Файл: Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.07.2024
Просмотров: 120
Скачиваний: 0
§ 27. Бескорпусная герметизация
Под бескорпусной герметизацией чаще всего понимают гер метизацию полупроводниковых приборов пластмассами, хотя она включает в себя более широкое понятие, например, герме тизацию пленками окиси и нитрида кремния.
Бескорпусная герметизация обладает существенными преиму ществами перед другими способами герметизации:
уменьшение габаритов приборов; резкое сокращение числа технологических операций; высокая производительность процесса.
Однако при отверждении компаунда возникают напряжения в результате уплотнения молекулярной структуры и разницы в КТР, а также старения в процессе хранения и эксплуатации из-за образования фаз другой плотности. Эти напряжения вследствие непосредственного контакта компаунда с полупроводниковым кристаллом и выводами могут вызвать изменения характеристик прибора и разрушение его элементов (в частности, выводов).
Герметизация пластмассами дает возможность механизиро вать процессы сборки полупроводниковых приборов. При этом сборку приборов проводят на ленте, и кристалл соединяют с вы водами ленты с помощью термокомпрессии. Лента в этом случае служит в качестве элемента конструкции приборов и транспорте ра. Герметизация пластмассой на ленте производится одновре менно для нескольких приборов.
Поскольку при герметизации полупроводниковых приборов пластмассой наиболее существенными являются защита от про никновения влаги через пластмассу и места соединения пласт массы с выводами, а также защита от загрязнения поверхности полупроводника вредными примесями, содержащимися в герме тизирующем материале, можно определить для герметизирую щих материалов пять обязательных условий: 1 ) влагонепрони цаемость; 2 ) термостойкость; 3) возможность получения вакуумплотного соединения с материалом вывода; 4) отсутствие загряз нений, влияющих на характеристики полупроводниковых при боров; 5) минимальное искусственное старение в течение дли тельного срока и минимальная усадка.
Наилучшую защиту от воздействия влаги обеспечивают ма териалы, которые либо реагируют с гидроксильными группами на поверхности химически, либо активно их адсорбируют.
Наиболее распространены |
три |
метода герметизации |
пласт |
||
массами: |
пленкой |
полимерного |
материала |
||
1 ) обволакивание тонкой |
|||||
(рис. 74); |
|
|
|
|
|
2 ) заливка жидкими полимерными материалами с примене |
|||||
нием литьевых форм (рис. 75); |
|
или |
литьевое |
прессование |
|
3) трансферная опрессовка |
|||||
(рис. 76). |
|
|
|
|
|
Герметизация обволакиванием |
тонкой полимерной |
пленкой |
108
отличается простотой и дешевизной. С помощью этого метода легко решаются требования микроминиатюризации полупровод никовых приборов. Процесс герметизации обычно осуществля ется капельным методом с помощью вращения приборов вокруг оси выводов вручную. При растекании компаунда за счет сил поверхностного натяжения получается сферическая форма, гео метрия которой, определяется габаритными размерами прибора
Смола |
Отвердитель |
Смола |
Отвердитель |
|
|
-ВзВешиданиеи |
|||
I— Взвешивание —I |
|
|||
|
Вакуумирование |
Вакуумирование |
||
Нанесение на армат уру Время |
|
Залидка |
|
|
|
|
Время |
||
|
цикла |
|
ж л |
|
|
360 мин |
|
цикла |
|
|
|
|
|
24ОSSO |
|
|
|
|
'мин |
|
|
|
] ПрьЗВаритель- |
|
|
Сушка |
|
j |
ное отвержде |
|
|
|
|
ние |
|
|
|
. |
Удаление |
|
|
|
|
из формь/ |
Изделие |
ТермооораВатка |
|
|
Изделие |
Рис. 74. Схема метода многослойной |
Рис. 75. Схема процесса герметизации |
гер.метизации обволакиванием |
приборов заливкой в разъемных фор |
|
мах |
после герметизации. Для увеличения надежности приборов при малой толщине пленки на них иногда наносят три слоя пленки с
промежуточной подсушкой при |
температуре |
100—120° С: |
1-й слой — 4—6%-ный раствор |
триацетатной |
электроизоля |
ционной слабопластнфицированной пленки; 2-й |
слой — смесь |
заливочного компаунда с наполнителем из нитрида бора и отвер дителя; 3-й слой — смесь из специального лака и связующего. Кристалл предварительно должен быть спланирован.
Метод защиты обволакиванием обеспечивает высокую устой чивость приборов в условиях воздействия влажной атмосферы, по имеет ряд недостатков: необходимость применения легколету чих растворителей; длительность процесса сушки на воздухе и
і09
необходимость последующего отверждения покрытий при повы шенных температурах; трудность нанесения равномерного по толщине покрытия.
