Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 208

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

параметрами L , Cl и C„ следует понимать эквивалентные параметры разонансных линий. Конструкция колебатель­ ных систем должна выполняться так, чтобы собственные частоты конденсаторов С% и Сх (для схемы типа Б) были шачительно выше рабочей частоты.

С учетом сказанного при Re <^ R и при работе на ча­ стотах, значительно меньших предельной частоты, когда

Рис. 3.36. Схемы автогенераторов на туннельных диодах:

а — типа А; б —типа В.

индуктивностью Z.6 можно пренебречь, условие самовозбуж­ дения автогенератора запишется в виде

 

р*#0

= /?' = Я а 1 в н в ,

 

(3.117)

где р = С1/(С1 + Сг ) — коэффициент связи ТД с

колеба­

тельной

системой; ссгэ к в

— коэффициент усреднения

отри­

цательного сопротивления R за период колебаний.

 

 

Для

количественной

оценки коэффициента а 1 а

к в

обра­

тимся к реальной характеристике туннельного диода из арсенида галлия, изображенной на рис. 3.35. Из выражения (3.117) следует, что при заданных внетлних условиях сред­ нее значение српротивления не должно изменяться при из­ менении напряжения источника питания ТД.

Если напряжение изменять в пределах линейной части падающего участка характеристики ТД, то коэффициент усреднения at э к в будет соответствовать коэффициенту устой­ чивости автоколебаний а ь аналогичному соответствующему коэффициенту в транзисторном автогенераторе. Характер зависимости R' от величины подводимого к ТД синусои­ дального напряжения на этой части характеристики показан на рис. 3.37 (кривые /, 2 соответствуют рабочим точкам на характеристике ТД, помеченным на рис. 3.35 теми же цифрами). Из этих кривых видно, что при малых значениях переменного напряжения, когда его амплитудное значение


не превышает напряжения, соответствующего линейной

части характеристики, R' = R,

т. е. at з в в =

1; при дальней­

шем увеличении подводимого

напряжения

сопротивление

R' резко возрастает.

 

 

При смещении рабочей точки в нелинейную часть пада­

ющего участка характеристики

(точки

3, 4 на рис. 3.35 и

соответствующие

им кривые на

рис. 3.37) характер

зависи­

мости R' от подводимого напряжения существенно изменяет­

ся. При самой малой амплитуде сопротивление R'

будет со­

ответствовать

дифференциальному

сопротивлению,

затем

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0..

40

80

120

160

200

240

С/т,мВ

 

Рис. 3.37. Зависимость

усредненного

за

период

коле­

баний

отрицательного сопротивления

ТД

от ампли­

туды

напряжения

подводимых

к ТД

колебаний

при

 

разных

значениях

питающего напряжения:

 

 

/ — С о = 1 6 0

мВ;

2— £„ =

225

мВ; 3 — Б „ = ? 6 0

мВ;

* — £„ =

300

мВ

по мере увеличения амплитуды сопротивление R' умень­ шается и, пройдя некоторый минимум (который будет все­ гда больше сопротивления R), вновь увеличивается.

Нетрудно видеть, что применительно, например, к кри­ вой 3 на рис. 3.37 коэффициент усреднения а{ э к в отличается от коэффициента устойчивости (регенерации). В данном слу­ чае коэффициент устойчивости определяется отношением сопротивления R' при установившемся режиме (пусть это будет точка М на кривой 3) к дифференциальному сопро­ тивлению в точке 3 на кривой рис. 3.35 или, что то же самое, к сопротивлению в точке N на кривой 3 рис. 3.37. Если это отношение равно или меньше единицы, то колеба­ ния не возникнут.


Наиболее предпочтительна работа, соответствующая на­ чалу нижней нелинейной части характеристики ТД, так как при этом получаются минимальными нелинейные искаже­ ния тока при сравнительно большой амплитуде колебаний. Это наглядно показывают кривые рис. 3.38, полученные для реальной характеристики ТД.

 

180

200

250

ЗОО

Ет,мВ

Рис.

3.38. Зависимость

коэффициента

регенерации

(

), управляющего

напряжения (—•—)

и коэф­

фициента искажения (—

— ) от постоянного напряже­

 

ния

на ТД из

арсенида галлия:

 

граница возникновения колебаний при изменении по­ стоянного напряжения на ГД со стороны ббльших значений Е„.

На этом рисунке по оси абсцисс отложено напряжение питания, а по оси ординат — колебательное напряжение при разных коэффициентах усреднения at а к в и отношения суммы квадратов токов 2-й и 3-й гармоник к квадрату тока 1-й гармоники. Поскольку при работе, соответствующей этой части характеристики, пиковые значения колебательного напряжения практически не доходят до значений, соответ­ ствующих правому восходящему участку, и незначительно превышают значения, соответствующие левому нисходя­ щему участку характеристики ТД, то эту рабочую часть

m

характеристики можно аппроксимировать линейно-ломаной зависимостью с нижней и верхней отсечками.

Применяя те же ограничения, что и при расчете ампли­ туд (т. е. пренебрегая R s и L s ) , нетрудно показать, что вно­ симая в колебательную систему емкость равна

С в н = р*Сг .

