Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 236

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

 

 

 

 

и0=(иа

+ м;в)

 

Ф - ^ І -

 

 

 

 

 

 

 

(8.63)

 

 

 

 

 

Ui=-*u^[l-cos-r)-

 

 

 

 

 

 

 

 

<8-64>

 

Переменные составляющие тока и напряжения (первые гар­

моники) находятся в противофазе, на

что

 

указывает

знак «—»

перед

выражением (8.64).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Далее

определяем Р 0 и Pj!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р о = ( / о ^ - ^ Г ^ * р )

Un + AU^'-Z^RbiT+ti^,

 

- ^ ) ' -

(8.65)

зависимости - І - ( г - )

ї ( /

- -

/

« > "

/ г

- (

1

-

с

<' >

 

 

Р і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8 66

 

Пользуясь

формулами (8.65), (8.66) и (8.57), можно

рассчитать

ретные

 

Р ь

Р 0 и к. п. д. от RH,

tv, Іг

 

/ „ , AUa

или же конк­

значения

мощностей

и к. п. д. для заданных

параметров

диода

и схемы.

Например,

для t, => 0,95

Т;

 

(1П — / „ ) / / п

ж 0 4;

Д^і ж

10

£/п ,

что соответствует

RH/Rn

=

 

25, Р, =

 

0,05

£ / п / п ;

Р 0

=• 7,26

с / п / п ;

Ч ~ 0 , 7 % . На основании зависимостей Р,, т) от

Р н ,

/ р ,

/ п — /„ можно выбрать оптимальные

условия

работы

диода

в рассматриваемой схеме. При увеличении AUn

 

к. п. д. генератора

уменьшается.

В

рассматриваемой

схеме

существует

оптимум для

<р (или ti).

При малых

и очень больших

по сравнению

с периодом

значениях

мощность

и к. п. д. генератора

уменьшаются. При

неизменных

параметрах

схемы

 

и

неизменном

напряжении

смеще­

ния максимальная мощность в нагрузку будет отдаваться при /,, определенном из трансцендентного уравнения, полученного из

условия

dPi/dtj

=

0:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

2 Я/І

Т

I

f

 

2ntt

 

\

.

 

(8.67)

 

s i n ^ r - =

—— - —

1 — cos——-

 

 

Анализ резистивной схемы включения диода

 

Ганна

показы­

вает, что к. п. д. такой

схемы невелик

(при малых

 

временах

фор­

мирования и рекомбинации домена)

и в лучших случаях составляет

доли процента. Поэтому такое включение диода используется

в ос­

новном

при исследовании физических

процессов

в диодах

Ганна.

Однако если времена формирования и рекомбинации домена

становятся сравнимыми с периодом

колебаний, что зависит от пара­

метров материала, то к. п. д. генератора

в такой

схеме может су­

щественно возрасти

и достигнуть

т] =

14 -т- 15% [38]

 

 

8.3.3. Пример

расчета генератора

на диоде Ганна

 

с индуктивной

нагрузкой

в режиме с

задержкой

 

 

 

 

образования

 

домена

 

 

 

 

 

Работа диода Ганна в цепи с индуктивностью является разно­

видностью работы в режиме с задержкой образования домена силь­ ного поля.


В простейшем случае наличие индуктивности в цепи может быть учтено эквивалентными схемами, показанными на рис. 8.21 Г39] (паразитные емкости схем и емкость домена не учитываются, что справедливо для низких частот). В зависимости от соотношения

между постоянной времени

цепи Tj (рис.

8.21)

и периодом

пролет­

ных колебаний / j , можно

различать два

случая: тг < t,

и т,

> tl.

Когда Ті > t-i, то колебания тока в схеме рис. 8.21,

а

не

возник­

нут. Этому случаю

будет соответствовать

нагрузочная

прямая

AKG,

параллельная оси

напряжений, Рабочая

точка,

попадая

из

А

в G

Рис.

8.21.

Иллюстрация

работы

диода Ганна

в цепи с индуктив­

 

ностью в режиме с задержкой образования

домена.

при

образовании первого

домена,

не возвращается больше в точку

А. Такое включение

равносильно

работе диода

в схеме с генерато­

ром тока. Если т, <

то в той же схеме (рис.

8.21)

рабочий цикл

соответствует кривой AKGPB

при образовании

домена (время фор­

мирования

считаем

бесконечно малым) и BOA

при

рекомбинации

домена на

аноде. В

течение

времени нахождения рабочей точки на

ветви статической характеристики диода OA, напряжение на диоде

оказывается ниже порогового, и новый домен возникнет лишь тогда, когда в результате перезарядки цепи напряжение на диоде достиг­

нет порогового значения. Время, в течение

которого это происходит,

зависит

от величин L , RH и сопротивления

диода

постоянному току.

В

схеме на

рис. 8.21, б (т,

< ti) рабочий

цикл соответствует

кривой

ABCDA

при пороговом

напряжении и

AKLMNA

при на­

пряжениях, превышающих пороговое. При образовании домена амплитуда броска напряжения определяется сопротивлением на­ грузки. Спустя время, большее постоянной цепи Tj, сопротивление


нагрузки

стремится

к

нулю и

рабочая точка

на характеристике

по напряжению соответствует

напряжению

источника

питания.

Время т, определяется величиной индуктивности Ц,

сопротивле­

нием У?н

и сопротивлением диода с доменом.

