МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Балтийский государственный технический университет «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова» (БГТУ «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова»)
Факультет			И		Информационные и управляющие системы
			шифр		наименование
Кафедра			И4		Радиоэлектронные системы управления
			шифр		наименование
Дисциплина			Физические основы микроэлектроники

Лабораторная работа №4
«Статические характеристики и параметры

биполярного транзистора в схеме с общей базой

и с общим эмиттером»

ВАРИАНТ №10 группы ЗИ 981

Иваницкий В.Н. .

Фамилия И.О.

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

Ярыгин Д.М. .

Фамилия И.О.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ

2021 г.

Цель работы – исследовать статические характеристики и пара-метры биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ) и общим эмиттером(ОЭ).

---

Часть 1. Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с ОБ.

1.1. Собираем схему, приведенную в методических указаниях (рисунок 1).



Рисунок 1 – Схема для исследования характеристик транзистора в схеме с ОБ
Рассчитать максимально допустимое значение тока эмиттера по формуле (1):



В соответствии с методическим указаниями выполняем заполнение таблицы 1, путем проведения измерений:

Таблица 1 – Результаты измерений

V1, В	Iэ, мА		Uкб0	0,1	Uкб1	2	Uкб2	25	Uкб3	50
			Iк, мА	Uэб, мВ	Iк, мА	Uэб, мВ	Iк, мА	Uэб, мВ	Iк, мА	Uэб, мВ
0,75	Iэ0	0	0,095	604	0,096	604	0,099	601	0,114	592
2,31	Iэ1	1,04	1,079	668	1,08	667	1,085	664	1,108	653
3,87	Iэ2	2,08	2,094	686	2,095	685	2,103	682	2,126	670
5,43	Iэ3	3,12	3,114	696	3,116	696	3,125	692	3,155	681
6,99	Iэ4	4,16	4,137	704	4,139	704	4,15	700	4,185	688
8,55	Iэ5	5,2	5,16	711	5,162	710	5,175	706	5,208	694

---

Строим 4 семейства характеристик на основании полученных результатов (рисунки 2-5)



Рисунок 2 – Характеристики Iэ(Uэб)



Рисунок 3 – Характеристики Uэб(Uкб)



Рисунок 4 – Характеристики Iк(Iэ)



Рисунок 5 – Характеристики Iк(Uкб)

Рассчитываем h-параметры транзистора по формулам (2):

Часть 2. Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с ОЭ

Схема исследования приведена на рисунке 6.



Рисунок 6 – Схема исследования схемы с ОЭ

В соответствии с методическим указаниями выполняем заполнение таблицы 2, путем проведения измерений:

Таблица 2 – Результаты измерений

V1, В	Iэ, мА		Uкэ0	0,1	Uкэ1	2	Uкэ2	25	Uкэ3	50
			Ik, мА	Uэб, В	Ik, мА	Uэб, В	Ik, мА	Uэб, В	Ik, мА	Uэб, В
0,75	Iб0	0	0,303	0,636	0,781	0,658	1,169	0,658	1,585	0,658
0,822	Iб1	0,0024	0,462	0,647	1,288	0,671	1,918	0,671	2,615	0,671
0,894	Iб2	0,0048	0,627	0,655	1,826	0,68	2,718	0,68	3,688	0,68
0,966	Iб3	0,0072	0,794	0,661	2,38	0,687	3,546	0,687	4,81	0,687
1,038	Iб4	0,0096	0,961	0,666	2,942	0,693	4,384	0,693	5,954	0,693
1,11	Iб5	0,012	0,961	0,666	3,509	0,698	5,23	0,698	7,091	0,698

---

Строим 4 семейства характеристик на основании полученных результатов (рисунки 7-10)



Рисунок 7 – Характеристики Iб(Uэб)



Рисунок 8 – Характеристики Uэб(Uкэ)



Рисунок 9 – Характеристики Iк(Iэ)



Рисунок 10 – Характеристики Iк(Uкэ)
Рассчитываем h-параметры транзистора по формулам (2):

Вывод. В ходе поведения исследований были рассмотрены основные параметры биполярных транзисторов в различных схемах включения, а также построены семейства характеристик транзистора

---

Смотрите также файлы

• Задача Управление капитального строительства и ооо Жилинвест.doc

• Особенности физического, когнитивного, личностного и психосоциального развития в младшем школьном возрасте.docx

• Программа среднего пофессионального образования 44. 02. 02 Преподавание в начальных классах Дисциплина Экологические основы природопользования Практическое занятие 2.docx

• 1. The Morphemic Structure of the English Word. Major Ways of English Word Formation a) Affixation (Derivation) b) Conversion c) Word Composition d) Shortening (Contraction). 3.docx

• Тема рубка металла рубка металла.pptx