ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.03.2024
Просмотров: 48
Скачиваний: 0
10
Номинал резисторов R5 (R6)
R5 R6 (2 5)Rвх бэ4 .
После расчета необходимо выбрать значения сопротивлений в соответствии с рядом номинальных значений (Приложение В).
Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току.
Ток покоя эмиттера транзистора VT2 (VT3)
I |
оэ2 |
I |
об4 |
|
Uоб4 |
. |
||||
|
|
|||||||||
|
|
|
|
R5 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Амплитудное значение тока эмиттера транзистора VT2 |
||||||||||
(VT3) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iэм2 |
|
|
Uбм4 |
|
. |
|
||||
R5 |
Rвх бэ4 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||
Примем |
|
I к м2 I эм2 . |
||||||||
Аналогично выбору выходных транзисторов выбираем VT2 (VT3). Транзисторы подходят, если выполняются неравенства:
P Рн I бм4 ,
к доп |
I к м4 |
|
|
Uк э доп 2Eп , |
|
I к доп I к мак с I к м2 I ок 2 I эм2 I оэ2 . |
|
Для построения линии нагрузки по постоянному току транзисторов VT2 (VT3) выбираем следующие координаты (рисунок 2.4).
А' (I oк 2, Еп Uoб4),
А" (I oк 2 I к м2, Еп Uoб4 Uк м2),
|
11 |
|
где Uк м2 Uк м 4 |
Uбм 4 . |
|
Ik |
|
|
А" |
Iб2 макс |
|
|
||
|
км2 |
|
|
|
макс I |
|
|
|
к2 |
|
|
|
I |
|
|
|
А' |
|
|
к2 |
Iоб2 |
Uкэ |
|
o |
|
|
|
I |
|
|
0 |
Uкм2 |
|
|
|
|
|
Eп-Uоб4 |
|
Рисунок 2.4 – Построение нагрузочной прямой транзисто- |
||
ра VT2 (VT3) |
|
|
Переносим нагрузочную прямую на входную характери- |
||
стику (рисунок 2.5). |
|
|
|
Iб |
|
Uкэ 0 |
|
|
|
|
|
|
А" |
|
|
2макс |
бм2 |
|
|
|
I |
|
|
|
|
бм |
|
А' |
|
|
I |
|
|
|
|
б2 |
|
|
|
o |
|
|
|
I |
|
Uбэ |
|
|
|
|
|
0 |
Uоб2 |
Uбм2 |
|
|
||
|
|
Uбм2 макс |
|
Рисунок 2.5 – Определение параметров входного сигнала транзистора VT2 (VT3)
12
По графикам (рисунки 2.4, 2.5) определяем для транзисто-
ров VT2 (VT3):
Uбм 2 - амплитудное значение напряжения на базо-
эмиттерном переходе;
Uоб2 - напряжение покоя базы;
I бм2 - амплитудное значение тока базы; I об2 - ток покоя базы.
Определение основных параметров каскада, собранного на
VT2, VT3, VT4, VT5.
Входное сопротивление транзистора VT2 (VT3)
Rвх бэ2 Uбм2 . I бм2
Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на VT2, VT4
R |
R |
(R |
|
) |
Iкм2 |
R |
Iкм4 |
. |
|||
R |
|||||||||||
|
|
||||||||||
вх 2.4 |
вх бэ2 |
5 |
вх бэ4 |
|
I |
бм2 |
н I |
бм2 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на VT3, VT5
R |
R |
R |
I к м5 |
. |
|
|
|||||
вх 3.5 |
вх бэ3 |
н I |
бм3 |
||
|
|
|
|
||
Амплитудное значение входного напряжения: - верхнего плеча (VT2, VT4)
Uвх м2 Uбм2 Uбм4 Uк м4 , - верхнего плеча (VT3, VT5)
Uвх м3 Uбм3 Uк м5 .
Ток покоя эмиттера транзистора VT1
I оэ1 I од VD (2 3)I об2 .
Если I оэ1 1mA принимаем I оэ1 (1 10)mA .
13
Требуемое падение напряжения Uод на диодах VD1 (VD2) при токе I од VD
Uод 2Uоб2 Uоб4 .
Для определения количества диодов в цепи смещения воспользуемся прямой ветвью вольт-амперной характеристики диода (рисунок 2.6).
Iпр |
|
|
одVD |
|
|
I |
|
|
Uпр |
0 |
0 |
|
Uод |
Рисунок 2.6 – Определение количества диодов по прямой ветви вольт-амперной характеристики диода
Nд Uод , Uод0
где Uод0 - падение напряжения на одном диоде при прямом токе I од VD .
Полученное значение Nд округляется в большую сторо-
ну.
Величина сопротивления R3
R3 2Eп Uод .
2I од VD
14
Выбираем транзистор VT1. Транзисторы подходят, если выполняются неравенства
Uк э доп 2Eп
I к доп 3I оэ1.
Входное сопротивление верхнего плеча с учетом R3
Rвх верх R3 Rвх 2.4 .
Входное сопротивление нижнего плеча с учетом R3
Rвх нижн R3 Rвх 3.5 .
Среднее входное сопротивление плеч
Rвх 0.5(Rвх ниж н Rвх верх ) .
Величина сопротивления R4:
R4 UR4 ,
I оэ1
UR4 2Eп (0.1 0.3) .
Значение тока базы покоя транзистора VT1
I об1 |
|
I |
оэ1 |
, |
|
h21э мин |
|||||
|
|
|
|||
где h21э мин - минимальный коэффициент передачи тока
базы.
Ток делителя
I од (2 5)I об1.
