ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 164
Скачиваний: 0
1. Этап рассасывания (интервал 0—1\ на рис. 6.5) заключа ется в рассасывании избыточного заряда в базе насыщенного
транзистора. При этом токи и напряжения в триггере не изме няются.
223
2. Этап подготовки (интервал t\—t2).
Этапом подготовки называют процесс от момента выхода транзистора из режима насыщения до момента отпирания за пертого транзистора. Транзистор Т1 выйдет из режима насы щения в момент t\ и напряжение на его коллекторе начнет уменьшаться (рис. 6.5,дат). Это уменьшение напряжения пере дается на базу запертого транзистора Т2 через конденсатор С/.
В момент /2 напряжение |
Мб.эз упадет до нуля (рис. 6.5,0) и |
транзистор Т2 откроется. |
(интервал t2—/3)- В момент /2 оба |
3. Этап регенерации |
транзистора оказываются открытыми и находятся в активном режиме. Регенеративный процесс происходит при выполнении условия самовозбуждения:
К - К , Ко > 1 ,
где Кі и Ко — коэффициенты усиления каждого каскада. Коэффициент усиления каскада можно определить по формуле
К , = К
я к "К Кх
где гп — входное сопротивление транзистора. Следовательно,
К - А'і К,
(Як + r„j-
н условием самовозбуждения является неравенство
ДО» |
> 1. |
(6.7) |
|
Як Г8х |
|||
|
|
Необходимо обратить внимание на то, что ускоряющие кон денсаторы, шунтируя во время регенеративного процесса ре зисторы, улучшают условие савомозбуждения. Если бы емкос ти отсутствовали, то напряжение с коллектора одного транзис тора на базу другого подавалось бы через резистор R, что уменьшало бы коэффициент усиления в цепи обратной связи и, следовательно, ухудшало условия самовозбуждения и уменьшало бы скорость регенеративного процесса.
Регенеративный процесс заканчивается в момент t$, когда транзистор Т1 запирается и токи гб1 и гк1 падают практиче ски до нуля (рис. 6.5, б и е).
224
4. Этап установления устойчивого состояния равновесия
(интервал tz—М- Процесс установления равновесия заключа ется в заряде конденсатора С1, подключенного к коллектору запирающегося транзистора, и в разряде конденсатора С2, подключенного к коллектору отпирающегося транзистора. За
ряд конденсатора С1 происходит от источника |
Ек через учас |
|
ток база—эмиттер транзистора |
Т2 и резистор RKt. При этом |
|
на коллекторе запирающегося |
транзистора |
образуется спад |
напряжения (рис. 6.5, ж, интервал tz—h). Длительность спада определяется временем tz заряда ускоряющего конденсатора t~ — t3 ~ 3 CRK. Конденсатор С2 разряжается через тран
зистор Т2 по цепи
R61 -» + Еб -> транзистор Т2,
а также через резистор R2.
Процесс разряда разделяется на два этапа. На первом эта пе (интервал tz—/4) транзистор Т2 отпирается, напряжение на его коллекторе растет (рис. 6.5,«). Это нарастание напряже ния через разряжающийся конденсатор С2 передается на базу 7/, и напряжение на базе нарастает (рис. 6.5, в). На втором этапе,' после перехода транзистора 72 в режим насыщения (момент tu, временные диаграммы 6.5, з и и), конденсатор С2
продолжает разряжаться |
через насыщенный транзистор 72. |
|
При этом |
напряжение |
на базе транзистора Т1 убывает |
(рис. 6.5,8, |
интервал /4—R). Полагая, что резисторы R2 и Re( |
через открытый транзистор 72 соединены параллельно, опре-
делим время разряда tv — 3С R R |
После окончания про- |
А + |
Аб |
цессов заряда и разряда убыстряющих емкостей триггер пе рейдет в состояние устойчивого равновесия и процесс опроки дывания закончится.
ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ
1. Поясните, как изменяются временные диаграммы напря жений и токов триггера (рис. 6.5):
а) при уменьшении величины ускоряющих емкостен С/ и С2;
б) при увеличении напряжения источника смещения Е6\ в) при увеличении сопротивлений резисторов /?/ и R2.
