Файл: Кузьмич, В. И. Основы импульсной техники учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 165

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

а)

изменения

Ral;

 

 

б)

изменения

Rg-, и С.

 

2.

Нарисуйте и поясните временные диаграммы:

(/),

Heit),

іс(0-

 

 

§7.11. АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

СКОЛЛЕКТОРНО-БАЗОВЫМИ СВЯЗЯМИ

НА ТРАНЗИСТОРАХ

Автоколебательный мультивибратор (рис. 7.17) можно по­ лучить заменой в симметричном триггере обеих резисторных связей между каскадами на емкостные. Временные диаграммы

напряжений изображены на рис. 7.18. Автоколебательный

мультивибратор

не

имеет

с о с т о я н и я

устойчивого

равно­

весия. Оба состояния

равновесия: 1) тран­

зистор

Т1

открыт,

Т2 заперт и 2)

тран­

зистор 77 заперт, Т2

открыт

— являются

квазиустойчивыми.

Принцип

работы

мультивибратора за­

ключается

в пооче­

редном

опрокидыва­

нии из одного квазн-

устойчивого

состоя­

ния в

другое

под

воздействием релак­

сационного

процесса

перезаряда конденсатора. Предположим, что после очередного опрокидывания (момент t\ на рис. 7.18) в мультивибраторе установилось следующее квазнустойчивое состояние равнове­ сия: транзистор Т1 открыт, транзистор Т2 заперт. Конденса­ тор С/, подключенный к коллектору закрытого транзистора, заряжается по цепи:

Rk2 — ( — Ек) -эмиттер-база открытого транзистора Т1

(интервал t\t%).

Длительность процесса заряда t3 — 3C,Rk2.

Ток базы транзистора Т1 состоит из двух составляющих: тока заряда конденсатора С/ и тока через резистор Rèl. По

2 7 1


214


мере заряда конденсатора первая составляющая тока базы уменьшается. Когда конденсатор СІ зарядится, ток базы будет определяться только током, протекающим через резистор R,-,, по цепи:

корпус— эмиттер-база 77 —

7?б| — ( —Ек) .

 

Для того чтобы открытый транзистор оставался в режиме

насыщения, величины сопротивлений

коллекторного и

базо-

 

3 о

Так

вого резисторов выбираются по формуле R,л -=• —~^к 1 .

как насыщенный транзистор ТІ имеет весьма малое сопротив­ ление, то заряженный конденсатор С2 оказывается подклю­ ченным параллельно участку база—эмиттер транзистора Т2 и создает положительное напряжение Иблг =» Чс2- Это напря­ жение удерживает транзистор Т2 в запертом состоянии. Кон­ денсатор С2 перезаряжается по цепи:

корпус — эмиттер-коллектор ТІС2 — Т?62 — ( ~ Е К).

По мере перезаряда напряжение на конденсаторе и, следова­ тельно, на участке база—эмиттер Т2 по экспоненте уменьша­ ется (интервал t\13). В момент t3 напряжение на базе пада­ ет до нуля, транзистор Т2 отпирается, ток коллектора ік., уве­ личивается и наличие положительной обратной связи приво­ дит к опрокидыванию мультивибратора

I

t К-> t - > « К .Э 2 t

U-б.П t ->/к1 V-5-Мк.эі I -^-Иб.эо у ->..-

После опрокидывания в мультивибраторе устанавливается второе квазиустойчивое состояние равновесия: транзистор ТІ заперт, транзистор Т2 открыт. Процессы в этом состоянии ана­ логичны рассмотренным выше, если учесть, что конденсатор С2 заряжается (интервал t3—^), а конденсатор СІ перезаряжает­ ся (интервал t3U). В момент U напряжение на базе запер­ того транзистора ТІ становится равным нулю, транзистор 77 отпирается и в мультивибраторе происходит опрокидывание. Таким образом, цикл работы оказывается завершенным и про­ цессы повторяются.

В результате генерации на коллекторах мультивибратора формируются прямоугольные импульсы. Длительность и пе­ риод повторения импульсов определяются релаксационными процессами перезаряда хронирующих конденсаторов СІ и С2. Формула условия самовозбуждения автоколебательного муль­ тивибратора аналогична формуле (7.4) для ждущего мульти­ вибратора с коллекторно-базовыми связями. Так как величи­ ны сопротивлений в симметричном автоколебательном муль-

18. Зак. 362.

