Файл: Радиоприемные устройства учебник..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 281

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Схема каскада с ОИ при трансформаторном включении контура к полевому транзистору и непосредственном включении входа следую­ щего каскада приведена на рис. 3.8, а. Резисторы R u R 2 и R 3 служат для получения исходного напряжения на затворе и термокомпенсации тока стока. Конденсатор Сх по токам высокой частоты шунтирует ре­ зистор R lt что исключает отрицательную обратную связь по току.

Для того чтобы резистор R 2 не шунтировал относительно большое входное сопротивление полевого транзистора, напряжение смещения подают через источник сигнала, а источник сигнала соединяют с об­ щей точкой каскада через конденсатор С2.

Схема каскада с 03 и автотрансформаторным включением контура приведена на рис. 3.8, б. Назначение резисторов R lt R 2 и R 3 то же, что и в предыдущей схеме. Затвор полевого транзистора по токам вы­ сокой частоты через конденсатор С2 соединен с общей точкой каскада. Резистор R i включен параллельно малому входному сопротивлению полевого транзистора, обусловленному схемой 03, и практически он не влияет на общее входное сопротивление каскада.

70

Схема каскада с ОЭ при трансформаторном включении контура к транзистору и автотрансформаторном включении следующего кас­ када приведена на рис. 3.9, а. Резисторы R u и R 3служат для полу­ чения исходного напряжения на базе и термокомпенсации тока кол­ лектора. Конденсатор С1 по токам высокой частоты шунтирует резис­ тор R x, что исключает отрицательную обратную связь по току. Кон­ денсатор С2 является разделительным. Резистор R 2 обычно имеет величину, значительно большую, чем входное сопротивление транзис­ тора, и поэтому он практически не оказывает шунтирующего действия.

Схема каскада с ОЭ при автотрансформаторном включении кон­ тура к транзистору и трансформаторном включении следующего каскада приведена на рис. 3.9, б.

Характеристики обеих схем одинаковы. Коэффициенты трансфор­

мации

в них равны

 

 

 

nil

U J U K<С 1>

(3.22)

 

П%2

Ubus^ Uк <с 1.

(3.23)

Схема

каскада с ОБ и автотрансформаторным включением

контура

к транзистору и трансформаторным включением входа следующего каскада приведена на рис. 3.10. Назначение резисторов R u R 2 и R 3 то же, что и в предыдущей схеме. Коэффициенты трансформации в схе­ ме равны

(3.24)

При т 1 = т 2 = 1 все рассмотренные схемы с неполным вклю­ чением контура превращаются в схемы с непосредственным включе­ нием контура. Следовательно, обобщенной схемой каскада является схема с двойным трансформаторным или автотрансформаторным вклю­ чением контура и ее характеристики будут соответствовать любой схеме каскада.

3.3. Параметры усилительных приборов и обобщенная эквивалентная схема каскада

Каскады УРЧ, так же как и каскады УПЧ, усиливают малые сигналы и, следовательно, работают в линейном режиме. Поэтому УП можно представить линейным активным четырехполюсником (рис. 3.11, а). Линейный активный четырехполюсник описывается дву­ мя линейными уравнениями, связывающими между собой напряжения и токи на его входе и выходе. Уравнения четырехполюсника могут быть записаны в У-, h- и Z-параметрах. При анализе и расчете уси­ лителей с различными УП используют У-параметры (параметры ко­ роткого замыкания), поскольку их проще всего находить и они при­ водятся в справочниках.


а

д

Рис. 3.11

4 2

«уравнения активного четырехполюсника в У-параметрах имеют вид:

 

 

 

(3.25)

h = Y si V i + Y u U2.

