ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 06.04.2024
Просмотров: 52
Скачиваний: 0
У триодов обоих типов пробивное напряже ние не выше 3—5 в, а рассеиваемая мощность не превышает 25—50 мет. В поверхностно барьерных и микросплавных триодах велика угроза прокола, так как для достижения не обходимых пробивных напряжений ис.ходный материал должен иметь высокое удельное сопротивление. В германии с низким р на пряжение ІІароб составляет десятые доли вольта. Это исключает его применение в про изводстве микросплавных триодов.
М и к р о с п л а в н о й т р а н з и с т о р с
д и ф ф у з и о н н ы м и б а з о й и к о л л е к |
|
т о р о м. |
Микросплавной транзистор с диффу |
зионной базой (МАДТ) получают с использо |
|
ванием тех же методов, что и дрейфовый |
|
триод. Однако диффузия в нем зедется либо |
|
на электрохимически вытравленном кристал |
|
ле, либо |
до травления. Контакты микро |
сплавные.
Оригинальное конструктивное решение германиевого триода с диффузионным коллек тором представлено на рис. 23. Такой триод имеет следующие параметры: /пер= 0,5 а; Рмакс—2 вт\ Гнао==Т7 ОМ\ /макс—850 МіЦ\ UK.6=25 в. Транзистор этого типа можно по лучить по технологии, включающей диффузию со стороны коллектора, электрохимическое травление, осаждение контактов и их вплавление на заданную глубину (микросплавление}, а также химическое обтравливание перехода по типу мезаетруктуры. Так как эмиттер на ходится не в плоскости базы, базовый вывод можно разместить на поверхности с высокой проводимостью недалеко от эмиттера. Это
U
обусловливает малые значения г0.б. Эмиттерный переход находится в области с более вы соким рб, ближе к коллектору, что обеспечи
Рис. 23. Разрез микросплавно го транзистора с диффузион ным коллектором.
вает оптимальное напряжение пробоя и хоро шие частотные характеристики.
В приборе сочетаются лучшие качества высокочастотных транзисторов. Травление лунки на заданную глубину позволяет подво дить коллекторный контакт ближе, чем в лю бом другом транзисторе, и заменять массу кристалла в области коллектора массой ме талла. Благодаря мезаплошадке площадь коллекторного перехода Sn и его емкость ма лы. Такая конструкция коллектора позволяет значительно улучшить теплоотвод и повысить высокочастотные свойства прибора.
Опытный микрослойный триод является разновидностью усовершенствованного поверх ностно-барьерного транзистора. На вытрав ленный кристалл с перемычкой шириной 0,25 мкм с двух сторон наносят эпитаксиаль ный слой германия с проводимостью, близкой к собственной (Бтип). После покрытия лунок
7 2
электролитическим путем индием или кадмием производят микровплавление. В данном слу чае база состоит из трех слоев — і-п-і. Соот
ношение |
непосредственно под эмиттером |
Рбг
значительно меньше, чем для однослойной высокоомной базы. Это повышает эффектив ность эмиттера у и, следовательно, увеличи вает коэффициент усиления по току. Чтобы ограничить распространение объемного заря да, прослойка п-типа может иметь низкое удельное сопротивление. Расчетная частота микрослойного транзистора— до 10 Ггц.
Вначале сплавной и поверхностно-барьер ный триоды получали различными технологи ческими путями. Конструкция, структура пере ходов, характеристики этих двух типов тран зисторов различны. «Потомки» этих транзи сторов— дрейфовый мезатриод с микросплавным эмиттером и микросплавной мезатриод с диффузионным коллектором не имеют прин ципиальных различий.
И хотя теоретические возможности триодов этого типа велики, требования микроэлектро ники, переход к монолитным твердым схемам делает их малоперспективными. Предпочтение отдается эпитаксиальным планарным транзи сторам.
Транзисторы, работающие на основных носителях
Примерно с 1950 г. начались конструктив ные поиски транзистора, который полностью был бы аналогом лампового триода с высоким
73
коэффициентом усиления и высоким входным сопротивлением.
Широко распространенные в то время то чечные триоды были нестабильными, с малым гвх и во всем, кроме габаритов и экономично сти питания, уступали лампам. Первые сплав ные триоды (1951 г.) работали на частотах в несколько десятков килогерц и тоже имели не большое входное сопротивление.
В 1952 г. Шокли разработал конструкцию транзистора, работавшего на основных носите лях, и назвал его униполярным, т. е. имеющим во всем триоде носители одного знака. Перве
нец этого |
класса приборов — канальный |
триод — часто |
называют полевым транзисто |
ром. Полевыми называют все приборы, у ко торых ток модулируется электростатическим полем управляющего электрода. Все они в гой или иной мере являются аналогами элек тронной лампы.
Практика показала, что полевые триоды на неосновных носителях, задуманные как более совершенные приборы, не могли заменить то ковые плоскостные триоды. На основе трио дов, работающих на неосновных носителях, были созданы новые схемы инверторов, триг геров, регистров сдвига, появились схемы с непосредственной связью — без сопротивлений и конденсаторов. Новейшие канальные трио ды, которые являются сейчас основой произ водства полупроводниковых приборов в Япо нии и Франции, по своим достоинствам во многом превзошли электронные лампы. Но и они не стали их полными аналогами, Луч шие канальные гриоды для логических
74
ячеек — это триоды на неосновных носителях. Наиболее простой современный канальный триод (рис. 241 представляет собой кристалл (брусок) кремния или германия, который
Рис. 24. Конструкция и схема включения каналь ного триода:
К — катод; А —■анод; С — сетка; пунктиром показана область, занятая объемным зарядом.
