выводом от /-области |
|
||
9. |
Транзистор |
миогоэмиттерпый |
|
типа NPN |
|
|
|
П р и м е ч а н и е . При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
О „„„ W.
б) изображать корпус транзистора.
Т а б л и ц а 7
Обозначение
~|Ч 1
\ /У
Y r
\\\/
73730. 2 ГОСТ
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.
7 .С