Файл: Физика Вальтера Шоттки.rtf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.03.2024

Просмотров: 14

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕДиод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) - с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки . Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода , как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт .Диоды Шоттки - составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:· МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996 ) - основной компонент синхронных выпрямителей . В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками (так как представляет из себя обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.· Так называемые ORing-диоды и ORing-сборки - силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью p-n перехода и низкими удельными плотностями тока.1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды и обозначение диодов В зависимости от свойств и поведения ВАХ различают следующие виды диодов, ниже перечислены некоторые из них.) Выпрямительные диоды различных классов, отличающиеся напряжением, временем переключения, рабочей полосой частот. ВАХ как у обычного p-n-перехода. В качестве выпрямительных используют сплавные эпитаксиальные и диффузионные диоды, выполненные на основе несимметричных p-n-переходов. Для выпрямительных диодов характерны малые сопротивления и большие токи в прямом режиме. Барьерная емкость из-за большой площади перехода достигает значений десятков пикофарад. Германиевые выпрямительные диоды применяют до температур 70-80оС, кремниевые до 120-150оС, арсенид-галлиевые до 150оС.Основные параметры выпрямительных диодов:обр,макс - максимально допустимое обратное напряжение, которое диод может выдержать без нарушения его работоспособности;вып,ср - средний выпрямленный ток;пр,п - пиковое значение импульса тока при заданных максимальной длительности, скважности и формы импульса;пр,ср - среднее прямое напряжение диода при заданном среднем значении прямого тока;ср - средняя за период мощность, рассеиваемая диодом, при протекании тока в прямом и обратном направлениях;диф - дифференциальное сопротивление диода в прямом режиме.Особо отметим класс импульсных диодов, имеющих очень малую длительность переходных процессов из-за малых емкостей переходов (доли пикофарад); уменьшение емкостей достигается за счет уменьшения площади p-n-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них меньше, чем у низкочастотных выпрямительных диодов. Их используют в импульсных схемах.К параметрам, перечисленным выше, для импульсных диодов следует отнести общую емкость СД, максимальные импульсные прямые и обратные напряжения и токи, время установления прямого напряжения от момента подачи импульса прямого тока до достижения им заданного значения прямого напряжения и время восстановления обратного сопротивления диода с момента прохождения тока через нуль до момента, когда обратный ток достигает заданного малого значения (рис. 1). Рисунок 12) Диод Шоттки - разновидность выпрямительных диодов, работающий на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник, образующего контактную разность потенциалов из-за перехода части электронов из полупроводника n-типа в металл и уменьшения концентрации электронов в полупроводниковой части контакта. Эта область обладает повышенным сопротивлением. При подключении внешнего источника плюсом к металлу, а минусом к полупроводнику, потенциальный барьер понизится и через переход пойдет прямой ток.В диоде Шоттки отсутствуют явления накопления и рассасывания основных носителей, поэтому они очень быстродействующие и могут работать на частотах до десятков ГГц. Прямое напряжение составляет

Диоды Шоттки в системных блоках питания. Характеристики, особенности применения и методы проверки



Кроме того, необходимо осознавать, что в блоках питания с плохой и непродуманной схемотехникой, утечки выпрямительных диодов приводят к перегрузкам первичной цепи и к всплескам тока через силовые транзисторы, что может стать причиной их отказа. Таким образом, профессиональный подход к ремонту блоков питания, диктует обязательную проверку вторичных выпрямительных диодов при каждой замене силовых транзисторов-ключей первичной части блока питания.

Диагностика диодов Шоттки

Проверка и точная диагностика диодов Шоттки, на практике, является достаточно непростым делом, т.к. многое здесь определяется типом используемого измерительного прибора и опытом подобных измерений, хотя определить обычный пробой одного или двух диодов диодной сборки Шоттки не составляет особого труда. Для этого необходимо выпаять диодную сборку и проверить тестером так, как это делается для обычных диодов. При подобной диагностике тестер необходимо установить в режим проверки диодов. Неисправный диод в обоих направлениях покажет одинаковое сопротивление (как правило, очень малое, т.е. покажет короткое замыкание), что и указывает на его непригодность для дальнейшего использования. Однако явные пробои диодных сборок в практике встречаются очень и очень редко.

В основном же, приходится иметь дело с утечками (причем зачастую с тепловыми утечками) диодов Шоттки. А вот утечки, выявить таким способом невозможно. «Утекающий» диод при проверках тестером в режиме «диод» является в подавляющем большинстве случаев полностью исправным. Гарантированную точность диагностики, на наш взгляд, позволяет дать только такой метод, как замена диода на заведомо исправный аналогичный прибор.

