Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

THE GROWTH

OF SINGLE CRYSTALS

R. A. LAUDISE

B E L L T E L E P H O N E L A B O R A T O R I E S

M U R R A Y H I L L , N E W J E R S Y

P R E N T I C E - H A L L , I N C .

E N G L E W O O D C L I F F S , N E W J E R S Y 1970

C R Y S T A L GROWTH MECHANISMS: ENERGETICS, KINETICS AND TRANSPORT

R. L. PARKER

N A T I O N A L B U R E A U O F S T A N D A R D S ,

W A S H I N G T O N , D . C .

S O L I D S T A T E P H Y S I C S , V O L U M E 25

A C A D E M I C P R E S S

N E W Y O R K A N D L O N D O N 1970

П Р Е Д И С Л О В И Е РЕДАКТОРОВ ПЕРЕВОДА

Хорошо известно, что за последние 25 лет число публикаций по росту монокристаллов и кристаллических пленок растет экс­

сам выращивания кристаллов. К сожалению, многие из них основаны на методе проб и ошибок, при котором сначала ценой большого труда и затраты времени находят технологию выра­ щивания кристалла, а уже затем стремятся понять те процессы роста и образования дефектов, которые протекают в установке. Такая ситуация имеет не только субъективные, но и объектив­ ные причины, связанные со множеством взаимосвязанных фи­ зических и химических факторов, влияющих на рост кристалла гораздо сильнее, чем на имеющиеся в обиходе измерительные приборы. В этой обстановке монографии, суммирующие совре­ менный опыт в области роста кристаллов, становятся чрезвы­ чайно необходимыми. Особенно важно в настоящее время свя­ зать фундаментальные процессы роста кристаллов с технологи­ ческими приемами выращивания. Прямая связь не всегда еще видна при современном уровне знаний, однако попытки уста­ новить ее там, где это возможно, должны постоянно и смело предприниматься. Издание книги известных американских спе­ циалистов Р. А. Лодиза и Р. Л. Паркера нам представляется заметным продвижением по этому пути. Экспериментатор-

именно с точки зрения единства науки и практики. Поэтому из­ дательство и редакторы решили предложить читателям моно­ графию Р. А. Лодиза и монографический обзор Р. Л. Паркера вместе, под одной обложкой, хотя писались обе книги незави­

Фундаментальные аспекты проблемы роста кристаллов со­ средоточены в первых трех главах монографии Р. А. Лодиза и

в обзоре Р. Л. Паркера. Р. А. Лодиз сосредоточил внимание на качественном изложении азов науки о росте кристаллов, не стремясь к последовательному математическому описанию процессов кристаллизации и их количественному анализу. Р. Л. Паркер адресует свой обзор тем, кто уже знаком с этими азами. Он кладет во главу угла по возможности строгое опи­ сание тех физических явлений роста, которые имеют более или менее адекватные, но все же сравнительно простые модели. Об­ зор Р. Л. Паркера, по нашему мнению, является наилучшим современным обзором по теории кристаллизации.

Таким образом, читатель найдет в книге двух авторов из­ ложение фундаментальных проблем кристаллизации на «двух уровнях», что несомненно расширяет сферу действия этой книги. Здесь рассматриваются термодинамические движущие силы кристаллизации, дефекты кристаллов, зарождение кристаллов, строение поверхностей кристаллов в равновесии и в процессе кристаллизации, кинетика процессов на этой поверхности и в объемах прилегающих к ней фаз, термодинамически равновес­ ное и неравновесное распределение примесей, образование форм роста кристаллов и их устойчивость, возникновение дефектов при росте монокристаллов. Все эти вопросы обсуждаются на основе как теоретических, так и, в несколько меньшей мере, экспериментальных результатов.

Другой стороне проблемы роста кристаллов — практической, посвящены 4—7 главы монографии Р. А. Лодиза. Автор изла­ гает здесь материал таким образом, чтобы вооружить читателя логикой выбора наиболее подходящего метода для выращива­ ния нужного кристалла. В основе такой логики лежит физикохимическая сущность явлений роста, которая и сделана стерж­ нем изложения. Р. А. Лодиз обсуждает все основные методы и

путем рекристаллизации в твердой фазе и полиморфных пре­ вращений. Изложение основных методов выращивания следует единой для всей книги схеме: 1) физико-химические основы и

пиальных схем и 3) способы получения конкретных кристаллов и их характеристики. Осуществляя эту схему, автор концентри­ рует внимание прежде всего на качественном описании явлений роста кристалла и дает ориентировочные численные параметры процесса. Технологические приемы также увязываются с про­ цессами роста и образования дефектов. Весь этот обширный, в известной степени энциклопедический материал изложен ин­ тересно, ясно, очень по-деловому и с большим педагогическим мастерством. Автор не стремится к скрупулезному описанию

П Р Е Д И С Л О В И Е Р Е Д А К Т О Р О В П Е Р Е В О Д А