ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 20.03.2024
Просмотров: 15
Скачиваний: 0
берем температуру чтобы
,
Тогда
Введём новый параметр
=
2-е в ст –Е/тау*dE; 5- х в ст. ½*е в ст. –dX*dx
11. Статистика дырок в собственных полупроводниках.
4*()в стп 3; е в стп -Eg/kBT
12. Закон действующих масс.
е в стп Eg/2*kBT
13. Подвижность электронов и дырок в полупроводниках.
14. Примесные полупроводники. Полупроводники электронного и дырочного типа.
Примесные полупроводники – это полупроводники, электронные свойства которых определяються в основном примесями других элементов.
Легирование – это процесс введения примесей.
Различают 2 вида примесей:
- которые создают електронный тип проводимости – донорный. (примесь мышяк 5 вал п-п кремний 4 вал).
П-п электронного тип (н-типа) – п-п донорной примеси.
-Акцентроный тип проводимости – который создает дырочный тип проводимости. (р-тип)
(п-п кремний 4 вал. +Br 3 вал.)
15. Эффект Холла и коэффициент Холла в полупроводниках.