 

(3.26)

При коротком замыкании на выходе четырехполюсника

(U2 = 0)

из урав­

нений (3.25) и (3.26) получим его

входную проводимость

Уц = ii/Ui\Ut = 0 и

прямую проводимость (крутизну)

У21 = 12Ш\|у 0. При коротком

замыка­

нии на входе четырехполюсника (1/,= 0) и подаче на его выход напряжения U2

из уравнений

(3.25) и (3.26) получим

его обратную проводимость

У12

= —/1 / =

о и выходную проводимость

'Y22 = 'l2/U2}at==Q. Знак минус

в фор­

муле У12 показывает, что при коротком замыкании на входе ток имеет направле­ ние, обратное принятому для четырехполюсника. Следовательно, У-параметры четырехполюсника — это проводимости, которые измеряются в режиме коротко­ го замыкания на его выходе и входе. Эти У-параметры, являясь коэффициентами уравнений четырехполюсника (3.25) и (3.26), связывают его переменные токи и напряжения при присоединении ко входу и выходу внешних цепей. А это зна­ чит, что действие четырехполюсника при включении к его входу и выходу внеш­ них цепей может быть описано выражениями, содержащими У-параметры.

Схема замещения четырехполюсника, содержащая У-параметры, должна описываться теми же уравнениями, что и четырехполюсник.

Из курса электронных приборов известно, что при работе любого УП в ли­ нейном режиме его можно представить П-образной схемой замещения, которая приведена на рис. 3.11, 6. Она содержит три проводимости и управляемый ге­

нератор тока / = (У2, — У12) Uj, который не зависит от того, что присоединяет­ ся к генератору, но зависит от входного напряжения Ux. Если источник тока зам­ кнуть накоротко, то весь ток потечет по замыкающему проводу. Следователь­ но, при коротком замыкании на выходе четырехполюсника / = /2.

Обратная проводимость У12 создает параллельную обратную связь по на­ пряжению.

У-параметры транзисторов сильно зависят от частоты и тока кол­ лектора В справочниках приводятся графики усредненной зависи­ мости У (/, /„) для некоторых типов транзисторов. На рис. 3.12—3.15 приведены эти параметры для транзистора ГТ311И при Uкэ = 5 В. Из приведенных графиков видно, что можно найти активную и реак­

тивную части проводимостей для

200 МГц и / к ^ 10 мА.

Реактив­

ные проводимости Ь ц с и Ь21э имеют индуктивный характер,

так как

они отрицательны.

В справочниках приводятся следующие параметры транзисторов

на низкой частоте обычно для тока коллектора / к = 5 мА:

 

h llg == 1/Уцд — входное

сопротивление

при короткозамкнутом

выходе в схеме с ОЭ;

 

сопротивление

при

коротко-

h ll6 =

Л11э/(1 + Л21э) — входное

замкнутом выходе в схеме с ОБ;

передачи тока

при

коротко-

Л21э =

Y n j Y i i b — коэффициент

замкнутом выходе в схеме с ОЭ;

 

 

 

 

Сн — емкость коллектора;

цепи

коллектора;

 

тн = ГбСк — постоянная

времени

 

/ к0 — неуправляемый ток коллектора.

73


Приводятся следующие предельные частоты:

тока

=

| /г21э | / — предельная

частота

коэффициента передачи

в схеме с ОЭ (при этой частоте | /г21э | =

1), где f — высокая частота,

на которой измерен

модуль /?21э;

 

 

/ш «

fTjV h ^

-

предельная

частота коэффициента шума,

при

которой

он резко

возрастает;

 

 

 

Рис. 3.12

Рис. 3.13

Ьг2з'”кСм 3мА 5мА 1ОмА

Рис. 3.14

/V21э ^ /гэ/гб — граничная частота крутизны характеристики в схе­

ме с ОЭ, при которой

Y 21 э = 0,7 Y 21Эо,

где Y 21э0 — на низкой час­

тоте, га (Ом) = 26/7 „

(мА).

 

Сопротивление базы определяется по формуле

 

Гб ~ Го — тк/Ск.

