Файл: Методичка_РГР_ПАЭ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 25.03.2024

Просмотров: 45

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

53

Исходя из рассчитанных коэффициентов усиления по напряжению входного каскада и каскадов предварительного

усиления уточняем значение KU' .

Производим уточнение коэффициента усиления по напряжению каскадов, охваченных обратной связью K OC' и коэффи-

циента глубины обратной связи ' .

K

'

 

 

KU

,

 

 

OC

 

 

 

 

 

 

 

K

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

K

'

 

 

K1K 2

.

ОС

 

 

 

1

' K K

2

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

Рассчитываем элементы обратной связи, приведенной на рисунке 8.3.

 

 

+Ek

R1

 

С1

 

Uвых

 

 

Uвх

VT1

 

R2

Сэ

Roc

R’э

Рисунок 8.3 – Введение элементов обратной связи в схему усилительного каскада ОЭ


 

 

54

 

 

Задаемся

величиной сопротивления

R'

(30 75) Ом .

 

 

 

 

Э

 

По формуле

 

 

 

 

 

 

'

 

 

 

'

 

RЭ

,

 

 

R'

 

 

 

 

R

 

 

 

Э

OC

 

 

производим расчет сопротивления обратной связи ROC .

55

9 Расчет элементов связи

Целью данного расчета является определение величин разделительных и блокировочных конденсаторов. Наличие реактивных элементов приводит к завалу АЧХ в области низких частот и, соответственно, к возникновению сдвига фаз между входным и выходным сигналом. В то же время, согласно заданию на проект, величина фазового сдвига не должна превышать

н . Обеспечить это требование можно правильно распределив допустимые значения фазовых сдвигов, а именно

выхк 0.3 н - для выходного каскада;

пк (0.2 0.5) н - для предоконечного каскада;

вхк н выхк пк - для входного каскада; где н - заданное допустимое значение фазового сдвига на

весь усилитель.

Допустимый фазовый сдвиг i , вносимый одним реактивным элементом в любом каскаде определяется соотношением

i к

N

где N - число реактивных элементов в каскаде;

к - допустимый фазовый сдвиг в данном каскаде.

С учетом выбранного распределения фазового сдвига емкости разделительных конденсаторов рассчитывают по формуле

Cpi

1

 

,

 

 

 

2 f R't g

 

 

н

i

 

 

где R' R

R

,

 

вых

 

вх

 


56

Rвых - выходное сопротивление предыдущего каскада; Rвх - входное сопротивление каскада (либо нагрузки); fн - нижняя граничная частота заданного диапазона.

Величина блокировочного конденсатора в цепи эмиттера транзистора рассчитывается по формуле

Cэi

 

 

1

,

 

 

2 fн Rэi t g i

 

 

 

где Rэi

- сопротивление в цепи эмиттера.

Допустимое рабочее напряжение на конденсаторах выбирают из условия

Uс доп (1.1 1.2)Ек

где Ек - напряжение питания каскада.

Полученное значение Uс доп округляется в сторону большого стандартного значения для типовых напряжений.

57

Приложение А

Варианты заданий на курсовую работу.

Ес

(fн-fв)

φн

 

Ом

В

Ом

мВ

Гц

град

°С

1

12

8

1000

4

30-14000

10

0-60

2

8

10

300

5

20-20000

20

0-50

3

14

10

200

2

400-15000

15

0-40

4

10

5

500

1

20-17000

20

0-70

5

18

10

100

5

30-15000

15

0-50

6

20

21

50

10

200-5000

25

0-70

7

5

8

100

3

30-15000

30

0-50

8

7

6

1000

1

90-10000

25

0-60

9

16

7

200

2

200-14000

20

0-60

10

8

12

800

4

80-2000

10

0-50

11

6

9

2500

6

60-8000

15

0-40

12

12

10

1000

2

20-18000

15

0-50

13

18

20

1500

15

25-7000

20

0-60

14

7

10

200

3

30-19000

30

0-70

15

15

11

500

4

30-16000

20

0-50

16

10

10

3000

10

200-15000

25

0-70

17

5

7

500

5

40-20000

30

0-50

18

1

4

50

2

300-5000

15

0-40

19

2

6

2500

8

80-10000

10

0-40

20

10

5

300

2

40-20000

30

0-50

21

13

13

4000

10

100-2000

20

0-60

22

2

5

1000

1

30-17000

15

0-60

23

5

10

5000

7

70-12000

25

0-40

24

12

15

4000

6

400-10000

10

0-60

25

15

6

3000

2

40-10000

20

0-40


58

Продолжение приложения А

Ес

(fн-fв)

φн

 

Ом

В

Ом

мВ

Гц

град

°С

26

20

7

200

5

30-14000

15

0-50

27

2

4

4500

5

250-8000

25

0-70

28

9

7

1000

13

70-8000

20

0-70

29

3

6

900

4

35-75000

30

0-60

30

10

11

100

3

400-16000

15

0-70

31

20

15

5000

5

50-10000

20

0-50

32

20

11

100

3

200-15000

30

0-60

33

16

12

2000

2

25-18000

25

0-50

34

3

7

200

12

350-9000

20

0-40

35

10

12

600

5

50-8000

15

0-50

36

12

9

500

4

250-18000

20

0-70

37

18

14

3500

3

30-18000

15

0-40

38

12

4

350

3

200-12000

10

0-60

39

10

8

600

10

40-18000

15

0-70

40

18

9

800

4

300-20000

20

0-60

Rн – сопротивление нагрузки;

Uн – номинальное выходное напряжение;

Rг – внутреннее сопротивление источника сигнала; Ес – величина ЭДС источника сигнала;

fн-fв – диапазон усиливаемых частот; φн – допустимый фазовый сдвиг;

tв – диапазон рабочих температур.


 

59

 

 

Приложение Б

 

 

Характеристики транзисторов.

 

 

КТ 815

 

Uкэо

- максимально допустимое

 

 

напряжение коллектор-эмиттер, В.

 

 

КТ 815А

40

 

КТ 815Б

50

 

КТ 815В

70

 

КТ 815Г

100

Iкmax

- максимально допустимый

 

 

постоянный ток коллектора, А.

1,5

Pкmax

- постоянная рассеиваемая

 

 

мощность коллектора с теплоотводом, Вт.

10

 

при повышении температуры выше 25°С, мощность

 

уменьшается на 0,1 Вт/°С

 

Pкmax

- постоянная рассеиваемая

 

 

мощность коллектора без теплоотвода, Вт.

1

 

при повышении температуры выше 25°С, мощность

 

уменьшается на 0,01 Вт/°С

 

h21э

- статический коэффициент передачи

 

 

тока биполярного транзистора

 

 

в схеме с общим эмиттером

 

 

КТ 815А, КТ 815Б, КТ 815В

40

 

КТ 815Г

30

Iкбо

- обратный ток коллектора, мА

0,05

Ткmax

- максимальная температура перехода, °С

125