ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.02.2024
Просмотров: 266
Скачиваний: 2
|
П р акти ч ески |
в а ж н ы м |
я в л я е т с я |
то |
о б с т о я т е л ь с т в о , |
||||||
что |
вы со кая с та б и л ьн о с ть |
п а р а м е т р о в |
и х а р а к т е р и с т и к |
||||||||
тр ан зи сто р н ы х |
у си л и тел ей |
м о ж е т |
б ы т ь |
д о с т и г н у т а п р и |
|||||||
сравн и тельн о |
н еб о л ьш и х |
п о т е р я х |
у с и л е н и я |
и |
п р и е м л е |
||||||
мы х д о п о л н и тел ьн ы х |
з а т р а т а х |
э н е р г и и |
от |
и с т о ч н и к о в |
|||||||
п и тан и я . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4. Д л я п о л у ч ен и я н а и б о л е е э к о н о м и ч н ы х р е ш е н и й |
||||||||||
при |
п р о ек ти р о в ан и и |
т р а н зи с т о р н ы х |
у с и л и т е л е й |
т р е б у е т |
|||||||
ся |
обесп ечи ть |
с о гл а с о в а н н ы й |
в ы б о р |
р а б о ч и х |
р е ж и м о в |
||||||
на |
п остоян н ом |
и |
п е р е м е н н о м то к е . |
Н е о б х о д и м ы е р а с ч е т |
ны е со о тн ош ен и я д л я н а и б о л е е р а с п р о с т р а н е н н ы х с х е м
тр ан зи сто р н ы х у с и л и те л ей |
о к а з а л о с ь |
в о з м о ж н ы м п о л у |
|
чить |
б л а г о д а р я и зы с к а н и ю м е т о д о в к о л и ч е с т в е н н о й |
||
оценки |
с т а б и л и зи р у ю щ е го |
д е й с т в и я |
в ы б р а н н о г о р а б о ч е |
го р е ж и м а на п о с то я н н о м т о к е н а п а р а м е т р ы и х а р а к тери сти ки у с и л и т е л ь н ы х у с т р о й с т в .
5. М е то д к о св е н н о го а н а л и з а и с с л е д у е м ы х с т р у к т у р п о зв о л я е т п р о и зв ес ти о ц е н к у о ж и д а е м о й н е с т а б и л ь н о с т и п а р а м е т р о в и х а р а к т е р и с т и к т р а н з и с т о р н ы х у с и л и т е л е й с учетом в л и я н и я н а р а з б р о с у п о м я н у т ы х п о к а з а т е л е й в ы б р ан н о го р а б о ч е г о р е ж и м а и о т р и ц а т е л ь н о й о б р а т н о й с в я зи н а п о с то я н н о м и п е р е м е н н о м т о к е . В о т л и ч и е о т м ето д о в н е п о с р е д с т в е н н о го а н а л и з а , к о т о р ы е о б ы ч н о п р и в о д я т к с л о ж н ы м у р а в н е н и я м д а ж е д л я с р а в н и т ё л ь - но п р о сты х си стем , м е т о д к о с в е н н о г о а н а л и з а п о з в о л я е т в х о д е р а с ч е т а о п е р и р о в а т ь п р о с т ы м и с о о т н о ш е н и я м и и к о н т р о л и р о в а т ь д о с т о в е р н о с т ь р е з у л ь т а т о в , д о с т и г а е м ы х н а п р о м е ж у т о ч н ы х э т а п а х .
6. С т а б и л и з а ц и я р а б о ч е г о р е ж и м а п р и в о д и т к н и в е л и р о в к е п о гр е ш н о с т е й , о б у с л о в л е н н ы х в л и я н и е м р а з л и ч н ы х д е с т а б и л и з и р у ю щ и х ф а к т о р о в . П р и э то м с т а б и л и з и
р у ю щ е е д е й с т в и е |
р а б о ч е г о р е ж и м а н е о д и н а к о в о |
д л я |
р а з л и ч н ы х в и д о в |
ч а с т н ы х п о гр е ш н о с те й . Э то д е л а е т |
с т а б и л и з и р о в а н н ы й у с и л и т е л ь в к а к о й -т о м е р е с х о д н ы м с- с а м о н а с т р а и в а ю щ е й с я с и стем о й а в т о м а т и ч е с к о г о р е г у л и р о в а н и я .