Но все-таки, выявить «подозрительный» диод можно попытаться с помощью методики, заключающейся в измерении сопротивления его обратного перехода. Для этого будем пользоваться не режимом проверки диодов, а обычным омметром. Внимание! При использовании этой методики следует помнить, что разные тестеры могут давать отличающиеся показания, что объясняется различием самих тестеров.

Итак, устанавливаем предел измерений на значение (20К) и измеряем обратное сопротивление диода. Как показывает практика, исправные диоды на этом пределе измерений должны показывать бесконечно большое сопротивление. Если же при измерении выявляется некоторое
, как правило, небольшое сопротивление (2-10 КОм), то такой диод можно считать «очень подозрительным» и его лучше заменить, или хотя бы проверить методом замены. Если же проводить проверку на пределе измерений (200К), то даже исправные диоды могут показывать в обратном направлении очень небольшое сопротивление (единицы и десятки кОм), поэтому и рекомендуется использовать предел (20К). Естественно, что на больших пределах измерений (2 Мом, 20 Мом и т.д.) даже абсолютно исправный диод оказывается полностью открытым, т.к. его p-n переходу прикладывается слишком высокое (для диодов Шоттки) обратное напряжение. На пределе (200К) можно проводить проверку сравнительным методом, т.е. брать гарантированно-исправный диод, измерять его обратное сопротивление и сравнивать с сопротивлением проверяемого диода. Значительные отличия в этих измерениях будут указывать на необходимость замены диодной сборки.

Иногда встречаются ситуации, когда выходит из строя только один из диодов сборки. В этом случае неисправность также легко выявляется методом сравнения обратного сопротивления двух диодов одной сборки. Диоды одной сборки должны иметь одинаковое сопротивление.

Предложенную методику можно дополнить еще и проверкой на термическую устойчивость. Суть этой проверки заключается в следующем. В тот момент времени, когда проверяется сопротивление обратного перехода на пределе измерений (20K), необходимо коснуться разогретым паяльником контактов диодной сборки, обеспечивая тем самым прогрев ее кристалла. Неисправная диодная сборка практически мгновенно начинает «плыть», то есть ее обратное сопротивление начинает очень быстро уменьшаться, в то время как исправная диодная сборка достаточно долго удерживает обратное сопротивление на бесконечно большом значении. Эта проверка очень важна, т.к. при работе диодная сборка сильно нагревается (не зря же ее размещают на радиаторе) и вследствие нагрева изменяет свои характеристики. Рассмотренная методика обеспечивает проверку устойчивости характеристик диодов Шоттки к температурным колебаниям, ведь увеличение температуры корпуса до 100 или 125 °C увеличивает значение обратного тока утечки в сто раз.

Вот так можно попытаться проверить диод Шоттки, однако предложенными методиками не стоит злоупотреблять, т.е. не следует проводить проверки на слишком большом пределе измерений сопротивления и слишком сильно разогревать диод, т.к. теоретически, все это может привести к повреждению диода.

Кроме того, из-за возможности отказа диодов Шоттки под действием температуры, необходимо строго соблюдать все рекомендуемые условия пайки (температурный режим и время пайки). Хотя надо отдать должное производителям диодов, так как многие из них добились того, что монтаж сборок можно в течение 10 секунд осуществлять при высокой температуре.


