Файл: Кузьмич, В. И. Основы импульсной техники учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 164

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

1. Этап рассасывания (интервал 0—1\ на рис. 6.5) заключа­ ется в рассасывании избыточного заряда в базе насыщенного

транзистора. При этом токи и напряжения в триггере не изме­ няются.

223

2. Этап подготовки (интервал t\t2).

Этапом подготовки называют процесс от момента выхода транзистора из режима насыщения до момента отпирания за­ пертого транзистора. Транзистор Т1 выйдет из режима насы­ щения в момент t\ и напряжение на его коллекторе начнет уменьшаться (рис. 6.5,дат). Это уменьшение напряжения пере­ дается на базу запертого транзистора Т2 через конденсатор С/.

В момент /2 напряжение

Мб.эз упадет до нуля (рис. 6.5,0) и

транзистор Т2 откроется.

(интервал t2—/3)- В момент /2 оба

3. Этап регенерации

транзистора оказываются открытыми и находятся в активном режиме. Регенеративный процесс происходит при выполнении условия самовозбуждения:

К - К , Ко > 1 ,

где Кі и Ко — коэффициенты усиления каждого каскада. Коэффициент усиления каскада можно определить по формуле

К , = К

я к "К Кх

где гп — входное сопротивление транзистора. Следовательно,

К - А'і К,

(Як + r„j-

н условием самовозбуждения является неравенство

ДО»

> 1.

(6.7)

Як Г8х

 

 

Необходимо обратить внимание на то, что ускоряющие кон­ денсаторы, шунтируя во время регенеративного процесса ре­ зисторы, улучшают условие савомозбуждения. Если бы емкос­ ти отсутствовали, то напряжение с коллектора одного транзис­ тора на базу другого подавалось бы через резистор R, что уменьшало бы коэффициент усиления в цепи обратной связи и, следовательно, ухудшало условия самовозбуждения и уменьшало бы скорость регенеративного процесса.

Регенеративный процесс заканчивается в момент t$, когда транзистор Т1 запирается и токи гб1 и гк1 падают практиче­ ски до нуля (рис. 6.5, б и е).

224


4. Этап установления устойчивого состояния равновесия

(интервал tz—М- Процесс установления равновесия заключа­ ется в заряде конденсатора С1, подключенного к коллектору запирающегося транзистора, и в разряде конденсатора С2, подключенного к коллектору отпирающегося транзистора. За­

ряд конденсатора С1 происходит от источника

Ек через учас­

ток база—эмиттер транзистора

Т2 и резистор RKt. При этом

на коллекторе запирающегося

транзистора

образуется спад

напряжения (рис. 6.5, ж, интервал tzh). Длительность спада определяется временем tz заряда ускоряющего конденсатора t~ — t3 ~ 3 CRK. Конденсатор С2 разряжается через тран­

зистор Т2 по цепи

R61 -» + Еб -> транзистор Т2,

а также через резистор R2.

Процесс разряда разделяется на два этапа. На первом эта­ пе (интервал tz—/4) транзистор Т2 отпирается, напряжение на его коллекторе растет (рис. 6.5,«). Это нарастание напряже­ ния через разряжающийся конденсатор С2 передается на базу 7/, и напряжение на базе нарастает (рис. 6.5, в). На втором этапе,' после перехода транзистора 72 в режим насыщения (момент tu, временные диаграммы 6.5, з и и), конденсатор С2

продолжает разряжаться

через насыщенный транзистор 72.

При этом

напряжение

на базе транзистора Т1 убывает

(рис. 6.5,8,

интервал /4—R). Полагая, что резисторы R2 и Re(

через открытый транзистор 72 соединены параллельно, опре-

делим время разряда tv — R R

После окончания про-

А +

Аб

цессов заряда и разряда убыстряющих емкостей триггер пе­ рейдет в состояние устойчивого равновесия и процесс опроки­ дывания закончится.

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ

1. Поясните, как изменяются временные диаграммы напря­ жений и токов триггера (рис. 6.5):

а) при уменьшении величины ускоряющих емкостен С/ и С2;

б) при увеличении напряжения источника смещения Е6\ в) при увеличении сопротивлений резисторов /?/ и R2.