(3.27)

74

У-параметры транзисторов можно рассчитать по формулам, при­ веденным в табл. 3.1, через шесть параметров, которые приводятся в справочниках: h lxс, h21g, fr, 21э> т и С,{. В справочниках h-пара­ метры обычно приводятся для тока коллектора / к = 5 мА. Параметр /г11б обратно пропорционален току коллектора / к, а параметр fr213 про­ порционален току коллектора / к. Поэтому У-параметры для выбран­ ного значения тока коллектора / оК рассчитывают по пересчитанным значениям h 1XQи Л21э для этого тока по формулам:

^иб — 5мА/У0 л (Лцб)5мА»

(3.28)

^21э = ^ок/5 мА (h21а)5мА-

(3.29)

При ///к21э<0,3 формулы, приведенные в табл. 3.1, упрощаются Полевые транзисторы в схеме с ОИ имеют следующие параметры

И 1и § 1 1 и /& 11И .

Иги ~ f i l 2и =

/0>С12и,

^21и ёг1и>

(3.30)

 

Угги — £2211 “Ь

22и-

У-параметры транзисторов в схемах ОБ и ОЭ имеют следующую связь:

Hl6 ~ ^Па "Ь^12Э ^21э

^22э>

Йгб —

(У 22э“Ь Ийэ)»

(3.31)

Й 16

~

—(Hla "Ь Нг»)»

 

Игб

— Игэ-

)

Аналогичная связь У-параметров будет и для ламп в схемах с ОК и ОС и полевых транзисторов в схемах с ОИ и 03, если заменить ин­ дексы «б» на «с», «э» на «к», «б» на «з», «э» на «и».

У-параметры четырехполюсника связаны с проводимостями лампы в схеме с ОК следующими соотношениями [6, 81:

У11Н—Ни ' у а

Уcap

У12Н ■ =~ Н о

(3.32)

У21К = s - y ac5

s,

У22К ; : Уак + Уа

У»

25


 

 

Т а б л и ц а 8.1

Формулы для

расчета

У«параметры

j

в схеме с ОБ

в схеме о ОЭ

1 + А.дэ ( / / / T)-( f/1у2\э)

1 + (//^7-)-(///у21э)

g n

 

 

/!2 1 э /1Х1б[1 ' ^ ( ^ ^ 2

1э)21

* ш 1 ‘ + ( W n i s)! !

Y ' n = * g u + fi n

bn

Sit

Ylt = gll + ibl 2

bit

gti

^*t — gil ~i~ fi21

*21э f / h ~ f ^ Y 2 l 3

* 2 1 9 * 11(5 [ ’ + ( ^ У 2 , э ) 2]

*

®Тк (*2 l , f / t T ~ f /?У21э)

*21э*11б I 1 + (///У 2 1 э )* 1

— о>Ск +

 

+ ,0Тк 1 1 + *21э №

Х

X (//^ К 2 1э)]

 

*21э*11б1‘ + ( М У 2 1 , ) Ч

Asia

( 1 + *21з)*11б I 1+(М?У21э)г1

f l f r ~ flfY2\3

* „ б (1+ (///У21э)21

(0Хк {! I f r — f Н у 21 э)

* 1 1 6 (* + if ^ У 2 1э)2|

[1 + (f ! I f ) if I f Y2 1э)!

* 1 1 6

P +

Р ^ У 2 1э)21

 

 

Ьц э

(1

+ Ала) Ацб X

X

[ ! +

(/// У 2 1 з )2]

 

* 2 1 э ^ ^ 2 1 э

 

bnsf/fj-

bti

(1 +

Л21э) Ацб X

( 1 + * 2 1 э )* 1 1 б [1 + ( ^ К 2 1 э ) ^

 

Х [ ' +

2 1э)21

 

 

 

git

 

 

 

f П у 2

 

 

 

 

{fl fY 2\ *Y \

 

 

 

 

* 1 1 6 l 1 +

Y а — git + fizz

 

 

 

 

 

b'22

 

(оС„ +

0,Тк

 

 

 

 

t 1 + (J/^Y2 \э)2)

 

 

 

* 1 1 6

70