ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 20.03.2024
Просмотров: 6
Скачиваний: 0
1 ) підкладка Si – р типу с шаром оксиду
2) перша фотолітографія по шару оксиду
3) методом термічної дифузії вводять домішки n+, окислюють поверхню
4) стравлюють окис та шліфують поверхню
5) на поверхню структури епітаксійно нарощують шар кремнію типу p, окислюють поверхню
6) друга фотолітографія по шару оксиду,
7) методом термічної дифузії вводять домішки n до глибини прихованого шару
,окислюють поверхню
8) третя фотолітографія по шару оксиду
9) термічна дифузія домішок типу р, окиснення поверхні
10) 4-а фотолітографія
11) термічна дифузія домішок типу n+
12) 5-а фотолітографія під контакти
13) металізація сплавом Po2Si-Ti-Al
14) 6 –а фотолітографія – формування контактів
Розробити схему технологічного процесу виготовлення дифузійно-планарної структури напівпровідникових мікросхем.
Відповідь:
Окислена
пластина р-типу дифузія n+
домішки
1-а
фотоліт. на
SiO2 Окиснення Окиснення
Еппітаксійне
нарощувана кремнію p
Стравлення
окису
Термічна
дифузія p типу
окиснення Термічна
дифузія n Окиснення Окиснення
2-а
фотоліт 3
-а фотоліт. на
Al
Окиснення Окиснення
Відпалю-вання контактів Терм
диф. n+
Контроль
електричних параметрів МСХМСХ Розділення
пластин на кристали 4
-а фотоліт. на
Al
5
-а фотоліт. на
Al
Металі
зація Po2Si-Ti-Al
Монтаж
кристала в корпус Випробу- вання ІМС
Герметизація
Монтаж
зовнішніх виводів
Маркування,
упаковка
