Файл: Арифов У.А. Угловые закономерности взаимодействия атомных частиц с твердым телом.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.04.2024
Просмотров: 122
Скачиваний: 0
(V.18>
где Er — энергия Ридберга, равная 13,6 эв; а — радиус экраниро вания (он обычно намного меньше, чем расстояние между рядами
атомов 26); d — расстояние между атомами рядов
амплитуда отклонения частицы от оси канала.
Рассмотрение поведения потенциала канала в случае более тяжелых ионов показало, что он ведет себя совсем иначе в центре канала. В этом случае, как указывает Томпсон, электронные обла ка ионов, движущиеся вместе с ним, способствуют тому, что потен циал взаимодействия простирается гораздо дальше от стенок ка нала, и в результате частица каналируется в потенциальной яме, имеющей почти параболическую форму. Знание вида потенциала взаимодействия канала с каналированной частицей позволяет вы числить наиболее важные характеристики ее траектории. В част ности был вычислен так называемый критический угол каналиро вания рк [205, 322, 323].
Например, если угол между направлением пучка и осью кри сталла (Зк малый, то при пересечении оси кинетическая энергия
связанная с поперечным движением в канале, будет равна р^о-
а при достижении максимального отклонения уо вся кинетическая энергия превращается в потенциальную V(y0), что приводит к следующему:
(V.19)
Отсюда с помощью потенциала канала можно найти простоесоотношение между (и) у0 и рк.
Если считать, что расстояние наибольшего сближения частицы со стенкой канала, при котором осуществляется устойчивое кана
лирование, равно т\/~а- + & (где х — амплитуда колебаний ато мов решетки, а — радиус экранирования, т — численная постоян ная порядка единицы), то максимальная амплитуда устойчивой
траектории |
определится |
формулой |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
(V.20)- |
Подставляя это выражение в уравнение |
(V.19) |
и используя потен |
||||||
циал канала |
(V. 18), |
Томпсон [205] нашел критический угол кана |
||||||
лирования, |
который |
имеет |
вид |
|
|
|
|
|
02 |
2 ] / 2~. |
z , ап Е |
ехр [ ~ т У |
1 + |
{ х 2! а2)] |
|
||
' * |
_ |
1 ^ 2 |
“ о с /? |
(V.21) |
||||
dEndEa |
|
V l |
+ |
( x 2l a 2) |
||||
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
217"
Учитывая, что х2 и а2— величины одного порядка, авторы [205, 323] для оценки порядка величины рк дают выражение
(V.22)
Оценка и сравнение этого угла с данными эксперимента показы вают на весьма удовлетворительное согласие теории с эксперимен
том по Томпсону в области энергии Е 0> 30 |
кэв, а по Линдхарду |
(формула (V.13))—в области энергии Е а ^ |
5 кэв. Следует также |
отметить, что эксперименты по проникновению ионов в кристаллы подтверждают предсказание о том, что угловая ширина эффектов
каналирования |
уменьшается с ростом энергии первичных ионов |
(табл. 5). |
I |
Одновременное изучение коэффициентов прохождения г], по глощения у и отражения г ионов в зависимости от энергии и угла падения первичных ионов показывает, что наличие граничной энер гии прострела, обусловленной' толщиной пленки, и монотонный рост значения -ц с увеличением энергии первичных ионов связаны с длиной пробегов ионов в веществе. С увеличением энергии пер вичных ионов доля ионов преодолевающих толщину пленки, по степенно растет, что и приводит к монотонному росту значения коэффициента тр Корреляция между коэффициентами у, т] и г в зависимости от энергии и угла падения первичных ионов, подтвер ждает правильность указанной точки зрения. Известно, что коэф фициенты у и г характеризуют долю первичных ионов, поглощен ных и отраженных пленкой. В соответствии с законом сохранения заряда, с ростом значения коэффициента т] должны уменьшаться значения коэффициентов у и г, что и согласуется с экспериментом
(рис. 82 а, 83 а).
Если учесть, что увеличение угла Ф приводит к увеличению
.длины пути, преодолеваемого ионом при прохождении, то умень шение значения коэффициента ri с ростом угла падения объясня ется аналогичным образом.
Рассмотрение кривых пробег — энергия, построенных по ре зультатам кривых прохождений т] (Е0) и измерений энергетичес ких положений максимумов спектра прошедших ионов, свидетель ствует об упругих столкновениях ионов с атомами кристалличес-
кой решетки. Как |
мы видели, функция ci£ (Е0) для ионов |
Na+ и |
||||
К+ в пленках Си, А1 в области энергии первичных ионов < |
30 кэв |
|||||
имеет |
линейный |
характер. |
|
|
|
|
Можно провести различие между отдельными областями ско |
||||||
ростей |
(энергий) |
для |
обычного некоррелированного замедления |
|||
заряженных частиц, где преобладает тот или |
иной тип |
потерь. |
||||
При высоких скоростях |
(v^>vj = 2 3|а •v0, где |
v0 = e2/h) |
тяжелых |
|||
частиц |
электронное торможение полностью преобладает, |
а |
ядер |
218
ное меньше примерно в 103 раз [323]. При средних (o<U|) ско ростях электронное торможение может все еще преобладать и быть почти пропорциональным скорости [327]. При низких скоро стях в замедлении тяжелых ионов отмечается более всего ядерное торможение. Согласно Линдхарду [323], в неупорядоченных (поликристаллических) системах потери, обусловленные упругими атом ными столкновениями, превосходят потери, связанные с неупруги ми процессами, когда е < 10, где е — безразмерная мера энергии по Томасу — Ферми [327]:
аЕ0 |
|
т 1 |
(V.23) |
|
zl z2 е- |
т * |
+ /га. |
||
|
||||
(а — радиус экранирования атома |
и Ea = ni2V2/2 — начальная |
энер |
||
гия иона). Подсчет показывает, |
что |
для наших случаев |
(ионы |
Na+, К+ на Си, А1 и Ag в области энергии 1—50 кэв) указанное выше неравенство выполняется, т. е. основные потери происходят при рассеянии на атомах, что и согласуется с экспериментом. Дей ствительно, при этих энергиях скорость ионов еще не сравнима с орбитальной скоростью электронов в атомах и, следовательно, ве роятность возбуждения или вырывание электронов атомов под действием налетающих ионов мало.
