Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 181

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

и соответственно значение (3.37) для частотной

поправки

с учетом

(3.42) будет

 

 

fic=-D/2QSB

(3 43)

Для

нахождения ук приравниваем третье

уравнение

(3.32) нулю и решаем его относительно рук, тогда

 

 

2 0 „б

 

X | /

(1 + а т ) 2 + ^ - ( т 1 4 - / - 9 0 ш С э ) с о С к 0 - ( 1 - а т )

 

 

(3.44)

Учитывая, что второй член числителя (3.39) становится пре­

небрежимо малым по сравнению

с первым членом еще до

того, как

Р станет

равным нулю, полученную из расчета

по (3.44)

величину

рук следует

умножить на коэффициент

порядка 0,7. Это обосновано тем, что при расчете по формуле (3.44) получится заниженное значение крутизны харак­ теристики относительно ее оптимального значения, посколь­ ку с ростом рук величина си [4-я формула (3.32)] уменьша­ ется, а Я12-я формула (3.32)Г— увеличивается, следователь­ но, в соответствии с (3.42), крутизна характеристики будет уменьшаться.

Полученное значение рук (с учетом коэффициента 0,7) нужно подставить в уравнения (3.32), после чего оконча­ тельно рассчитать по (3.38), определяя при этом 5 Д из (3.42), коэффициент связи р транзистора с контуром, а затем ук И ПО (3.2)—(3.8) другие элементы схемы.

Для иллюстрации эффекта коррекции фазы на рис. 3.8 представлена зависимость необходимого для самовозбуж­ дения входного сопротивления колебательной системы, т. е.

сопротивления

между

коллектором

и базой

транзистора,

от величины коэффициента коррекции ук,

а на рис. 3.9 —

то же от рабочей частоты. Для получения

необходимой ве­

личины коэффициента

у„ при емкостной

связи

типа А

(см. рис. 3.3, а) необходимо в соответствии с (3.33)

увели­

чить емкость С4 . Для

схемы с емкостной

связью

типа Б

(см. рис. 3.3,

б), когда

переменной

является

емкость С к ,

для получения достаточно большого значения коэффициен­ та перекрытия по частоте принципиально необходимо иметь емкость С к , близкую по величине к емкости С0. Следователь­ но, в соответствии с (3.5) коэффициент /ик должен быть значительно меньше единицы. При этом согласно (3.33)


коэффициент коррекции 7ь становится значительно большим единицы. Таким образом, задача расчета цепей автогене­ ратора в целом сводится к согласованию при заданной ра­ бочей частоте значения коэффициента коррекции ук, полу­ ченного по расчету с величинами элементов схемы по фор­ мулам (3.2)—(3.8) и (3.33) в предположении, что коэффи­ циент а к = 0.

Для рабочих частот, на которых коэффициент т0 < 0,1, коррекция фазы уже не дает заметного улучшения режима

Рис 3.8 Рис 3.9 Рис. 3.8. Зависимость входного сопротивления от коэффициента

коррекции фазы при f= 27-10' Гц; о =0,5; Q =

300.

Рис 3.9. Зависимость входного сопротивления контура,

требуемого

для самовозбуждения автогенератора, от частоты:

беа коррекции ()азы| — — — с коррекцией

<газы

автогенератора. В этом случае при расчете элементов схемы следует руководствоваться только конструктивными сооб­ ражениями.

Для диапазонных автогенераторов коррекция фазы, оптимально осуществленная в одной точке перекрываемого диапазона, будет неоптимальной на других частотах. Чем больше коэффициент перекрытия по частоте и чем относи­ тельно выше рабочие частоты, тем больше будет сказы­ ваться неоптимальность коррекции; для того чтобы устра­ нить или свести к минимуму это нежелательное явление, необходимо применять переменную связь транзистора с ко­ лебательным контуром.