П о э т о м у с и н те з у с и л и т е л я с з а д а н н о й с т а б и л ь н о с т ь ю ц е л е с о о б р а з н о о с у щ е с т в л я т ь и с х о д я и з у с л о в и я р а в е н с т ва ч а с т н ы х п о гр е ш н о с те й .
7. Н е с м о т р я н а н а л и ч и е б о л ь ш о го ч и с л а р а з н о в и д н о стей т р а н зи с т о р н ы х у с и л и те л е й , ч и сл о а н а л и з и р у е м ы х
в а р и а н т о в м о ж е т б ы ть |
су щ е ств е н н о |
с о к р а щ е н о , |
т а к |
к а к |
р е к о м е н д у е м ы е м ето д ы |
с т а б и л и з а ц и и |
п р и го д н ы |
д л я |
ш и |
р о к о го к л а с с а у с тр о й с тв . Э то о т к р ы в а е т б л а г о п р и я т н ы е 316
в о з м о ж н о с т и д л я ф о р м а л и з а ц и и п р о ц е с с о в п р о е к т и р о в а н и я т р а н з и с т о р н ы х у с и л и т е л е й п у тем с о з д а н и я н а б о р а ш а б л о н о в ( п р о г р а м м ) , п р и го д н ы х д л я р а с ч е т а о б ы ч н ы м и м е т о д а м и и н а э л е к т р о н н ы х в ы ч и с л и т е л ь н ы х м а ш и н а х .
Е с т е с т в е н н о , что а в т о р н е и м ел в о зм о ж н о с т и о х в а т и т ь в с е р а з н о о б р а з и е в о з м о ж н ы х сх ем и c rp y ifry p . П о э т о м у в к н и г е о с н о в н о е в н и м а н и е у д е л е н о и зл о ж е н и ю о с н о в н ы х м е т о д о в и п р и е м о в , п о з в о л я ю щ и х п р о е к т и р о в щ и к у в к а ж д о м к о н к р е т н о м с л у ч а е р а ц и о н а л ь н о п о д х о д и т ь к п р о е к т и р о в а н и ю т р а н з и с т о р н ы х у с и л и те л е й , а в к а к о й - т о м е р е и у с т р о й с т в д р у г и х ти п о в , в ы п о л н ен н ы х н а п о л у п р о в о д н и к о в ы х п р и б о р а х .
