Файл: Курсовая работа защищена с оценкой руководитель шишлаков В. Ф. Пояснительная записка.docx
Добавлен: 03.05.2024
Просмотров: 62
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
;
площадь основания плоского радиатора QтN=77,016 см² была определена в предыдущем примере. Из рекомендаций, приведённых выше, принимаем площадь основания ребристого радиатора .
Возможны два инженерных решения по конструированию радиатора:
- размещение нескольких (в рассматриваемом случае двух) параллельно включаемых транзисторов на одном радиаторе;
- размещение каждого из параллельно включаемых транзисторов на отдельном радиаторе. При этом полученную площадь основания, так же как и рассеиваемую мощность, следует разделить на число параллельно включаемых транзисторов.
2.2.1 Расчёт конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов
Рассмотрим оба варианта, чтобы были понятны их достоинства и недостатки. В начале проведём расчёт конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов.
1. Определяем тепловой коэффициент проектируемого радиатора:
2. В качестве исходного материала выбираем алюминий, имеющий теплопроводность
3. Исходя из площади основания теплоотвода , полученной для нескольких параллельно включенных транзисторов, задаёмся размерами основания: длиной ; шириной и толщиной основания .
4. Поскольку транзисторы марки КТ816А (КТ817А) имеют основание в виде прямоугольника, то для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности:
Затем определяем коэффициенты:
где - радиус эквивалентной окружности транзистора
5. По полученным значениям
и из таблицы определяем критерий
6. Затем находим значение коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора
7. После определения находим значение коэффициента :
8. По известным и из графиков определяем величину .
9. Далее определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора
10. Полученные в предыдущих пунктах расчёта значения величин и позволяют рассчитать среднеповерхностный перегрев радиатора
и максимальную температуру теплоотвода
11. Используя значение и таблицу, определяем коэффициент
12. Затем вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора:
; ):
13. Далее определяем суммарный коэффициент
а затем эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора
14. По найденному значению определим площадь ребристой поверхности радиатора
Определим число рёбер , приняв и :
15. В заключение расчёта конструкции радиатора определим высоту рёбер
2.2.2 Расчёт конструкции теплоотвода на каждый из транзисторов
Для сравнения проведём расчёт конструкции радиатора на каждый из двух параллельно включенных транзисторов. В этом случае мощность, рассеиваемая одним транзистором, будет , а площадь основания теплоотвода . Тогда размеры основания примем , , а его толщина .
Тепловой коэффициент проектируемого радиатора:
Для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности для транзисторов марки КТ816А (КТ817А):
Затем определяем коэффициенты:
где - радиус эквивалентной окружности транзистора
По полученным значениям и из таблицы определяем критерий
Далее определяем значение коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора
После определения находим значение коэффициента :
По известным и из графиков определяем величину .
Далее определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора
Полученные в предыдущих пунктах расчёта значения величин и позволяют рассчитать среднеповерхностный перегрев радиатора
и максимальную температуру теплоотвода
Используя значение и таблицу, определяем коэффициент
Затем вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора:
; ):
Далее определяется суммарный коэффициент
а затем эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора
По найденному значению определим площадь ребристой поверхности радиатора
Определим число рёбер , приняв и :
В заключение расчёта конструкции радиатора определим высоту рёбер
Сравнивая полученные результаты, можно определить объём теплоотвода. В случае общего для двух транзисторов радиатора габаритный объём составляет
площадь основания плоского радиатора QтN=77,016 см² была определена в предыдущем примере. Из рекомендаций, приведённых выше, принимаем площадь основания ребристого радиатора .
Возможны два инженерных решения по конструированию радиатора:
- размещение нескольких (в рассматриваемом случае двух) параллельно включаемых транзисторов на одном радиаторе;
- размещение каждого из параллельно включаемых транзисторов на отдельном радиаторе. При этом полученную площадь основания, так же как и рассеиваемую мощность, следует разделить на число параллельно включаемых транзисторов.
2.2.1 Расчёт конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов
Рассмотрим оба варианта, чтобы были понятны их достоинства и недостатки. В начале проведём расчёт конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов.
1. Определяем тепловой коэффициент проектируемого радиатора:
2. В качестве исходного материала выбираем алюминий, имеющий теплопроводность
3. Исходя из площади основания теплоотвода , полученной для нескольких параллельно включенных транзисторов, задаёмся размерами основания: длиной ; шириной и толщиной основания .
4. Поскольку транзисторы марки КТ816А (КТ817А) имеют основание в виде прямоугольника, то для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности:
Затем определяем коэффициенты:
где - радиус эквивалентной окружности транзистора
5. По полученным значениям
и из таблицы определяем критерий
6. Затем находим значение коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора
7. После определения находим значение коэффициента :
8. По известным и из графиков определяем величину .
9. Далее определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора
10. Полученные в предыдущих пунктах расчёта значения величин и позволяют рассчитать среднеповерхностный перегрев радиатора
и максимальную температуру теплоотвода
11. Используя значение и таблицу, определяем коэффициент
12. Затем вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора:
; ):
13. Далее определяем суммарный коэффициент
а затем эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора
14. По найденному значению определим площадь ребристой поверхности радиатора
Определим число рёбер , приняв и :
15. В заключение расчёта конструкции радиатора определим высоту рёбер
2.2.2 Расчёт конструкции теплоотвода на каждый из транзисторов
Для сравнения проведём расчёт конструкции радиатора на каждый из двух параллельно включенных транзисторов. В этом случае мощность, рассеиваемая одним транзистором, будет , а площадь основания теплоотвода . Тогда размеры основания примем , , а его толщина .
Тепловой коэффициент проектируемого радиатора:
Для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности для транзисторов марки КТ816А (КТ817А):
Затем определяем коэффициенты:
где - радиус эквивалентной окружности транзистора
По полученным значениям и из таблицы определяем критерий
Далее определяем значение коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора
После определения находим значение коэффициента :
По известным и из графиков определяем величину .
Далее определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора
Полученные в предыдущих пунктах расчёта значения величин и позволяют рассчитать среднеповерхностный перегрев радиатора
и максимальную температуру теплоотвода
Используя значение и таблицу, определяем коэффициент
Затем вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора:
; ):
Далее определяется суммарный коэффициент
а затем эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора
По найденному значению определим площадь ребристой поверхности радиатора
Определим число рёбер , приняв и :
В заключение расчёта конструкции радиатора определим высоту рёбер
Сравнивая полученные результаты, можно определить объём теплоотвода. В случае общего для двух транзисторов радиатора габаритный объём составляет