Файл: Богомолов А.М. Судовая полупроводниковая электроника.pdf

для режима насыщения транзистора Т2 и

для ненасыщенного режима транзистора Т2.

Если задан режим насыщения транзистора Т2, то ве­ личина RCB определяется:

Если же задан ненасыщенный режим транзистора T2t то величина сопротивления RZB определяется по следую­ щей формуле:

Для того, чтобы переключение триггера Шмитта про­ исходило при более низком коллекторном токе транзи­ стора Т\, в качестве сопротивления RC3 можно приме­ нять нелинейное сопротивление с постоянным падением напряжения £/д (кремниевый стабилитрон). Для этой схемы (рис. 53, в) при режиме насыщения транзистора Т2 напряжение рассчитывается по следующей формуле:

ц _ EKRKl+ ( E K- U a)RK2___________ 1___________

противления RCM. Величина /?см должна быть равна:

1 3 9

(146)

Для уменьшения коллекторного тока транзистора Гь а также для улучшения температурной стабильности схемы в цепь связи включают эмиттерный повторитель (рис. 53, г). В этой схеме транзистор Т2 может работать как в насыщенном, так и в ненасыщенном режиме.

Благодаря низкому выходному сопротивлению эмиттерного повторителя резисторы RCM и RCB могут иметь малое сопротивление, что улучшает температурную ста­ бильность транзистора Т2. Температурная стабильность

Рз+1 сопротивлению эмиттерного повторителя Т3.

В этой схеме можно регулировать порог срабатыва­ ния, если вместо фиксированных сопротивлений RCB и R CMприменить регулируемый делитель напряжения (пе­ ременный резистор).

Триггер Шмитта может быть выполнен также и с не­

''140

Необходимо отметить, что переключающие схемы с резистивной положительной обратной связью и, в част­ ности, триггер Шмитта, имеют различные величины по­ рога срабатывания и отпускания.

Отпускание (обратное переключение в исходное со­ стояние) происходит при повышении базового напряже­

рез эмиттерный повторитель может быть выполнен по

чинои ---- s соответствующей выходному сопротивлению

Рз эмиттерного повторителя Т3.

Для расчета напряжения отпускания схемы с непо­ средственной связью можно использовать формулу (151), приравнивая в ней величину t/д к нулю.

Экспериментальные исследования показывают, что в схемах с резистивной связью и связью через эмиттерный повторитель величины сопротивления нагрузки и сопро­ тивления R k2 мало влияют на напряжение порога сраба­ тывания и порога отпускания.

141

В схемах с непосредственной связью и связью через диод увеличение тока нагрузки, как и увеличение сопро­ тивления R к2, вызывают уменьшение порога срабатыва­

ния Ucр-

Изменение сопротивления RK\ в первых двух схемах

§ 7. Одновибраторы и реле времени

Одновибратором называется схема, способная после срабатывания от кратковременного пускового сигнала находиться во включенном состоянии в течение некоторо­ го времени, определяемого параметрами схемы. Одновибратор представляет собой двухкаскадный транзи­ сторный ключ, охваченный емкостной цепью положи­ тельной обратной связи.

Жесткая связь между каскадами может осущест­ вляться по цепи коллектор—база, а также по цепи эмит­ тер—эмиттер. Положительная емкостная коллекторно­ базовая связь между каскадами может быть реализова­ на либо непосредственным емкостным коллекторно-базо­ вым соединением, либо емкостным соединением через эмиттерный повторитель.

На рис. 54, а показан одновибратор с коллекторно­ базовой резистивной связью и с емкостной коллекторно­ базовой связью.

В исходном, устойчивом состоянии схемы открыт транзистор Ти транзистор Т2 надежно заперт напряже­ нием смещения, а емкость связи С заряжена до напря­ жения UC~ E K. При поступлении на вход схемы кратко­ временного импульса отпирающей полярности транзи­

Образовавшееся состояние схемы называется неустой­ чивым или квазиустойчивым и длится до тех пор, пока емкость связи С не разрядится полностью и не перезаря­

отпирании транзистора Т\ транзистор Т2 запирается и пе-

142