Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 142

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

пряжения на коллекторе. Переход к негармонической форме напряжения может существенно уменьшить мощность, рас­ сеиваемую на коллекторе, и практически не усложняет схе­ му фильтра нагрузки. Это объясняется тем, что современные высокие требования, предъявляемые к излучению высших гармоник передатчиком, обусловливают всегда сложную схему фильтра. Количество необходимых реактивных эле­ ментов в нем мало меняется при переходе от схемы с гармо­ нической формой к схеме с уплощенной формой напря­ жения.

Рис. 1.13. Графики зависимости электронного

к. п.

д.

от

обобщен­

ных параметров для различных

схем

при

в

=

90°:

а—при заданном напряжении источника питания

Е к ; б—при

заданном макси­

мальном напряжении на коллекторе н

м а к 0 .

 

 

 

Величина электронного к. п. д. в рассмотренных схемах различна, причем при заданном напряжении питания кол­ лектора Ек зависит от обобщенного параметра:

PE = rmoPjEl

(1.34)

Этот параметр можно рассматривать как нормированную колебательную мощность. Зависимости ЦЭ(РЕ) рассчитаны в [13] (рис. 1.13, а). Нумерация кривых на рис. 1.13 соот­

ветствует порядковой

нумерации табл.

1.1. Графики

рис. 1.13, а показывают,

что в генераторах

с уплощенной

формой напряжения на коллекторе значительно повышается к. п. д. при заданной мощности рв-

Для повышения к. п. д. целесообразно полностью ис­ пользовать транзистор по напряжению, т. е. в соответствии с (1.29) принимать максимальное напряжение на коллек­ торе «кмакс Р а Б Н Ь Ш допустимому и к д . При таком выборе

36


режима для сравнения схем удобнее рассматривать зави­ симость к. п. д. от другого обобщенного параметра

Ра ~ гнас Рі/^к макс

(1.35)

Из графика, представленного на рис. 1.13, б, видно, что лишь в некоторых генераторах с уплощенной формой на­ пряжения на коллекторе значительно увеличивается к. п. д. при заданной колебательной мощности ри. Ряд схем це­ лесообразно использовать только при небольших значениях нормированной колебательной мощности ри < 0,01. Это объясняется большим значением пик-фактора*1 формы на­

пряжения на коллекторе П = иКыак0к в этих схемах. Из-за этого в таких генераторах при постоянной величине

"кмако необходимо снижать напряжение коллекторного питания £„, что, в свою очередь, требует увеличения им­ пульса коллекторного тока и при конечном значении со­ противления г н а 0 обусловливает возрастание потерь.

В некоторых частных случаях к. п. д. генератора и мощность, рассеиваемая в транзисторе, не имеют решаю­ щего значения. Так, например, в импульсных передатчи­ ках с большой скважностью средняя мощность, рассеива­ емая на коллекторе, и средняя потребляемая мощность по­ лучаются незначительными и не определяют конструктив­ ных и энергетических показателей передатчика. В этих

случаях, особенно

при малых

значениях сопротивления

г н а с , выбор схемы

определяется

в основном получением

максимальной мощности с одного транзистора при заданных

допустимых

значениях тока

і ' К м а к с

*кд и напряжения

на

коллекторе

 

мк м а к с

и к д .

Для

оценки

различных

схем

в таких случаях

в табл.

1.1

указаны

нормированные

значения

 

максимальной

колебательной

мощности

при

заданном

напряжении

источника

питания Ек или

при

заданном максимальном

напряжении

на коллекторе

« К м а К о :

Р і Е - ' Г

1

^ - '

Рі*=

P l M S K C

П Р И

' н а с ^ О .

(1.36)

'кмаксс к

 

(к максик макс

 

 

 

 

Следует отметить, что для генераторов, требующих выпол­ нения соотношения QK < 1, диапазон частот, в котором они могут быть реализованы, ограничен, даже если в качестве емкости С использовать выходную емкость транзистора

*> Наряду с данным термином в современной литературе по радиоэлектронике широко используют термин «коэффициент ам­ плитуды». (Прим. ред.)