§6.5. БЫСТРОДЕЙСТВИЕ ТРИГГЕРА

ИСПОСОБЫ ЕГО УВЕЛИЧЕНИЯ

Быстродействие триггера определяется максимальной час­ тотой повторения импульсовЕытс, при которой триггер устой-

15. Зак. 362,

225


чиво работает. Быстродействие зависит от длительности пере­ ходных процессов, которые определяют минимальный период повторения запускающих импульсов Гмин (этот минимальный период называют разрешающим временем). Максимальная частота связана с разрешающим временем соотношением

1 макс

гр

 

* мин

Разрешающее время

равно длительности

опрокидывания

(см. § 6.4):

 

 

Т м т —

/ р + / п + /per + /уст .

(6 - 8 )

где /уст — время установления состояния равновесия.

Для повышения быстродействия необходимо уменьшать длительность каждого из этапов. Рассмотрим некоторые прак­ тические способы повышения быстродействия.

Способы уменьшения времени установления /уст

Время установления является наиболее длительным этапом опрокидывания. Оно определяется большим из времен заряда t3 или разряда tp ускоряющих конденсаторов. В § 6.4 было по­ казано, что

*з = ЗС/?к; / р - З С

В практических схемах триггеров, как правило,

RR*

R Rб > ÄK ,

поэтому время установления определяется временем разряда ускоряющего конденсатора. Для убыстрения процесса разря­ да резисторы R& шунтируются диодами (при 6.6). В состоя­ нии устойчивого равновения эти диоды заперты и не влияют на работу триггера. Однако при разряде конденсатора, когда напряжение на базе запирающегося транзистора станет боль­ ше Е 61 (рис. 6.5,в), диод откроется и в дальнейшем разряд конденсатора будет происходить в основном через этот диод. Так как сопротивление диода мало, то разряд будет происхо­ дить весьма быстро. При этом, однако, несколько увеличится длительность фронта на коллекторе отпирающегося транзис­ тора ^ф (рис. 6.5,и), так как ускоряющий конденсатор С2

оказывается подключенным через диод параллельно транзис­ тору Т2,

226


Если время разряда конденсатора сделано достаточно ма­ лым, то длительность процесса установления будет опреде­ ляться большим фронтом (t+ или /ф). Уменьшение емкости

убыстряющих конденсаторов уменьшает длительность фрон­ та на коллекторе запирающегося транзистора t~. Однако при

этом будет возрастать длительность фронта на коллекторе от­ пирающегося транзистора t+ (пояснение влияния убыстряю­

щего конденсатора на длительность фронта см. в гл. 1). Оче­ видно, оптимальной будет такая величина емкости, при кото­ рой длительности фронтов t~ и оказываются приблизи­

тельно одинаковыми. При прочих равных условиях величина

времени установления при этом будет минимальной и, следо­ вательно, быстродействие максимальным. Можно показать, что величина оптимальной емкости определяется формулой

п

0.25

1(^

Сопт~

Л Як ’

6,9

где /* — граничная частота

усиления

транзистора по току

в схеме с общей базой. При таком выборе емкости быстродей­ ствие молено оценить по формуле

F макс —(0>3 т 0,6) /» .

( 6. 10)

227

Существенное сокращение длительности фронта t ~ может

быть получено в триггере с фиксирующими диодами (рис. 6.7). Фиксирующее напряжение Еф < Ек, поэтому происходит ог­ раничение отрицательного перепада и длительность фронта

уменьшается. Чем меньше величина Еф, тем меньше длитель­ ность фронта. Однако нужно иметь в виду, что амплитуда им­ пульса ~ Еф и уменьшение длительности фронта связано

с уменьшением

амплитуды импульса. Обычно выбирают

Еф = (0,6 -f- 0,7)

Ек. При этом длительность іф уменьшается

примерно в 3 раза.

Эффективным способом уменьшения длительности і ф яв­

ляется применение эмиттерных повторителей (рис. 6.8). В та­ ком триггере заряд ускоряющей емкости проходит не через Rк,

а через значительно

меньшее выходное сопротивление эмит-

терного

повторителя

D

—~ . Длительность фронта при

этом t~

J k . и в Р раз меньше, чем в триггере без эмит­

Ф

Р

Кроме того, такой триггер обладает бо­

терных повторителей.

лее высокой нагрузочной способностью, так как нагрузка под­ ключается к выходу эмиттерного повторителя.

Для уменьшения времени установления иногда применяет­ ся простая высокочастотная коррекция (чаще всего последо­ вательно с RK включается катушка индуктивности).

228