Таблица 2 Марки Диодов

Тип диодной сборки

Характеристики диодных сборок




VRRM V

VRMS V

VR V

IO, A

IFSM A

VFM V

IRM mA

dV/dt V/мкc

CJ pF

TJmax °C

MBR2530CT

30,0

21,00

30,0

30,0

150,0

0.82/0.73

0.2/40

10000,0

450,0

150,0

MBR2535CT

35,0

40687,0

3,00

30,0

150,0

0.82/0.73

0.2/40

10000,0

450,0

150,0

MBR2540CT

40,00

28,00

40,0

30,0

150,0

0.82/0.73

0.2/40

10000,0

450,0

150,0

MBR2545CT

45,00

40694,0

45,0

30,0

150,0

0.65/0.75

18264,0

10000,0

450,0

150,0

MBR2550CT

50,00

35,00

50,0

30,0

150,0

0.65/0.75

18264,0

10000,0

450,0

150,0

MBR2560CT

60,0

42,00

60,0

30,0

150,0

0.65/0.75

18264,0

10000,0

450,0

150,0

MBR3030PT

30,0

21,00

30,0

30,0

200,0

0.65/0.6

21916,0

10000,0

700,0

150,0

MBR3035PT

35,0

40687,0

35,0

30,0

200,0

0.65/0.6

21916,0

10000,0

700,0

150,0

MBR3040PT

40,0

28,00

40,0

30,0

200,0

0.65/0.6

21916,0

10000,0

700,0

150,0

MBR3045PT

45,0

40694,0

45,0

30,0

200

0.65/0.6

21916,0

10000,0

700,0

150,0

MBR3050PT

50,0

35,00

50,0

30,0

200,0

0.75/ 0.65

5/100

10000,0

700,0

150

MBR3060PT

60,0

42,00

60,0

30,0

200,0

0.75/0.6

5/100

10000,0

700,0

150,0

MBR4030PT

30,0

21,00

30,0

40,0

400,0

0.6/0.7

1/100

10000,0

1100

150,0

MBR4035PT

35,0

40687,0

35,0

40,0

400,0

0.6/0.7

1/100

10000,0

1100,0

150,0

MBR4040PT

40,0

28,00

40,0

40,0

400,0

0.6/0.7

1/100

10000,0

1100,0

150,0

MBR4045PT

45,0

40694,0

45,0

40,0

400,0

0.6/0.7

1/100

10000,0

1100,0

150,0

MBR4050PT

50,0

35,00

50,0

40,0

400,0

0.7/0.8

1/100

10000,0

1100,0

150,0

MBR4060PT

60,0

42,00

60,0

40,0

400,0

0.7/0.8

1/100

10000,0

1100,0

150,0

SB2030PT

30,0

21,00

30,0

20,0

250,0

0.55

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2035PT

35,0

40687,0

3,00

20,0

250,0

0.55

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2040PT

40,0

28,00

40,0

20,0

250,0

0.55

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2045PT

45,0

40694,0

45,0

20,0

250,0

0.55

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2050PT

50,0

35,00

50,0

20,0

250,0

0.75

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2060PT

60,0

42,00

60,0

20,0

250,0

0.75

18264,0

---

1100,0

150,0

SB2020CT

20,0

14,00

20,0

20,0

150,0

0.55

0.5/50

---

---

150,0

SB2030CT

3,00

21,00

30,0

20,0

150,0

0.55

0.5/50

---

---

150,0

SB2040CT

40,0

28,00

40,0

20,0

150,0

0.55

0.5/50

---

---

150,0

SB2050CT

50,0

35,00

50,0

20,0

150,0

0.75

0.5/50

---

---

150,0

SB2060CT

60,0

42,00

60,0

20,0

150,0

0.75

0.5/50

---

---

150,0

SB2080CT

80,0

56,00

80,0

20,0

150,0

0.85

0.5/50

---

---

150,0

SB20100CT

100

70,00

100

20,0

150,0

0.85

0.5/50

---

---

150,0

SB2020FCT

20,0

14,00

20,0

20,0

150,0

0.55

0.5/100

---

---

125,0

SB2030FCT

30,0

21,00

30,0

20,0

150,0

0.55

0.5/100

---

---

125,0

SB2040FCT

40,0

28,00

40,0

20,0

150,0

0.75

0.5/100

---

---

125,0

SB2050FCT

50,0

35,00

50,0

20,0

150,0

0.75

0.5/100

---

---

125,0

SB2060FCT

60,0

42,00

60,0

20,0

150,0

0.75

0.5/100

---

---

125,0

SB2080FCT

80,0

56,00

80

20,0

150,0

0.85

0.5/100

---

---

125

SB20100FCT

100

70,00

100,

20,0

150,0

0.85

0.5/100

---

---

125,0

SB3020CT

20,0

14,00

20,0

30,0

275,0

0.55

0.5/75

---

---

125,0

SB3030CT

30,0

21,00

30,0

30,0

275,0

0.55

0.5/75

---

---

125,0

SB3040CT

40,0

28,00

40,0

30,0

275,0

0.55

0.5/75

---

---

125,0

SB3050CT

50,0

35,00

50,0

30,0

275,0

0.75

0.5/75

---

---

125,0

SB3060CT

60,0

42,00

60,0

30,0

275,0

0.75

0.5/75

---

---

125,0

SBL3030PT

30,0

21,00

30,0

30,0

275,0

0.55

27395

---

1100,0

150,0

SBL3035PT

35,0

40687

35,0

30,0