§6.5. БЫСТРОДЕЙСТВИЕ ТРИГГЕРА
ИСПОСОБЫ ЕГО УВЕЛИЧЕНИЯ
Быстродействие триггера определяется максимальной час тотой повторения импульсовЕытс, при которой триггер устой-
15. Зак. 362, |
225 |
чиво работает. Быстродействие зависит от длительности пере ходных процессов, которые определяют минимальный период повторения запускающих импульсов Гмин (этот минимальный период называют разрешающим временем). Максимальная частота связана с разрешающим временем соотношением
1 макс |
гр |
|
* мин |
Разрешающее время |
равно длительности |
опрокидывания |
(см. § 6.4): |
|
|
Т м т — |
/ р + / п + /per + /уст . |
(6 - 8 ) |
где /уст — время установления состояния равновесия.
Для повышения быстродействия необходимо уменьшать длительность каждого из этапов. Рассмотрим некоторые прак тические способы повышения быстродействия.
Способы уменьшения времени установления /уст
Время установления является наиболее длительным этапом опрокидывания. Оно определяется большим из времен заряда t3 или разряда tp ускоряющих конденсаторов. В § 6.4 было по казано, что
*з = ЗС/?к; / р - З С |
• |
В практических схемах триггеров, как правило,
RR*
R Rб > ÄK ,
поэтому время установления определяется временем разряда ускоряющего конденсатора. Для убыстрения процесса разря да резисторы R& шунтируются диодами (при 6.6). В состоя нии устойчивого равновения эти диоды заперты и не влияют на работу триггера. Однако при разряде конденсатора, когда напряжение на базе запирающегося транзистора станет боль ше Е 61 (рис. 6.5,в), диод откроется и в дальнейшем разряд конденсатора будет происходить в основном через этот диод. Так как сопротивление диода мало, то разряд будет происхо дить весьма быстро. При этом, однако, несколько увеличится длительность фронта на коллекторе отпирающегося транзис тора ^ф (рис. 6.5,и), так как ускоряющий конденсатор С2
оказывается подключенным через диод параллельно транзис тору Т2,
226
Если время разряда конденсатора сделано достаточно ма лым, то длительность процесса установления будет опреде ляться большим фронтом (t+ или /ф). Уменьшение емкости
убыстряющих конденсаторов уменьшает длительность фрон та на коллекторе запирающегося транзистора t~. Однако при
этом будет возрастать длительность фронта на коллекторе от пирающегося транзистора t+ (пояснение влияния убыстряю
щего конденсатора на длительность фронта см. в гл. 1). Оче видно, оптимальной будет такая величина емкости, при кото рой длительности фронтов t~ и оказываются приблизи
тельно одинаковыми. При прочих равных условиях величина
времени установления при этом будет минимальной и, следо вательно, быстродействие максимальным. Можно показать, что величина оптимальной емкости определяется формулой
п |
0.25 |
1(^ |
Сопт~ |
Л Як ’ |
6,9 |
где /* — граничная частота |
усиления |
транзистора по току |
в схеме с общей базой. При таком выборе емкости быстродей ствие молено оценить по формуле
F макс —(0>3 т 0,6) /» . |
( 6. 10) |
227
Существенное сокращение длительности фронта t ~ может
быть получено в триггере с фиксирующими диодами (рис. 6.7). Фиксирующее напряжение Еф < Ек, поэтому происходит ог раничение отрицательного перепада и длительность фронта
уменьшается. Чем меньше величина Еф, тем меньше длитель ность фронта. Однако нужно иметь в виду, что амплитуда им пульса Uт ~ Еф и уменьшение длительности фронта связано
с уменьшением |
амплитуды импульса. Обычно выбирают |
Еф = (0,6 -f- 0,7) |
Ек. При этом длительность іф уменьшается |
примерно в 3 раза.
Эффективным способом уменьшения длительности і ф яв
ляется применение эмиттерных повторителей (рис. 6.8). В та ком триггере заряд ускоряющей емкости проходит не через Rк,
а через значительно |
меньшее выходное сопротивление эмит- |
|
терного |
повторителя |
D |
—~ . Длительность фронта при |
||
этом t~ |
3С J k . и в Р раз меньше, чем в триггере без эмит |
|
Ф |
Р |
Кроме того, такой триггер обладает бо |
терных повторителей. |
лее высокой нагрузочной способностью, так как нагрузка под ключается к выходу эмиттерного повторителя.
Для уменьшения времени установления иногда применяет ся простая высокочастотная коррекция (чаще всего последо вательно с RK включается катушка индуктивности).
228