ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.03.2024

Просмотров: 84

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

I Á

I K

IÅÁ0

I0

IEp , IEn

T

pn0

pÁÅ

pÁK

x

IKp

IKêåð

М

h21Á

h21E

Uï ðî á

IÁðåê

IKE0

струм бази

струм колектора

зворотний(тепловий) струм емітера

зворотний(тепловий) струм колектора

–діркова, електронна складова емітерного струму

температурний потенціал

коефіцієнт інжекції

рівноважна концентрація дірок як неосновних носіїв (у базі)

концентрація дірок у базі біля емітерного переходу

концентрація дірок у базі біля колекторного переходу

координата активної області бази

дірковий струм колектора

коефіцієнт перенесення носіїв через базу

керована складова колекторного струму

коефіцієнт множення носіїв у колекторному переході

статичний коефіцієнт передачі струму емітера в схемі зі спільною базою

статичний коефіцієнт передачі струму бази в схемі зі спільним емітером

напруга пробою на колекторному переході

рекомбінаційна складова базового струму

некерована складова колекторного струму в схемі зі спільним емітером

260


h21K

– статичний коефіцієнт передачі струму бази в

 

схемі зі спільним колектором

Uâõ,Uâèõ

– вхідна та вихідна напруга

Iâõ, Iâèõ

– вхідний та вихідний струм

U ÁK

– напруга між базою і колектором

RT

– тепловий опір

PK max

– максимальна потужність, що розсіюється

 

колектором

ÅÏ , ÊÏ

– товщини емітерного та колекторного

 

переходів

h11

– вхідний опір

h12

– коефіцієнт зворотного зв’язку

h21

– коефіцієнт передачі струму

h22

– вихідна провідність

rE

– диференціальний опір емітерного переходу

rK

– диференціальний опір колекторного

 

переходу

rÁ

– розподілений (об’ємний) опір бази

 

– диференціальний коефіцієнт передачі

 

струму емітера

Cp

– ємність роздільного конденсатора

EE

– ЕРС емітерного джерела живлення

EK

– ЕРС колекторного джерела живлення

I n

– струм, що протікає через роздільник

 

напруги

Râõ, Râèõ

– вхідний та вихідний опори каскаду

KU , KI , K p

– коефіцієнти підсилення напруги, струму,

 

потужності

261


RÃ

– опір джерела вхідного сигналу

RÍ

– опір навантаження

j

– уявна одиниця

 

– циклічна частота

fT

– частота зрізу транзистора

CK

– бар’єрна ємність колекторного переходу

E

– напруженість електричного поля

h21EC

– коефіцієнт передачі струму складеного

 

транзистора

I óâ³ì êí , Iâèì êí

– струм увімкнення, вимкнення

U ÑÂ

– напруга між стоком та витоком ПТ

U ÇÂ

– напруга між затвором та витоком ПТ

I ç , Iñ

– струм затвора, стоку ПТ

UÇÂ

– напруга відсічки на затворі

â³äñ

 

UÊ

– контактна різниця потенціалів

δ

– товщина р-n – переходу

wк

– ширина каналу

RÊ

– опір каналу

LÊ

– довжина каналу

Uсвпер

– напруга перекриття каналу (на стоці)

U

– напруга між стоком і затвором ПТ

SÏ Ò

– крутість польового транзистора

riпт

– внутрішній опір ПТ

µпт

– статичний коефіцієнт підсилення напруги

σ

– питома електропровідність

рі, ni

– власна концентрація дірок

Іспоч

– початковий струм стоку

µт

– рухомість носіїв залежно від температури

rксер

– середній опір каналу

262


CÇÂ , CÑÂ , CÑÇ

ωз

Q’0’,Q’1’

UА, ІА

RÍ

h21б

Uââ³ì êí

Iâèì êí

Uï î ð

Ф

Sô

Iô

IT

Eô

ємність між затвором і витоком, стоком і витоком, стоком і затвором ПТ

гранична частота ПТКП (частота затвора)

нульовий та одиничний заряд потенціальних ям ПЗЗ

анодні напруга, струм

опір навантаження

статичний коефіцієнт передачі струму емітера БТ в схемі зі спільною базою

напруга ввімкнення тиристора

струм вимкнення (утримування) тиристора

порогова напруга

світловий потік

інтегральна світлочутливість фотоприймача

фотострум

темновий струм

фотоЕРС

263


Список скорочень

ВАХ – вольт-амперна характеристика ВД – випрямний діод ВЗ – валентна зона ЗЗ – заборонена зона ЗП – зона провідності

ЕРС – електрорушійна сила НП – напівпровідник ОД – обернений діод ТД – тунельний діод

ТКН – температурний коефіцієнт напруги АР – активний режим БТ – біполярний транзистор ЕП – емітерний перехід ІР – інверсний режим

КП – колекторний перехід РВ – режим відсічки РН – режим насичення

ССБ – схема зі спільною базою ССЕ – схема зі спільним емітером

ССК – схема зі спільним колектором ККД – коефіцієнт корисної дії МДН – метал-діелектрик-напівпровідник МОН – метал-окис-напівпровідник НПП – напівпровідниковий прилад ПЗЗ – прилад із зарядовим зв’язком ПТ – польовий транзистор

ПТКП – польовий транзистор з керувальним p-n – переходом

264

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1 Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

2 Булычѐв А.Л. Электронные приборы. – М.: Воениздат,

1982. – 416 с.

3 Васильєва Л.Д., Медведенко Б.Г., Якименко Ю.І. Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ видавництво «Політехніка», 2003. – 388 с.

4 Воронков Э.Н. Твердотельная электроника doc. М.:

МЭИ, 2002. – 181 с.

5 Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера, 2008. – 478 с.

6 Гусев В.А. Твердотельная электроника. – М.: СевНТУ,

2004. – 635 с.

7. Евецкий В.Л., Новиков В.Ф. Электронные приборы и основы микроэлектроники: Основы микроэлектроники / Ч.II: Конспект лекций. – Киев: КВИРТУ ПВО, 1988. – 280 с.

8 Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог,

2004. – 121 с.

9 Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 433 с.

10 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М,: Энергия, 1987. – 672 с.

11 Шкаев А.Г. Твердотельная электроника. Конспект лекций. Омск, изд. ОмГТУ, 2009. – 224 с.

12 Щука А. А. Электроника – СПб: БХВ – Петербург,

2008. – 752 с.

265