О С Н О В Н Ы Е У С Л О В Н Ы Е О Б О З Н А Ч Е Н И Я
А — обобщенный параметр, характеризующий свойства транзи сторного усилителя;
An, Â12, A2i, А22 — коэффициенты, определяющие наклон ста тических характеристик транзистора;
ak — выходной параметр радиоэлектронной цепи;
Д«к — относительное приращение выходного параметра радио
электронной цепи;
Две.р — поле допуска выходного параметра с учетом стабилизи рующего действия выбранного рабочего режима на постоянном токе;
Двдоп — заданное поле допуска выходного параметра радио электронной цепи;
diK |
|
|
|
а = di9 |
— коэффициент |
передачи тока |
эмиттера тран- |
зястора; |
t/K=const |
|
|
|
|
|
|
а/б |
— коэффициент |
передачи тока |
базы транзистора; |
t/R=const |
|
|
В — коэффициент теплоотдачи (см2(вт) ;
Bi и Вг1 — коэффициенты влияния, учитывающие удельный вес
погрешностей параметров элементов в суммарной погрешности вы ходного параметра радиоэлектронной цепи (соответственно в урав нениях для абсолютной и относительной погрешностей выходного параметра) ;
Bt, B j и Bu — коэффициенты, учитывающие влияние температу ры, тока коллектора и коллекторного напряжения на разброс пара
метров элементов |
радиоэлектронной цепи; |
полупроводникового |
||||
с — константа, |
зависящая |
от |
структуры |
|||
материала; |
|
|
емкости коллекторного, эмиттер- |
|||
Ск,-С 8 и Сб — соответственно |
||||||
ного и базового переходов транзистора; |
|
|
|
|||
Ср — емкость разделительного конденсатора; |
|
|||||
Ct и Сы — коэффициенты |
влияния, |
учитывающие |
удельный вес |
|||
погрешностей, обусловленных |
наличием |
корреляционных связей меж |
||||
ду параметрами элементов радиоэлектронной |
цепи |
(соответственно |
в уравнениях для абсолютной и относительной погрешностей выход ного параметра);
Ct, Рг, c.i, C4) c5 — коэффициенты, характеризующие зависимость сопротивлений коллектора, базы и эмиттера, а также коэффициента передачи', тока базы и емкости коллектора транзистора от темпе ратуры;
Ci, C2t С — обобщенные значения сопротивлений в цепях нагруз ки, смещения и обратной связи каскадов с параллельной, последо
вательной и параллельно-последовательной |
OOG |
на |
постоянном |
||||
токе; |
|
|
|
|
|
|
|
Y — коэффициент, |
характеризующий крутизну |
изменения с |
тем |
||||
пературой |
напряжения |
на переходе эмиттер — база |
транзистора; |
||||
D n к |
Dp — соответственно коэффициенты диффузий |
подвижных |
|||||
электронов и «дырок»; |
|
|
|
|
|
|
|
Dt — коэффициент, |
характеризующий |
изменение |
коллекторного |
||||
тока транзистора с температурой; |
|
|
|
|
|
||
|
|
относительного |
значения |
выходного пара |
|||
метра электронной цепи; |
|
|
|
|
|
||
|
|
относительного |
значения параметра |
эле |
мента электронной цепи;
ô i — относительное значение приращения тока коллектора тран зистора;
5а — относительное значение приращения |
коэффициента |
передачи |
|||
тока эмиттера транзистора; |
|
|
|
|
|
Ьщъ — относительное |
приращение |
тока |
коллектора |
/-го |
каскада |
усилителя с междукаскадной гальванической связью; |
|
|
|||
ôoi — относительная |
погрешность |
параметра элемента электрон |
|||
ной цепи; |
|
|
|
|
|
бпр и бет — относительные значения погрешностей, |
обусловлен |
ных производственным разбросом параметров элементов электрон ной цепи и их изменениями вследствие старения;
|Д*, Ау и Ah — соответственно определители матриц уравнений систем z-, у- и /i-параметров транзистора;
Aj, Au и Aux — соответственно потери усиления по току, на пряжению и мощности при введении отрицательной обратной связи;
бДОс.р |
и бДйдоп — отклонения от границ |
поля допуска, |
опре |
||
деляемых |
соответственно |
значениями |
Д ас.р и |
Дадоп; |
|
Е — э. д. с. источника питания постоянным током; |
|
||||
Ет — э. д. с. генератора сигнала; |
|
|
|
||
АЕ — ширина запрещенной зоны; |
|
|
|
||
|о — диэлектрическая |
постоянная |
вакуума; |
|
|
|
£п — диэлектрическая |
проницаемость полупроводникового |
мате |
|||
риала; |
|
|
|
|
|
£ а — коэффициент использования |
коллекторного напряжения |
врежиме А\
—коэффициент использования коллекторного напряжения
врежиме В\
и£,• — соответственно относительное рассеивание параметров элементов радиотехнической цепи при нормальном законе распре
деления и распределении, |
отличающемся от нормального; |
