Файл: Шляпоберский В.И. Основы техники передачи дискретных сообщений.pdf

в милливольтах (L/*°JJ ) , нельзя, так как схемы работают при различных питающих напряжениях, токах и размахах логического сигнала.

Для оценки помехоустойчивости интегральных схем следует пользоваться отношением абсолютной помехоус­ тойчивости к размаху логического сигнала U*™/Uc. Эта величина для большинства современных интегральных твердых схем равна примерно 0,5, т. е. их помехоустой­ чивость по отношению к помехам, создаваемым за счет паразитных связей, примерно одинакова. Основным ис­ точником возникновения помех является падение напря­ жения на общих для группы схем сопротивлениях земля­ ной шины (активном и индуктивном). С этой точки зре­ ния современные интегральные твердые схемы обладают различной помехоустойчивостью, численные значения ко­

входных сигналов. Величина М ограничивается сложно­

каким числом аналогичных схем может быть натружена

ментным соединениям, снижению рабочих мощностей и применению прогрессивной технологии изготовления ин­ тенсивность отказов современных интегральных твердых

мощью этого элемента реализуется логическая операция

77

£\гат^2 мВт; рабочий диапазон температур — от —60 до + 85°С. На функциональных и принципиальных схе­ мах элемент изображается, как показано на рис. 2.286.

•к

объединения по входу используется дополнительный ба­ зовый элемент (рис. 2.29а и б), который вместе с основ-

от 4 до 8 базовых элементов, заключенных в один кор­ пус. Схемы Т Л Н С применяются, как правило, для по­ строения низкоскоростных устройств (/такт^ЮО кГц) с малым потреблением электроэнергии.

7Р

Дб фиксируется на уровне, меньше 0,4 В: выходной сиг­ нал элемента будет иметь высокий уровень, что соответ­

сигнал элемента будет иметь низкий уровень — логичес­ кий нуль. '

По среднему времени задержки выходного сигнала рассматриваемая схема относится к среднескоростным интегральным твердым схемам и может применяться в устройствах, частота тактовых генераторов которых не превышает 1 МГц.

Недостатком данной схемы, как и вообще всех схем диодно-транзисторной логики, является наличие двух ис­ точников питания.

Промышленные образцы интегральных твердых схем Д Т Л содержат в одном-монокристалле, как правило, два базовых элемента.

На рис. 2.31 показаны образцы выпускаемых про­ мышленностью интегральных схем: на рис. 2.31а приве­ ден базовый элемент, в катаром схема Д Т Л реализована

79

зистора Т2, и схема перейдет в состояние логического ну­

ля (L/H S^0,4 В ) .

Наличие в схеме дополнительных транзисторов Т 2 и Т3 улучшает ряд ее характеристик. Так, предварительное усиление тока базы транзистора Tik транзистором Tz обес­ печивает достаточно высокую нагрузочную способность (Л/=.10). Сравнительно высокое быстродействие схемы обеспечивается рассасыванием избыточного заряда в ба­ зе транзистора Г 2 через транзистор Tit имеющий в режи­ ме насыщения малое сопротивление; прохождение эмит-

выполнением. Например, известны промышленные образ­ цы высокоскоростных интегральных схем Д Т Л (t3cpm ж 10 не) как гибридных, так и монолитных. Рассмотрен­ ные схемы базовых элементов ДТ Л и ТТЛ имеют одина­ ковые значения параметров Un и UB, а следовательно, допускают совместную работу.

Помимо базового элемента с четырьмя входами, в си­ стемах ТТЛ применяются базовые элементы с двумя, тре­ мя и восьмью входами (рис. 2.33). В зависимости от чис­ ла входов базового элемента в одном монокристалле ин­ тегрируются: или четыре двухвходовые схемы, или три трехвходовые схемы, или две четырехвходовые схемы, или одна восьмивходовая схема. Такое многообразие схем базовых элементов значительно расширяет возмож­ ности их применения, так как позволяет более экономич­ но строить различные переключающие устройства.

В зависимости от вида корпуса, в котором распола­ гается монокристалл, интегральные твердые схемы типа

Так, интегральные твердые схемы ТТЛ, выпускаемые в пластмассовом корпусе (рис. 2 . 34с), рассчитаны на ра-

8 1