(3.118)

Учитывая, что при малых значениях частотной поправки

8„ = bf/f~

- С В Н / 2 С 0 ,

(3.119)

после совместного решения (3.117)—(3.119) находим

8 e , = - |

p <

W

(3120)

Поскольку произведение

Ro.tmB

согласно

(3.117) не за­

висит от режима питания, частотная поправка может из­ меняться только из-за изменения емкости С т . Емкость С т имеет тот же физический смысл, что и емкость Сэ , описы­ ваемая выражением (3.68). Тогда применительно к данному случаю имеем

Ст = £ / ( ф 0 - £ 0

) ' / 2 .

(3.121)

Вводя обозначения ф о п = dEQ/E0

и а0 — %/Е0

и диффе­

ренцируя (3.121) по Е0 с учетом этих обозначений, полу­ чаем

dC T /C T =<p 0 n /2(a 0 - l) .

(3.122)

Дифференцируя (3.120) по С т и решая результат дифферен­

цирования совместно с (3.122), можно записать

 

Для ТД из

* » - - ї 5

в

а0

германия, арсенида галлия и кремния<3123)

= 4,5-^-5,5.

Таким образом, выражение (3.123) позволяет

 

 

£ 5 г * —

рассчитать изменение частоты при изменении питающего напряжения за счет емкости р-п перехода. Помимо изме­ нения емкости р-п перехода, при изменении питающего на­ пряжения будет изменяться соотношение между высшими гармониками тока и током основной частоты, что также приведет к изменению частоты автогенератора.

При нелинейном отрицательном сопротивлении, присое­ диненном параллельно колебательному контуру, общее

184


уравнение для баланса реактивностей имеет вид [5]

 

 

W =

oc

/

\ 2

 

 

 

 

=

- 2

NXN

М

 

,

(3.124)

 

 

л/ = 2

\ ах

/

 

 

 

где Х 1 (

Хд/ остаточная

реактивность

колебательной

си­

стемы на частоте 1-й

и Л/-й гармоник

тока.

 

 

Для

схемы типа А (рис. 3.36, а) после некоторых

пре­

образований находим

 

 

 

 

 

 

 

 

XJ=2p*Q*8aT/«>C0,

 

 

(3.125)

где б а т

— частотная

поправка

из-за

влияния

высших

гармоник тока.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

1

г — і

.

1

Рис. 3.39. Зависимость изме­ нения частоты автогенератора от изменения питающего на­ пряжения при f <= 680 МГц;

# => —25Ом, С т •= 7 пФ.

2W

320

400 Е0,мВ

Реактивное сопротивление Хн можно без особых погреш­ ностей считать равным реактивному сопротивлению емко­ сти С2 , т. е.

Хл/ = 1 / Л Ч С 2 = р / Л Ч С 0 .

(3.126)

Подставляя полученные значения

для Х1 и Хц

в (3.124),

находим

 

 

 

ЛГ = 2

4

'

 

Для схемы типа Б значение частотной поправки будет опре­ деляться как

б „ -

J _ _ V f ^ V ,

(3.128)

 

N = 3 4 '

 

где

 

 

т н

= 1 - С „ / С 0 .

(3.129)

185


Из сравнения (3.128) с (3.127) видно, что частотная по­ правка для схемы типа Б существенно больше, чем для схемы типа А. Это создает предпосылки для компенсации ухода частоты при изменении питающих напряжений. В за­ висимости от параметров схемы и характеристик ТД эта ком­ пенсация возможна также между частотными поправками (3.123) и (3.127). Типичный пример такой компенсации иллюстрирует экспериментально полученная зависимость, представленная на рис. 3.39.

3.9.КРАТКИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ

Конструкция

колебательной системы непосредственно зави­

сит от значения

рабочей частоты.

На частотах от 300—400 МГц до 2—3 ГГц применимы только системы с распределенными параметрами. Для наиболее стабиль­ ных автогенераторов ими будут коаксиальные резонансные линии; частотой в них наиболее удобно управлять, изменяя емкости у от­ крытого конца линии.

На частотах от 10—20 до 300—400 МГц наиболее целесообраз­ но применять колебательную систему в виде однослойной катушки индуктивности, работающей на частоте, близкой к собственной [2]. В высокочастотной части диапазона такую катушку тоже следует

рассматривать как систему

с распределенными параметрами. Уп­

равление частотой должно

осуществляться изменением

емкости

у открытого конца катушки (см. рис. 3.10). Таким образом,

в целом

такая конструкция будет представлять собой коаксиальную резо­ нансную линию, у которой внутренний стержень заменен катуш­ кой. Для наиболее стабильных автогенераторов на керамический

каркас

катушки должен непосредственно приклеиваться стекло-

эмалью

тонкий плоский провод из серебра. При оптимальном от­

ношении

диаметра экрана к

диаметру

катушки (около двух) и

при ширине провода, близкой

к шагу намотки, добротность такой

системы

равна [2]

 

 

 

Q «

0.02D, Yfk,

(3.130)

где Da — диаметр экрана, см; / — рабочая частота, Гц; k — ко­

эффициент в формуле Нагаока, учитывающий отношение длины катушки к ее диаметру (при отношении, равном единице, k ж 0,7).

Добротность резонансной линии при оптимальном отношении диаметра внутреннего отверстия к диаметру экрана примерно в два раза больше, чем это следует из (3.130) (при этом коэффициент k

нужно считать равным единице).

 

3.10.

ПРИМЕР

РАСЧЕТА

ТРАНЗИСТОРНОГО

 

 

 

АВТОГЕНЕРАТОРА

 

Исходные

данные.

Транзистор

П403, рабочая частота

f =

= ЗОЛО6

Гц;

добротность 0 = 300; емкость колебательной

си­

стемы С0

= 8 пФ.