||
£ |
и |
безразмерные |
коэффициенты, определяемые соотноше |
ниями |
(5-41) |
и (5-45); |
|
/ — граничная частота |
передачи |
тока |
эмиттера; |
/р — граничная частота |
передачи |
тока |
базьь |
Дf — ширина рабочей полосы частот; |
|
||
F — площадь прилегания корпуса транзистора к дополнительно |
|||
му радиатору; |
|
|
|
F„an — суммарная .площадь излучения дополнительного радиа |
тора;
FK— площадь коллекторного перехода транзистора;
F', F " и F — возвратные разности или глубина ООС каскадов с последовательной, параллельной и параллельно-последовательной
обратной связью; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Fiо — покаскадная возвратная разность; |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
F02 — суммарная |
возвратная разность усилителя; |
|
|
|
|
|||||||||||||||
Fm — коэффициент шума; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
gno |
и gn — проводимость нагрузки |
соответственно |
по |
постоян |
||||||||||||||||
ному и переменному току; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Сеэ |
и Gбк — соответственно |
|
комплексные |
проводимости |
на |
за |
||||||||||||||
жимах эмиттер — база и база — коллектор транзистора; |
|
|
|
|
||||||||||||||||
Ли, |
Л12, |
Л21 |
и |
Л22 — характеристические |
параметры |
гибридной |
||||||||||||||
эквивалентной схемы транзистора; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
/ к — среднее |
или |
номинальное значение тока |
коллектора; |
|
||||||||||||||||
Д/к — относительное |
приращение |
тока |
коллектора; |
|
|
|
|
|||||||||||||
/* |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/ нр — ток |
коллектора, |
соответствующий |
выбранной |
рабочей |
||||||||||||||||
точке; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/ ко — обратный |
ток |
коллектора |
при |
|
«разомкнутой |
цепи |
базы |
|||||||||||||
транзистора; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/поп — обратный |
|
ток коллектора при включении между выво |
||||||||||||||||||
дами эмиттер — база |
|
транзистора |
шунтирующего |
сопротивления; |
|
|||||||||||||||
/ к.макс — максимальное |
значение тока |
коллектора, при |
котором |
|||||||||||||||||
имеют место минимальные искажения сигнала; |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
h — ток эмиттера; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
/эо — обратный ток эмиттера; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Iи — постоянная |
|
составляющая тока |
в |
сопротивлении |
нагрузки |
|||||||||||||||
каскада; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/ о — ток базы; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
/б.макс — максимальное значение тока |
базы, при |
котором |
имеют |
|||||||||||||||||
место минимальные искажения входного сигнала; |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
1т — амплитудное значение выходного тока; |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
/mi, |
Im2, |
/т з, |
I mi и |
1т ь — амплитуды |
первой, |
второй, |
третьей, |
|||||||||||||
четвертой и пятой гармоник коллекторного тока; |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
ip в — плотность |
|
обратного |
«дырочного» |
тока |
насыщения |
р-п |
||||||||||||||
перехода; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tn.o.n — плотность |
обратного |
|
электронного |
тока |
насыщения |
|||||||||||||||
в переходе эмиттер — база транзистора р-п-р типа; |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
i'h.k.h — плотность |
обратного |
электронного |
тока |
насыщения |
||||||||||||||||
в переходе база — коллектор транзистора р-п-р типа; |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
1кол |
и Îkop — соответственно |
|
плотность |
электронной |
и |
«дыроч |
||||||||||||||
ной» составляющих обратного тока коллектора; |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
iax и 1*вых — соответственно токи |
на входе и выходе эквивалент |
|||||||||||||||||||
ного четырехполюсника; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|||||
1Д/к1, |
Д/'н( и |
Д/"к1 — приращение |
тока |
коллектора |
с |
темпера |
||||||||||||||
турой соответственно |
в каскадах с параллельной, последовательной |
|||||||||||||||||||
и параллельно-последовательной |
ООС на |
постоянном токе; |
|
|
|