Угловое и пространственное распределения ионов, прошедших через поликристаллические пленки металлов, в зависимости от энергии и угла простреливаемых ионов тоже хорошо объясняют ся характером взаимодействия ионов с кристаллической решеткой. В области энергии первичных ионов > 3 0 кэв угловое распределе ние прошедших ионов имеет вид более вытянутый в направлении, совпадающем с направлением продолжения пучка первичных (см. § 4. наст. гл. и рис. 84 а, б), т. е. слабо рассеянных ионов. С умень шением энергии первичных ионов количество ионов, рассеянных на большие углы, растет, и угловое распределение делается более изотропным, приближаясь по форме к косинусоидальному. Послед нее свидетельствует о преобладании рассеяния ионов на атомах мишени.
Изменение углового распределения прошедших ионов в зави симости от угла падения первичных ионов при постоянной энер гии в большей степени обусловлено изменением длины пути дви жения ионов при прохождении. Рост угла падения приводит к удлинению пути движения ионов при прохождении, что эквивалент но увеличению толщины простреливаемой пленки. Последнее, как обычно, уменьшает количество прошедших ионов главным обра зом в направлении, совпадающем с направлением пучка первич ных ионов и, следовательно, угловое распределение (см. рис. 846) делается как бы более изотропным.
Рассмотрение характера торможения и потери энергии иона ми при прохождении в зависимости от угла падения первичных и вылета вторичных ионов тоже указывает на преобладающую роль упругих атомных столкновений.
2 1 9
В случае |
прострела монокристаллических пленок Си |
и л и Ag |
ионами (§ 3, |
4 наст, гл.) в угловых, пространственных и |
энерге |
тических распределениях ионов, прошедших через кристалличес кие решетки, обнаруживается анизотропия как в количественных, так и в энергетических отношениях. Эти особенности указанных распределений обусловлены эффектами каналирования и блоки ровки ионов в кристаллической решетке и удовлетворительно со гласуются с теоретическими рассмотрениями поведения заряжен
ных |
частиц |
при |
прохождении через кристаллическую решетку |
|
[205, |
322, |
323, |
327, |
378]. |
На частицы, движущиеся вдоль каналов, действуют периоди ческие силы, главным образом фокусируя их и, следовательно, облегчая дальнейшее движение их по каналу. Нетрудно показать, что, если частица движется вдоль осевой линии канала с колеба нием около этой линии, то она не уйдет из канала в том случае, когда энергия поперечного движения A0sin2p меньше, чем энергия
барьера Е. , отделяющего данный канал от |
соседнего. На осно |
|||
ве изложенного |
(т. е. Е ь > £ sin2 J3) можно |
грубо оценить |
кри |
|
тический |
угол |
каналирования. |
рассмотрение |
пока |
Таким |
образом, проведенное выше беглое |
зывает, что для ионов с высокими энергиями вероятность кана
лирования мала. Кроме того, |
из формулы |
(V.19) также следует, |
||
что большей энергии |
Е ь соответствует |
больший |
критический |
|
угол рк. Значения Е~ |
больше в тех широких каналах, где атомы |
|||
стенок сравнительно |
плотно |
расположены и там |
наблюдается |
лучшее (широкое) каналирование, что согласуется с эксперимен том. Действительно, как мы видели (см. рис. 836, 86а), в угловых и пространственных распределениях ионов, прошедших через кри сталлическую решетку, лучшее каналирование обнаруживается вдоль плотно упакованных направлений.
Анизотропия потери энергии ионами при прохождении в зави симости от ориентации пленки, очевидно, связана с характером взаимодействия ионов с атомами кристаллической решетки. Как следует из эксперимента (рис. 896), наименьшая потеря наблюда ется тогда, когда направление пучка параллельно плотно упако ванной оси решетки. При этом часть ионного пучка проходит меж ду атомами, вызывая уменьшение всех физических эффектов, тре
бующих близких соударений между частицей и атомом. |
Последнее |
в свою очередь снижает потери энергии, что и имеет |
место в |
эксперименте. Кроме того, можно предположить, что потеря энер гии ионами на один атом мишени является функцией только при цельного параметра. Однако, если движение иона ненаправленное, то средняя потеря энергии остается той же самой, что и в неупо рядоченной системе. Этот результат понятен, так как пучок ионов состоит из соответствующих случайно распределенных траекторий. Усреднение потерь энергии по всем беспорядочно распределенным соответствующим траекториям должно дать тот же самый резуль
220