Метод заливки жидкими полимерными материалами осуще- . ствляется в литьевых формах; он наиболее распространен в по лупроводниковом производстве. Применяют формы из силиконо вой резины, к которой заливочный компаунд имеет минимальную адгезию. Однако стойкость таких форм незначительна. Заливка производится с помощью шприца или на специальном оборудо вании. В качестве материалов для заливки используют эпокспд-
2
Время |
|
|
цикла. ■ |
|
|
¥г-8 |
Вспрыск |
|
мин |
||
прессматериа- |
||
|
л а и отверж |
|
|
дение |
Изделие
Рис. 76. Схема герметизации приборов тран сферным литьем под давлением:
I — плунжер, 2 — пресс-порошок, 3 — плита пресса
ные компаунды, которые имеют низкую вязкость, могут быть модифицированы, легко отверждаются, имеют малую усадку, высокую адгезию, достаточную химическую стойкость и влаго стойкость, а также кремнийорганическне материалы, полиурета ны и полиэфиры.
Кремнийорганическне материалы отличаются термостойко стью до 250—300°С (что позволяет вести отбраковку приборов по'надежности при высокой температуре), хорошими электриче скими свойствами, морозостойкостью (—65°С), ничтожной влагопоглощаемостыо, нетоксичностыо и отсутствием ионных при месей, которые являются причиной необратимых изменений па раметров приборов в условиях повышенной влажности.
Полиуретаны и полиэфиры работоспособны только до 150° С. В качестве подслоя при применении эпоксидных компаундов
по
служат различные эмали. Приборы после заливки вместе с лить евыми формами помещают в сушильные камеры и выдерживают при температуре полимеризации 2—12 ч. В связи с этим тре буется большое количество литьевых форм. Этот метод гермети зации очень чувствителен к отклонениям от технологического режима. При нарушении соотношения компонентов смеси, недо статочном их перемешивании, попадании влаги, отклонении вверх или вниз от оптимальной температуры полимеризации появляется брак, так как отливка не твердеет, спекается с литье вой формой, отделяется по краям формы и выводам, становится жидкой при высокой температуре, образуются пузыри или поры на поверхности герметизации.
Метод литьевого прессования (трансферная опрессовка) ос нован на особенности некоторых полимерных материалов в виде порошка млн таблеток расплавляться и течь, заполняя пустоты в металлической форме с герметизируемыми изделиями, под воз действием температуры 120—150° С и давления 3,5—20 кГ/сму. Поскольку время формования с отверждением составляет всего 2—3 мин, метод литьевого прессования является наиболее эко номичным и производительным, несмотря на более высокую стои мость процесса по сравнению с заливкой. При литьевом прессо вании исключается операция приготовления герметизирующего материала. Из-за высокой стоимости оборудования и оснастки этот метод используется при значительном объеме производства и требует применения многоместных пресс-форм с числом гнезд
150—200.
Основными требованиями к материалам для литьевого прес сования являются: хорошая текучесть при минимальном давле нии для сохранения целостности полупроводникового прибора в процессе заливки, строго определенное время сохранения теку чести (до заполнения формы), стабильность при хранении в те чение 4—6 месяцев, отсутствие абразивного воздействия на пресс-форму, малая адгезия к стенкам формы (легкая выгрузка залитого прибора), влагостойкость, совместимость по КТР с ма териалом выводов, отсутствие ионных примесей, высокая тепло проводность, хорошие механические и электрические свойства.
В наибольшей степени такими свойствами обладают феноль ные и алкидные материалы, эпоксиды и силиконы. Эпоксиды и силиконы имеют нанлучшие свойства п наиболее предпочтитель ны. Однако силиконовые компаунды более хрупки и обладают худшими механическими свойствами, чем эпоксидные, но более термостойки (до 350° С) и хорошо согласуются с полупроводни ковыми приборами по КТР.
Процесс литьевого прессования состоит из:
загрузки порошка в разогретую загрузочную камеру; сборки пресс-форм с установленными в них арматурами;
установки пресс-формы на плиту под отверстие для впрыски вания расплавленного материала через литники и литья под дав лением;
выдержки изделий под давлением; охлаждения пресс-форм в случае применения термопластов;
извлечения готовых изделий, а также удаления литников и облоя.
Для защиты приборов от механических повреждений при трансферной опрессовке и уменьшения напряжений на поверх ности полупроводника применяют предварительную защиту пла стичными лаками или каучуками с подсушкой. Процесс полиме ризации производят в два этапа: 1-й — с выдержкой при нор мальной температуре в течение'24 ч, 2-й — при 180° С в течение
2ч.
Для литьевого прессования используют специальные прессы
срабочим давлением до 25 Т.
Контрольные вопросы
1.Назовите основные способы герметизации приборов.
2.Каким образом обеспечивается-холодная сварка деталей с различной твердостью?
3.Как выбирают толщину свариваемых деталей корпуса при холодной
сварке?
4.Для чего нужны покрытия на свариваемых деталях?
5.Перечислите основные операции изготовления и герметизации приборов
холодной сваркой.
6.Объясните механизм получения соединения при электрокоптактпой конденсаторной сварке.
7.Какую конструкцию имеет комбинированный электрод?
S. Какие встречаются виды брака при герметизации приборов электр
контактной сваркой?
9.Объясните сущность герметизации приборов пайкой.
10.Назовите типы припоев для герметизации и соответствующие им тем пературы проведения процесса.
П. В чем преимущество радиационной заварки целыюстеклянного корпу
са по сравнению с «огневой»?
12.Перечислите основные методы бескорпуспой герметизации приборов.
13.Какие преимущества и недостатки методов бескорпуспой гермети
зации?
14. Как происходит технологический процесс герметизации трансферным литьем?