После

исчезновения

домена на аноде в результате реакции индуктивности

наблюдается

бросок напряжения

AU2

и тока

А/'. Ток и напряжение

достигнут

пороговых значений через промежуток времени, определяемый

постоянной т 2 ,

зависящей от L, RH и сопротивления

диода без до­

мена. Период

колебаний при пороговом напряжении

(или близком

к нему)

Т — <j + ti и может

быть значительно больше пролетного

времени

домена.

 

 

Увеличение напряжения,

питающего схему, приводит к умень­

шению времени г2 , в течение которого напряжение из-за индуктив­

ности достигает

порогового. Постоянная времени т2 не меняется,

но уровень напряжения,

к которому стремится напряжение

на дио­

де, больше Un.

При

питающих напряжениях

U > U„

+

Аі/У

индуктивность

будет влиять лишь на форму напряжения.

Время

t2 будет равно

времени

рекомбинации и времени

образования

до­

мена. Форма тока будет соответствовать форме тока при пролетном режиме.

Если Tj > fj, то схема, показанная

на рис. 8.21,

б, будет

соот­

ветствовать

резистивной

схеме

при

работе в пролетном режиме.

Рассчитаем генератор со схемой, приведенной

на рис. 8.21, б.

Для расчета

положим, что известно следующее: вольтамперная ха­

рактеристика диода Ганна, т. е. Un,

/ п ,

( / п

1а)Пп>

 

сопротивление

диода без

домена Rg =

Un/lu

(аппроксимация

характеристики

показана

на рис. 8.21);

L

— индуктивность

в цепи,

Rn;

схема

питается

от

генератора

напряжения

( / ? в н <

R0,

Ran <

RnY>

вре­

мя формирования домена бесконечно мало.

 

 

 

 

 

Необходимо определить

мощность,

отдаваемую

в

нагрузку,

к. п. д. генератора и зависимость генерируемой частоты от величины

приложенного напряжения и параметров схемы

[40].

 

 

Определим форму тока и напряжения на диоде для случая,

когда

т,

< ti.

В рассматриваемой

схеме

(рис. 8.21,

б) т,, т2

— по­

стоянные

времени цепи соответственно

 

для диода

с доменом

и без

домена

Постоянная

времени цепи тх равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ь

[Ян +

Я д ( 0 ] .

 

 

(8.68)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

L — индуктивность

в

цепи;

Ra

сопротивление нагрузки;

RR

(t)

— сопротивление диода с доменом.

 

 

 

 

Вообще говоря, І ! зависит от времени. Если эту зависимость

учитывать, то

рассчитать

схему

аналитически

невозможно. По­

этому

в настоящем анализе при определении тх

будем считать

Rn

(t)

некоторой средней величиной или величиной,

соответствую­

щей

максимальному

напряжению

на диоде. Таким

образом,

пола­

гаем, что Tj =

const.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Постоянная времени т 2

определится как

 

 

 

 

 

 

 

 

т2

= Ч Я „ . ф

Rtl)/Ra

R0,

 

 

(8.69)

где

Rn

— сопротивление

диода

без домена.

 

 

 

 

Величина

напряжения

AU,

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A U j = ( / n

- / o )

# н

 

 

(8.70)

427


Величина напряжения AU2 зависит от общего приложенного напряжения и, как нетрудно показать, равна

 

 

AU2

Un+AUa-f0

R0

при

AUn<

Дс^!

(8.71)

 

 

1 +

Яо/Ян

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

скачка тока Д/' определяется как

 

 

 

 

 

Л/':

Un^AUn-I0R0

 

при

Д ( / п <

AtVj

(8.72)

 

 

Rn

+ Ro

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

AUn

> Д(7і индуктивность

не влияет

на период

колебаний

тока

и напряжения и AU2

= Д(Vj.

 

 

 

 

 

Учитывая значения Д(/, , Д£У2, Д/' , по вольтамперной харак­

теристике диода Ганна определим форму напряжения на диоде и

форму тока

через диод.

 

 

 

 

Напряжение

на диоде может

быть записано в виде

 

^ п - г > Л { 7 п ф Д і 7 1 е х р ( - / / т 1 )

 

при 0 < / < ti—t',

 

 

t-(ti-t')

 

при t\ — t ' < t < ti,

Un4-

Д£7П — ДІЛ е х Р '

 

 

U{t) =

 

 

t - t i

 

(8.73)

Uu-$> AUn — AU2 exp

при / х <t

<Т,

где /' — время

рекомбинации домена

на аноде, определяемое так

же, как и в предыдущем примере (f

< Т); Т — период колебаний.

Форма тока

через диод имеет вид

 

 

 

 

 

 

При 0 < / <

 

 

V

 

 

п р и / j — Г < I < tb

 

 

 

 

 

(8.74)

 

 

 

 

 

 

1/Яо

1/п + Д У п - Д У , е х р

-

 

п р и ti

< t < Т.

Период

колебаний генератора Г

состоит

из времени дрейфа

домена от катода к аноду и его рекомбинации на аноде tx и времени

t2,

в течение которого после

 

исчезновения

домена напряжение на

диоде достигает порогового значения Un.

Из

выражения

(8.73)

для момента времени tj < t

< Т следует,

что

при t = Т

период

колебаний

рассматриваемой

 

схемы

равен

 

 

 

 

 

 

Т-Ъ^т2

In

Л 1 / п ф £ / п - /

0 Я о

 

 

(8.75)

 

 

AUa(l^R0/Ra)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Частота колебаний в схеме зависит

от соотношения питающих на­

пряжений в диапазоне Un

< U < Un + AUt.

Когда AU2 = Дt/ x

при

AUn

> AUj,

период

колебаний

равен времени

пролета

Частота генератора

может

меняться

от очень

низкой

до частоты