Файл: Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.03.2024
Просмотров: 87
Скачиваний: 2
Гuша/V Принцилы построения действующих и перспектинных )'( трои тв \10.7 ..электроники
ционными электроннымисистемами, использующимисяв насто
ящее время. То есть всегда необходимыпреобразователисигнала из одной формы в другую, позволяющиеперерабатывагьинфор мацию в системах, состоящих из нескольких частей, каждая из которых работаетна основе различных физическихпринципов и
оперирует принципиальпоразными типами сигналов.
Устройствапреобразованиясигнала частичноуже обсуж дались в предыдущих параграфах этой главы. Например, в п.4.2 изложены основные возможные способы иреобразованиясигна ла из химической формы в электрическую. В таб.4.3 отражены основныетипы и некоторыеконкретныепримеры преобразовате лей. Кроме того, запись оптическойинформациив молекулярные системы памяти, обсуждавшаясяв п.4.3, тоже является преобра зовапием сигнала из одной формы в другую.
Другаясторонаэтой проблемы- построение систем вы вода и отображения информации -- тоже может быть решена с помощью устройств молекулярнойэлектроники.Для этого раз рабатываютсяустройствадвух типов, которые могут лечь в ос нову построениясверхтонкихмониторов.Первыйтип - )ТО уже упоминавшиеся в 4.1 ориентирующие подложки для жидкокри сталлических паиелей. Помимо пассивной роли, такая подлож ка может служить для вывода информации на экран, изменяя его отражательные свойства. Так были получены "электронные таб летки"- экраны небольшого размера из специальных киральных
жидких кристаллов, которые могут менять тип симметрии в зави
симости от ориентации подложки, меняя при этом окраску за счет
изменения Брегговского отражения. Любое воздействие на ориен тирующую подложку, способное менять ее упорядоченность, на пример, вызывая конформационные перестройки, влечет за собой перестройку жидкокристаллической пленки. Такие таблетки на полиимидной и других подложках позволяют записать с помощью лазера и отобразить очень большой объем информации, в резуль тате чего они получили название "газеты будущего".
Очень перспективным материалом для таких структур ЯВ ляются азо-красители. Если азо-краситель растворен в полимер-
157
Физические основы молекулярной электроники
ной матрице, сотавляющей ориентирующую подложку, то при ос вещении такой структуры поляризованным светом происходит транс-цис конформациопная перестройка молекул красителя в по лимерной матрице. Это, в свою очередь, за счет дисперсионных
сил вызывает значительное изменение структуры нанесенного
сверху жидкого кристалла. Ориентация является стабильной и может быть мгновенно изменена за счет соответствующего излу чения. Такие структуры могут создаваться и на гибкой полимер ной подложке, что делает их еще более удобными для использова ния. Они также являются кандидатами на применение в качестве хранилищ информации с большой плотностью записи.
Второй тип устройств отображения информации - это активные излучающие устройства на основе р-n переходов, со зданные из органических материалов. В настоящий момент суще
ствует три основных подхода к построению светодиодов из орга
нических материалов: создание тонких пленок путем осаждения
органических молекул из вакуума, нанесение пленок органичес
ких полимеров с помощью центрифуги и, наконец, технология ПЛБ. Оптимизация каждого из подходов по контроллируемости параметров получаемых устройств, по их производительности и цене решит, какой из подходов будет в будущем применен в се рийных приборах.
Органический светодиод - это многослойная структура, пример которой показан на рис. 4.18. Она состоит из двух элект родов с одним или более органическимислоями между ними. От рицательный электрод инжектируетв структуру электроны, кото рые затем "стекают" через положительныйэлектрод. Однако удоб нее рассматривать положительный электрод как эмиттер дырок. Электроны и дырки должны попасть в излучающий слой и обра зовать там локализованныеэкситоны. Образованиюэкситоновспо собствует наличие в этом слое электронныхловушек. Затем экси
топы распадаются, в результате чего происходит излучение света.
Следовательно, используемая структура должна быть построена так, чтобы выполнять функции инжекции и транспорта носите пей заряда, а также создания и распада экситонов. Инжекция НО-
158
Глава /1/ Принципы построения действующих и перспективных устройств .'110.7 электроники
Катод Излучающий слой
Слой транспорта дырок- |
|
|
Оксид индия-олова - |
~~m~~~~~~~~~~~~~~l |
|
Стекло |
I~ |
_ |
Рис.4.18. Структура светодиода на основе органических материалов
сителей обычно определяется относительным сродством к элект ронам. Большинство металлов могут инжектировать дырки в орга нические материалы, так как имеют более высокое сродство к элек трону. Обычно в качестве инжектора дырок используется прозрач ный слой оксида индия-олова, который способен пропускать из лучаемый свет. В последнее время было получено значительное
улучшение характеристик светодиодов за счет применения поли
мерных положительных электродов на основе полианилина. От рицательный электрод должен иметь более низкое сродство к элек трону, чем основной светоизлучающий слой. Это условие обеспе чить намного труднее. Ранее для этого электрода использовался кальций. Но его высокая реакционная способность ограничивала надежность получавшихся устройств. В последнее время были
созданы органические материалы с очень высоким сродством к
электрону, которые способны работать с алюминиевым отрица
тельным электродом.