275,0

0.55

27395

---

1100,0

150,0

SBL3040PT

40,0

28,00

40,0

30,0

275,0

0.55

27395

---

1100,0

150,0

SBL3045PT

45,0

40694

45,0

30,0

275,0

0.55

27395

---

1100,0

150,0

SBL3050PT

50,0

35,00

50,0

30,0

275,0

0.70

27395

---

1100,0

150,0

SBL3060PT

60,0

42,00

60,0

30,0

275,0

0.70

27395

---

1100,0

150,0

Примечание: VRRM - максимальное импульсное обратное напряжение VRMS - действующее значение обратного напряжения VR - максимальное обратное напряжение постоянного тока IO - среднее значение выходного выпрямленного тока (измеряется обычно при 90°C или 100°C) IFSM - пиковое значение неповторяющегося импульса прямого тока, действующего в течение 8.3 мс VFM - падение напряжения в прямом направлении (через "/" указываются два значения - при температуре 25°C и при температуре 100 или 125°C) IRM - максимальное значение обратного тока при допустимой величине VR (через "/" указываются два значения - при температуре 25°C и при температуре 100 или 125°C) TJmax - максимальный верхний предел рабочей температуры dV/dt - скорость изменения напряжения СJ - емкость перехода




. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ
Задача
Известно, что при Т=300 К кремниевый диод pn+-типа, то есть с повышенным уровнем легирования n-области, имеет следующие параметры: Wp=11 мкм; Dn=20 см2с-1; tn=0,2 мкс; А=10-3 см2. Вычислите:

а) избыточную концентрацию электронов в p-области как функцию расстояния от плоскости перехода, считая, что ток I=1,2 мА;

б) электрический заряд, накопленный в нейтральной p-области;

в) номиналы основных элементов эквивалентной схемы диода для малого сигнала при заданном токе I, то есть дифференциального (динамического) сопротивления и диффузной ёмкости.
Решение
а) Диффузионная длина электронов Ln=(Dntn)1/2=(20*2*10-7)1/2=2*10-3 см. Так как Wp=100 мкм, то Wp>Ln; имеем диод с толстой базой. Используя формулы
I=In(xn)+Ip(xn) и Iнас=qni2A(Dn/(NaLn)+Dp/(NdLp)), получаем:

I=In(0)=qADnn’pO(0)/Ln ,
Откуда избыточная концентрация носителя при х=0
n’pO(0)=ILn/(qADn)=1.2*10-3*2*10-3/(1.6*10-19*10-3*20)=7.5*10-14 см-3.
Находим распределение избыточных электронов в нейтральной n-области, по формуле:

n’p(x)=n’pO*e-x/Ln=7.5*10-14e-x/(2*10^-13) см -3 .
б) Определим электрический заряд, накопленный в нейтральной p области по формуле:
Qn=qALnn’pO(0)=1.6*10-19*10-3*2*10-3*7.5*1014=2.4*10-10 Кл.
в) Дифференциальная проводимость определяется как крутизна (пропорциональная тангенсу угла наклона) вольтамперной характеристики диода
tg a=1/r=dI/dU=(Iнасexp(U/UT))/UT=I/UT
откуда находим дифференциальное сопротивление
r=UT/I=21.7 Ом
и в соответствии с уравнением: Сдиф=(Iнасexp(U/UT))/UT=dIu/dU находим диффузную ёмкость:
Сдиф=tpI/UT=8.8 нФ
Ответ
Избыточная концентрация электронов в нейтральной р-области: n’pO(0)= 7.5*10-14 см-3; электрический заряд, накопленный в нейтральной p области: Qn=2.4*10-10 Кл; дифференциальное сопротивление: r=21.7 Ом и диффузная ёмкость: Сдиф=8.8 нФ.

диод шоттки блок питание
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Область применения диодов Шоттки определяется их основными характеристиками:

1) низкое прямое падение напряжение;

2) высокое быстродействие;

) фактическое отсутствие заряда обратного восстановления.

Предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходным напряжением в несколько десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Диоды могут успешно применяться в импульсных источниках питания, конверторах, устройства заряда батарей и так далее.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Росадо Л., Физическая электроника и микроэлектроника, М. - 1991;


. «Идеальные диоды» от компании STMicroelectronics - Джафер Меджахед, Дмитрий Цветков/Новости электроники, 2009, №14;

3. Энциклопедический словарь, М. - 2009.