Для схемы типа А такую связь можно обеспечить, сде­ лав емкость С4 переменной наряду с емкостью Cv Однако,

Рис 3 10. Эскиз конструкции (а)

и

принципиальная схема (б) колебательной системы автогенератора типа 5

при переменной связи

с

активным элементом схемы (рабочие частоты f = 10-^300 МГц):

I — катушка индуктивности; 2 — статорная пластина конденсатора С,; 3 — роторная

пластина конденсатора; 4 — второй элек­

трод конденсатора С,; 5— керамический диск;

£> — корпус.


поскольку при компенсации емкость С4 > Cv это приЁедёт к значительному усложнению конструкции.

Для схемы типа Б решение этой задачи проще, так как в этой схеме для изменения связи нужно менять емкость С 1 ( которая значительно меньше переменной емкости С к . Как видно из рис. 3. 10, при максимальном значении емкости Ск емкость Сх (которая образуется между частью цилиндри­ ческой поверхности статорной пластины основного конден­ сатора С„ и специальным изолированным от корпуса эле­ ктродом) также будет иметь максимальное значение. При

выведенных

роторных пластинах конденсатора

С к

(пунк­

тир на рис. 3.10, а) наружная роторная пластина

частично

экранирует

пластины конденсатора С\ друг от друга,

т. е.

емкость этого конденсатора также уменьшается, следова­ тельно, будет уменьшаться и коэффициент ук. Таким об­ разом, оптимальную связь можно осуществить по всему диапазону. Следует отметить, что такое решение задачи не­ избежно приведет к появлению некоторой величины емко­ сти С4 , частично переменной (пунктир на рис. 3.10, б), которую необходимо учитывать при расчете ук по (3.33).

Для автогенераторов со сравнительно большим перекры­ тием по частоте (1,5—2) схема с частичной емкостной свя­ зью типа Б наиболее предпочтительна по сравнению с дру­ гими схемами.

3.3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ АВТОГЕНЕРАТОРА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Как показано в § 3.2, при генерировании действующее значение крутизны характеристики транзистора сущест­ венно различно для низких [формула (3.40)1 и для высоких [формулы (3.39), (3.42)] частот. Это неизбежно приводит к различным динамическим вольтамперным характеристикам транзистора. Если для низких частот эта характеристика по существу является статической вольтамперной характери­ стикой,™ для высоких частот она значительно отличается от статической. Чем больше относительное значение рабочей частоты (коэффициент mt), тем больше будет это отличие.

Для иллюстрации на рис. 3.11 приведены вольтамперные характеристики транзистора типа П403 для постоян­ ного тока (на которые можно опираться при энергетическом расчете на относительно низких частотах) и для высокой частоты при оптимальном корректировании фазы. Последняя получена интегрированием по известным (рассчитанным)


/tt.nA

 

 

 

 

 

 

Значениям

крутизны

ха­

 

 

 

 

 

 

рактеристики

для

 

каждо­

 

 

 

 

 

 

 

 

го данного значения

кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

лекторного тока. Как вид­

 

 

 

 

 

 

 

 

но из рис. 3.11,

характе­

 

 

 

 

 

 

 

 

ристики

не

имеют

линей­

 

 

 

 

 

 

 

 

ного

участка,

поэтому

ли­

 

 

 

 

 

 

 

 

нейная

аппроксимация

их

 

 

 

 

 

 

 

 

в данном случае

 

приведет

 

 

 

 

 

 

 

 

к серьезным

 

ошибкам.

 

 

 

 

 

 

 

 

Наиболее

удобно

ап­

 

 

 

 

 

 

 

 

проксимировать

не

вольт-

 

 

 

 

 

 

 

 

амперную

 

характеристи­

 

 

 

 

 

 

 

 

ку транзистора,

а импульс

 

 

 

 

 

 

 

 

коллекторного

тока. При

Рис.