После того как электроны и дырки инжектированы в уст ройство, органические материалы обеспечивают их транспорт, а также рождение и распад экситонов. Устройства, в которых в ка
честве излучающего и проводящего дырки слоев используются
различные органические пленки, напыленные из вакуума, иссле-
159
Физические основы молекулярной электроники
дуются с 1987 г. Достигнут значительый прогресс в получении высоких значений эффективности светодиодов, в понижении рабочих напряжений, а также в выборе цвета излучения. Из-за слишком большой ширины линий экситонной люминесценции
последнего удалось достичь только с помощью построения
структур типа интерферометра Фабри-Перо с подстройкой цве та излучения за счет изменения толщины устройства. В резуль тате были получены устройства с эффективностью несколько Люмен на Ватт и со сроком службы в несколько тысяч часов.
Начиная с 1990 г. исследуются светоизлучающие струк туры на основе полимерных материалов, в основном поли-фе пиленвипилена. Такие пленки одновременно выполняют роль излучающего элемента и функцию транспорта дырок от поло жительного электрода. В результате падает необходимость ис польэоваиия дополнительного слоя. Устройства с использова нием полимерных пленок обходятся гораздо дешевле, чем с мо
лекулярными пленками, 110 их производительность также су
шественно уступает производительноси последних. Химичес кое молифицирование полимерных пленок позволяет, как и в случае с молекулярными пленками, добиваться изменения цвета свечения. В результате были получены излучательпые устрой ства с эффективностью до нескольких Люмен на Ватт, однако
они в десятки раз менее долговечны, чем аналоги на молеку
лярных пленках.
Альтернативным подходом к созданию устройств на основе полифеииленвипилепа и его производных является ЛБ технология. IlJIБ ЯВJIЯIОТСЯ удобным материалом благодаря хо рогпей контролируемости толщины и ориентации слоев. Кро ме того В Л Б технологии расходуется на порядок меньше по
пимериого вешества-осповы, являющегося на настоящее вре
м я очен ь лорогостояшим. Были исследованы различные ва рианты усл ройств на основе псполимсризовапных и полиме ризо ванны х ПЛ Б различного состава. Получены различные
пвста изиучеиия.
160
Глава /V ПРll11111111bl построения действующих и перспективных устройств.\10.7. электроники
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Для резкого повышения степени интеграции, быстродей ствия и расширения функциональных возможностей существу
ющих интегральных схем микро- и оптоэлектропики в начале
70-х годов назрела необходимость поиска новых физических принципов передачи, хранения и переработки информации. Фак тически это время совпадает с рождением новой области науки и техники - молекулярной электроники. Поисковые работы ве дущих центров молекулярной электроники в основном направ
лены на создание трехмерных интегральных схем на основе орга
нических макромолекулярных систем. Здесь имеются в виду как теоретические работы по разработке принципов запоминания, переработки и передачи информации на молекулярном уровне, так и экспериментальные работы по созданию молекулярной схемотехники, синтезу элементов сложных молекулярных цепей и новых органических и биоорганических соединений. Однако,
приходится констатировать, что многочисленные умозрительные
предложения в этой области, выдвинутые за послелине двадцать лет, либо остались нереализованными, либо привели к созданию моделей устройств молекулярной электроники. пока не способ
ных конкурировать с существующими микроэлектропными ана
логами.
Мы рассмотрели и другой, более реальный в настоящее время путь -- использованиеуже развитой ппанариойтехнологии
изготовленияполупроводниковыхсхем и созданиеслоистыхструк
тур полупроводник-диэлектрикИ3 неорганических полупровод
ников и адсорбированныхна их поверхностиорганических:\10J1~ кул или полимолекулярныхслоев. В этом направлении наиболее перспсктивныминам представляютсяработы 110 созданию прип ципиально новых элементов памяти и сенсорных систем (так на зываемые комбинированные сенсоры), которые детально рассмот рены в заключительной главе книги.
161
Физические основы молекулярной электроники
Элементы молекулярной электроники, построенные по пла нарной технологии, включают в себя развитые межфазные грани цы. Подобные системы являются удобной моделью для исследо вания процессов переноса энергии и заряда, флуктуационных про цессов, поверхностных бифуркаций (нестабильностей) и др. Эти физические явления могут в значительной степени определять функционирование устройств нанометрических размеров для за писи, хранения и переработки информации. Изучение флуктуаци онных и размерных эффектов в нанометрических структурах, от крывает возможности создания принципиально новых информаци онных сред. Это дает дополнительный импульс в развитии элект роники молекулярных систем, а также твердотелъной нано- и кри
оэлектроники.
162