с

схема

с

Тип

ё

1

 

2

 

3

Однотактная

 

4

5

Вид коллекторного

 

контура

Режим

Апериодический

Крити­

контур

ческий,

Qi< < 1

ключевой

Низкодобротный

Крити

контур

ческий,

Q K ~ 0 , 5

ключевой

Высокодобротн ы й

Крити­

контур

ческий

Q K > 3

 

 

 

 

Перенапря­

 

 

женный

 

 

при

 

 

<7к> 3

Высокодобротный

 

контур

Критичес­

Q K >

з

кий

Нелинейная емкость

 

(V =

0,5)

 

Коммутатив­ ные потери

рх/ро

т

0

0

0

0

Потери на активном этапе*)

_ L J a 3 т

0,22

0,22-гО

0,07

6

Двухтактная

Параллельный

Крити­

0

л*

/

/ а

\ 2

 

Последовательный

Крити

я 2

 

 

 

 

 

 

контур

ческий ,

 

6

[

Т

)

 

 

<Эк> 3

ключевой

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

контур

ческий,

4 C i R "

 

 

 

 

 

 

(•A R„ < 0,1

ключевой

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

 

 

 

 

 

При

длительности (а

 

 

 

 

 

 

V

Су

о

 

 

 

 

К

1 =

1 (/?„)

 

к

се

та

я

 

 

 

 

2

г

 

 

 

 

3

г

 

 

 

 

сГ

ч

в

 

 

 

 

 

о.

а

 

 

 

 

0,203

0,1

0,05

1 + V

l

-

19,75ри

 

 

 

3 _ y i

 

_

19,75pu

0,1

0,12

0,013

~1 - 2 9 , 4 р ц

 

 

 

при

р и

< 0,007

0,12

0,06

0,031

1 + У 1 _ 3 2 р й

 

 

 

0./8

 

 

 

 

 

 

3 - 1 / 1 - 3 2 р а

0,12

0,1

0,044

0,78(1 — 12,85р„)

 

 

 

при р и <

0,0275

п - п ( Р и )

4 3 - Т / і _ 1 9 , 7 5 р ц

— 3,56(1

- 1 5 р „ )

при р и

< 0,007"

4 3 - * У 1 - 3 2 р ц

« 2 ( 1 - 5 , 4 6 p u ) при р„ < 0,0275

0,11

0,07

0,027 n _ 3 [ l + V i - 3 5 , 8 p J

16

 

 

 

11 — 5 1 / 1 — 3 5 , 8 р ц

П - 5 1 / 1 —35,8р„

 

 

 

 

0,16

0,12

0,04

1 + 1 / 1 - 2 5 , l p „

6,28

4,14—2,141/1

—25,1р„

4 , 1 4 - 2 , 1 4 1 / 1 - 2 5 , 1 р „

 

 

 

0,16

0,1

0,02

+ V l

- 3 9 , 5 р и

?

 

 

 

 

 


С в ы х = С. Так, например, для известного транзистора типа КТ904 можно получить QK < 0,1 на частотах ниже 10 МГц.' Соответственно схемы, требующие Q„ « 1, могут быть ре­ ализованы лишь на частотах ниже 100 МГц.

Наиболее просто и надежно реализовать высокие зна­ чения к. п. д. в схемах, работающих при QK < 1, можно, используя ключевой режим транзистора. Как уже отме­ чалось, в этом режиме транзисторный генератор отличается малой чувствительностью к форме и амплитуде возбуждения и соответственно к изменению ряда параметров транзисто­ ра, определяющих его усилительные свойства. Как следствие этого можно ожидать повышенную надежность работы ге­ нератора в различных изменяющихся условиях. При этом нужно еще раз подчеркнуть, что ключевой режим неприем­ лем при усилении колебаний, модулированных по ампли­ туде.

