Файл: Учебник радиометриста флота учебник для школ и учебных отрядов ВМФ..pdf

тор — база подается обратное постоянное напряжение ик-о, вы­ зывающего обратное смещение’ коллекторного перехода II. При этом величина потенциального барьера эмиттерного ге-р-перехо- да I уменьшается, а коллекторного перехода II увеличивается. Под действием входного прямого напряжения пэ.б дырки начи­ нают преодолевать уменьшившийся потенциальный барьер эмит­ терного л-р-перехода I и входят в область базы. В области ба-

Рие. 108. Основные схемы включения транзисторов:

а — с общим эмиттером: б —с общей базой; о —с общим коллектором

зы дырки частично рекомбинируют с электронами, образующими встречный ток проводимости. Так как толщина базы очень ма­ ла, подавляющая часть дырок быстро ее проходит и попадает в ускоряющее электрическое поле потенциального барьера кол­ лекторного л-р-перехода II. Под действием этого поля дырки

+

I v. _

Рис. 109. Принцип работы транзистора р - п - р -типа

втягиваются в коллектор, соединенный с отрицательным полю­ сом источника питания Е2. Электроны через транзистор движут­ ся в противоположном направлении.

Принцип действия транзистора типа п-р-п аналогичен. При подаче питания в виде электрических напряжений нэ.в и ик.g с

107

полярностью, показанной на рис. 1110, от эмиттера через базу к коллектору в нем перемещаются электроны, а дырки переме­ щаются в противоположном направлении.

Движение дырок и электронов в транзисторе обусловливает появление во внешних цепях электрических токов. Ток в цепи эмиттера i3 создается движением основных носителей заряда из эмиттера в базу и движением неосновных носителей заряда из базы в эмиттер. Коллекторный ток г'к обусловлен движением ос­ новных носителей заряда, переходящих из базы в коллектор, и неосновных носителей заряда, переходящих из коллектора в

базу. В цепи базы протекает ток, равный разности токов эмит­ тера и коллектора, т. е. ток базы ia— h — in. Базовый ток обес­ печивает восполнение убыли неосновных носителей заряда, про­ исходящей из-за рекомбинации их с основными носителями за­ ряда, движущимися из эмиттера.

В транзисторах типа р-п-р основными носителями заряда являются дырки, так как эмиттер в них является полупроводни­ ком с дырочной проводимостью. В транзисторах типа п-р-п эмиттер — полупроводник с электронной проводимостью и поэто­ му основными носителями заряда являются электроны. Считают направление внешнего тока в цепи совпадающим с направле­ нием дырок в транзисторе. Величина токов во внешних цепях за­ висит от приложенного к электродам транзистора напряжения.

В транзисторе, включенном По схеме с общим эмиттером, входным напряжением ивх является напряжение иь. э, входным током — ток базы fe, выходным напряжением мВых— напря­ жение цк.э, выходным током 1вых — ток коллектора tK (рис. 108, а).

В транзисторе, включенном по схеме с общей базой, вход­ ным напряжением ивх является напряжение «э.б, входным током

108

ins— ток эмиттера h, выходным напряжением «пых — напряже­ ние «к.б. выходным током гВых — ток коллектора t'K (рис. 108, б).

От схемы включения в электрическую цепь зависят и свойст­ ва транзистора, определяемые его входными и выходными ста­ тическими характеристиками. Входной статической характери­ стикой транзистора называется зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном токе или по­ стоянном выходном напряжении. Выходной статической харак­ теристикой называется зависимость выходного тока от выходно­ го напряжения при постоянном входном токе или постоянном входном напряжении.

Рис. 111. Характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой

Входные и выходные характеристики транзистора, включен­ ного по схеме с общей базой, показаны соответственно на рис. 111, а и б. По семейству выходных характеристик (рис. 111, б) можно определить один из важнейших параметров транзи­ стора— коэффициент усиления тока для схемы-включения тран­ зистора с общей базой а. Для этого выбирают приращение тока

входная и выходная характеристики показаны на рис. 112, а и б. По семейству выходных характеристик выводится коэффициент

109

Кроме указанных параметрами транзистора, характеризую­ щими его работу, являются:

t° Сп.доп. СКОрп.доп — допустимые температуры я-р-перехода корпуса и окружающей среды, измеряемые в градусах Цельсия;

Рис. ИЗ. Зависимость пре­ дельно допустимой мощно­ сти, рассеиваемой транзи­ стором, от температуры корпуса

—Ь.доп и 1к .доп — предельно допустимые токи эмиттера и

коллектора соответственно.

Важнейшими из рассмотренных параметров являются вели­

чины о и /«, по которым в первую очередь и подбирается тре­ буемый транзистор.

Ш