посредине, в месте вплавления выпрямляюще го контакта — затвора — утончен, а по краям имеет два омических контакта — исток (ка тод) и сток (анод). Переход — затвор — вклю чен в обратном направлении, поэтому на вхо де прибор а имеет высокое значение: несколько мегом. Управление полем сводится к модуляции ширины перехода затвора, т. е. ширины области кристалла, где находится за крепленный в узлах решетки пространствен ный заряд, а свободные носители тока почти - отсутствуют. Увеличение напряжения затвора приводит к расширению этой области за счет
75
остальной части кристалла. При этом эффек тивное сечение, через которое течет ток, уменьшается, сопротивление растет и выход ной ток падает. Другими словами, поле пере хода оттесняет электроны, оставляя им для прохода узкий канал. Если напряжение затво ра понизится, переход сузится и ток на выходе возрастет.
Управление сигналом, поданным на вход, будет эффективным тогда, когда изменение ширины перехода соизмеримо с шириной са мого бруска. Поэтому канальные триоды изго товляют из высокоомного материала — герма ния с р— 2—20 ом-см. При небольших изме нениях напряжения это обеспечивает значи тельное приращение ширины перехода, вплоть до полного запирания канала.
Несмотря на то, что на выходе прибора переходы отсутствуют, высокое сопротивление кристалла способствует повышению входного сопротивления (до 1 Мом). Усилительные свойства канального триода, так же как и ва куумной лампы, характеризуются крутизной
S — —гг— • Иногда, согласно транзисторной
ДНвХ |
г, |
д г |
теории, считают, |
Л/ вых |
|
что е> = |
— . |
|
В канальном |
триоде |
А7 вх |
носители движутся |
в электрическом поле. При расстоянии между
истоком |
и стоком 1= 1 мм и |
Дси=10 |
в имеем |
£ = 1 0 0 |
в/см, tnр=2,5-10~7 |
сек. Для |
такого |
fnp ширина базы сплавного триода должна быть 0,1 мкм, что практически невозможно. В идеальном случае канальный триод должен работать на частотах до 10 Ггц. Скорость про-
7 6
лета. носителей увеличивается за счет повы шения напряжения на контактах и уменьше ния длины канала I. Время установления за ряда, определяемое входной емкостью, зави сит от площади перехода.
Своеобразное решение проблемы емкости было найдено при разработке схемы транзи стора, названного текнетроном. Это каналь ный триод цилиндрической формы с кольцевой проточкой — горловинкой, на поверхности ко торой электролитическим путем нанесен узкий слой индия.
Входная емкость текнетрона около 0,1 пф. В нем значительно уменьшена обратная связь на распределенном сопротивлении между ка тодом и каналом. Эта часть кристалла явля ется общей для входной и выходной цепей так же, как база плоскостного триода в схеме с общей базой. В канальном триоде обратная связь отрицательна. Падение напряжения на распределенном сопротивлении Rvao имеет по лярность («—» на истоке, «-f» у затвора), по вышающую потенциал затвора. При отрица тельном значении Д UBS сужение канала при водит к уменьшению Д /вх и добавочного вну треннего напряжения. Если в начальный мо мент ширина перехода, определяемая внешней и внутренней составляющими,
% s = * о s V Ü внеш + ІвхЯраа
то после подачи на вход сигнала ДУВХ полу чим
*^2' “ -^ір V ( f J внеш “Н Д Е 'бх) |
IßxRpac |
Д / в х^?рас > |
77
где ход — ширина слоя объемного заряда при отсутствии сигнала.
Очевидно, разность &х=хга—*is без об ратной связи оказалась бы больше, т. е. уси ление выше.
В текнетроне удельное сопротивление гер мания постепенно изменяется вдоль образца; р катода примерно в 3000 раз меньше р ано да (п+-п структура). Горловинка помещается как можно ближе к катоду. Таким образом, /?Рао приближается к минимуму, а участок между затвором и стоком представляет собой высокое сопротивление. Рабочее напряжение текнетрона 30—90 в, максимальная частота около 1 Ггц.
Сконструирован опытный текнетрон с тре мя электродами на горловинке. Центральный электрод — сетка, а два прилегающих к нему электрода — фокусирующие электростатиче ские «линзы». У такого текнетрона макси мальная частота усиления достигает 5 Ггц.
Планарная диффузионная технология поз волила получить многоканальный (много стержневой) кремниевый текнетрон. Сквозь вытравленную решетку в окисном слое про изводится диффузия акцепторов в кристалл п+-п структуры. В «-области примеси перекомпенсируются с образованием решетки р-типа, которая служит затем сеткой.
Вобычном канальном триоде канал иногда искажается дырочным током.
Ввысокоомном электронном полупровод нике дырочным током, состоящим из неоснов
ных равновесных носителей, генерируемых в объеме образца, можно пренебречь. Если к
7 8