3.11. Динамические

харак

наличии

 

сравнительно

большого

управляющего

теристики

транзистора

П403:

/ — для низких

частот;

2 — для высо'

напряжения

 

эмиттер

 

 

 

ких

частот

 

 

 

база

наилучший

 

резуль­

 

 

 

 

 

 

 

 

тат

дает

аппроксимация

импульса

треугольником

[2]

(рис.

3.12).

После

 

разло­

жения

этого

импульса

Р ряд

Фурье

находим

значение

1-й гармоники коллекторного тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ КІ

•21,.

.(1

—cose)/n6

 

 

 

 

(3.45)

и постоянной составляющей коллекторного тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

: в/2я,

 

 

 

 

 

(3.46)

где

/ к м а к 0 —максимальное

значение коллекторного тока за

период колебаний; 9 -

угол отсечки.

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда среднее значение крутизны характеристики за

период

колебаний

будет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sa

= lKl/V2

U36=V21m(\~cos@yU36nQ,

 

 

 

 

(3.47)

где

U3fl

— эффективное

значение напряжения

эмиттер —

база.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С другой стороны, в соответствии

с заданным

ранее ус­

ловием о значительном преобладании постоянного сопро­ тивления в цепи эмиттера над входным сопротивлением, можно записать (считая при этом а 0 я= 1)

(3.48)

где £ э — напряжение эмиттерной батареи.

154


Подставляя значение / к 0 из (3.48) в (3.46), получаем выражение

Рис. 3.12. Аппроксимация импульса коллекторного тока треугольником.

Вводим понятие коэффициента регенерации (устойчи­ вости) колебаний. Этот коэффициент является одним из важнейших безразмерных коэффициентов автогенератора, характеризующих его режим. Он показывает, во сколько раз может быть уменьшена добротность колебательной си­ стемы по сравнению с ее исходным значением, чтобы авто­ генератор оказался на границе срыва автоколебаний.

При относительно низких частотах, когда крутизну ха­ рактеристики транзистора можно считать пропорциональ­ ной току коллектора, коэффициент регенерации определит­ ся соотношением

 

«*р =

* E.JEW =

1.5 Ч- 3,

(3.51)

где Еш

— напряжение

батареи эмиттера,

соответствующее

границе

самовозбуждения (исходное);

/ к 0 и

— ток коллек- „

тора, соответствующий границе самовозбуждения (исход­ ный).

При высоких частотах расчет а і р

по (3.51) дает несколько

еавышенные результаты.

 

 

 

На основании (3.50) и (3.51)

 

 

 

2 l / 2 a j p / K n l ,

( l - c o s 6 )

(3.52)

U,вб •

0

2

где 5 Д И — крутизна характеристики, соответствующая гра­ нице самовозбуждения.

Рис. 3.13 Экспериментальная зависимость управляющего напряжения от коэффициента регенерации:

/—транзистор

П403,

/ к о и =0,7 5 мА,

I

30 МГц, 0 = 0,4,

Я д = 1

2 кОм,

V K = I 0 ;

2 — транзистор

П411,

/ к о и

= 0,4

мА, /=34МГц, 0 = 0.48,

 

Л д =

1,2

кОм.ук = 8

 

Рис. 3.14. Зависимость управ­ ляющего напряжения от коэф фициента регенерации:

расчет по (3.53); ОО экс­

перимент,

транзистор

П4І I ,

' к о и =

= 0.35

мА, 1 = 5

МГц,

V „ = l

При значениях aip

=

1,3^-5 правый множитель (3.52)

хорошо аппроксимируется

выражением

 

I — с о з в

_

0,275 ( 2 a j p —1)

 

 

 

а/

 

Из (3.52) находим

 

Чр

 

 

 

 

^ в 0 « 1 . 1 / к о „ ( 2 а , р - 1 ) / / 2 5 Д 1 | ,

(3.53)

или при относительно низких частотах имеем

Ua6^\MT(2atp-\)/V2q,

или при Т — 300 К имеем £ 7 а 0 ^ 2 0 ( 2 а г р - 1 ) м В .