В настоящее время находят широкое применение однотактные генераторы с обычной резонансной нагрузкой, работающие в недонапряженном и критическом режимах, и однотактные генераторы, работающие в ключевом ре­ жиме. Именно эти два типа простейших генераторов будут рассматриваться в данной главе.

Другие схемы и режимы работы используются на прак­ тике сравнительно редко, несмотря на ряд очевидных пре­ имуществ. Это, по-видимому, объясняется сравнительной новизной вопросов, возникающих при проектировании та­ ких схем.

1.1.5. Цепь возбуждения

генератора

Входная цепь генератора связана с коллекторной це­ пью предыдущего каскада линейным четырехполюсником (рис. 1.14, а). В теории радиопередающих устройств 118] такой четырехполюсник связи между каскадами обычно представляется эквивалентной схемой с идеальным транс­ форматором, имеющим коэффициент трансформации k, и двумя сопротивлениями: сопротивлением холостого хода Z x x и сопротивлением рассеяния Za (рис. 1.14, б). Коллек­ торная цепь транзистора возбудителя на этом рисунке заме­ нена его эквивалентной схемой (см. рис. 1.6, б). Входная цепь последующего каскада нелинейна, и для простоты она представлена в виде ключа и двух сопротивлений Z B x 0 и

40


ZBX 3 , соответствующих открытому и закрытому состояниям эмиттерного перехода.

В ламповых генераторах эквивалентная схема связи между каскадами имеет такой же вид. Выходная емкость лампы значительна, поэтому сопротивление Z x x для высших

гармоник имеет малую величину, а форма напряжения на аноде близка к гармонической. Входное сопротивление лам­ пы в открытом состоянии достаточно велико по сравнению

СZa-

| 2 о | « [ 2 в х о | ,

поэтому форма напряжения на входе лампы последующего каскада близка к гармонической Именно по этой причине теория лампового генератора строится в предпосылке воз­

буждения гармоническим напряжением.

 

В транзисторном генераторе входное сопротивление от­

крытого транзистора обычно

намного меньше,

чем сопро­

тивление рассеивания, т. е.

|Z„x 0 | <С \%о\- Это

вызывает

столь значительные искажения формы напряжения на вхо­ де, что идеализация возбуждения гармоническим напряже­ нием заведомо ошибочна. Если бы сопротивление закрытого транзистора Z B X „ было так же значительно меньше чем 2СТ,

то можно было бы рассматривать возбуждение

транзистора

гармоническим током. Однако практические

соотношения

в схеме зачастую таковы, что

 

U « | * | 2 „ a | .

При этом условии форма возбуждающего тока так же перестает быть гармонической. Однако для простоты можно рассматривать возбуждение транзистора от источника гар­

монического тока, поскольку

характеристики генератора:

т], Кр, фазовые соотношения

— в основном определяются

открытым состоянием эмиттерного перехода, когда пред­ положение о возбуждении гармоническим током справед­ ливо. Некоторые ошибки можно ожидать лишь при оп­ ределении величин обратного напряжения на эмиттерном переходе и необходимого смещения EQ.

Итак, в дальнейшем рассматривается теория транзистор­ ного генератора при возбуждении его током гармонической формы (рис. 1.14,6, г). Целесообразность такого представле­ ния о работе генератора отмечается также в [19].

Возбуждение от источника тока, т. е. от источника с большим внутренним сопротивлением, практически оправ­ дано еще следующим: входной ток в этом случае мало зави­ сит от входного сопротивления транзистора, следовательно, выходной (коллекторный) ток определяется лишь коэффи­ циентом усиления транзистора по току. Этот принцип стабилизации работы усилителей широко известен [20].

Основные схемы включения транзистора (с ОБ, ОЭ, ОК), как известно, существенно различаются по своим усилитель­ ным и частотным свойствам [1]. Схема с ОЭ (рис. 1.14, в) имеет большее значение Кр в области низких частот, но те­

ряет это преимущество на высоких частотах

оз « сог.

Схема с ОБ (рис. 1.14, г) принципиально более

широко-