273


тивибраторе одинаковы (/?к1 = RK„ = RK\ /?fit — R(y, —7?0),

то условие самовозбуждения может быть записано в виде

Rк

(7.40)

 

ПіХ

Поясним, почему в автоколебательном мультивибраторе не может быть устойчивого состояния равновесия. Предположим, что оба транзистора открыты и находятся в активном режиме. Это состояние равновесия является неустойчивым, так как флюктуационные процессы, которые всегда имеют место в ре­ альных устройствах, приведут к опрокидыванию мультиви­ братора. Для конкретности предположим, что коллекторный ток транзистора 77 увеличился. Тогда положительная обрат­ ная связь приводит к регенеративному процессу, схема кото­ рого выглядит следующим образом:

і— t Ікі t ->-Ик. эі t ~>-Иб.Э2 t -*■ K 2 I “^^к.92 4 ““^Мб.эІ 4

В результате опрокидывания мультивибратор переходит в ква­ зиустойчивое состояние равновесия: транзистор 77 открыт, транзистор Т2 заперт, и в дальнейшем процессы протекают так, как было описано выше. Следует заметить, что в рассмат­ риваемом мультивибраторе может возникнуть и устойчивое состояние равновесия, когда оба транзистора находятся в ре­ жиме глубокого насыщения и флюктуационные процессы не в состоянии перевести транзисторы в активный режим и вызвать опрокидывание. В этом случае для возникновения автоколеба­ ний необходим достаточно сильный внешний толчок (подача запускающего импульса, резкое изменение питающего напря­ жения и т. д.).

Для исключения устойчивого состояния равновесия приме­ няют специальные схемы мультивибраторов, описание которых приведено в литературе [8, 9, 12].

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ

1. Поясните, почему спад напряжения на коллекторах тран­ зисторов происходит относительно медленно и определите ве­ личину этого спада 7ф'.

2. Поясните, как изменится коэффициент насыщения от­ крытою транзистора:

а) при уменьшении сопротивления резистора jRk; б) при уменьшении сопротивления резистора R6.

3. Нарисуйте и поясните временные диаграммы: iK(t), ій(/),

іс (t) и tic (t).

274


§ 7.12. РАСЧЕТ ПЕРИОДА ПОВТОРЕНИЯ ИМПУЛЬСОВ. РЕГУЛИРОВКИ

Из рассмотренных в предыдущем параграфе процессов вид­ но, что период повторения импульсов Т определяется длитель­

 

 

ностью квазиустойчивых состо­

 

 

яний равновесия

Т = tin -r 7и3)

 

 

(см. рис. 7.18).

Длительность

 

 

квазиустойчивого состояния £и1

 

 

определяется

процессом пере­

 

 

заряда конденсатора С7, а дли­

 

 

тельность

/,І2

перезарядом

 

 

конденсатора С2. Для расчета

 

 

длительности

t ir, применим

 

 

формулу (10), которая в дан­

 

 

ном случае приобретает вид:

Рис. 7.19

 

/п2 =

г. In U6ß2(0) Uö-?2( 0 0 1

 

 

 

^6.S2(/|i2)—^б.Э2(°°)

Из эквивалентной

схемы перезаряда

конденсатора С2

(рис. 7.19) нетрудно определить:

 

 

 

 

т. , — С., R62\

(0) — U С2 (0) = Ек:

6'б.?2 (^12) == 0 ;

Ub.~>2 (^о) —

&к

~ /ко R»>

1 +

Rn Rf,2

 

 

Подставляя эти значения в формулу, получим:

 

 

 

 

2 +

Ro

R n‘2

t„3 = с 3 Rä, in

 

 

 

in

L

 

(7.41)

и Ь Г. к - Г Ло'Ѵ>2

 

]

А<о Rfi'j

 

 

 

 

 

 

L K

Аналогично

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.) I

е ;

 

 

 

(iw

с,

Rf,\ In

■ ь '

 

 

(7-42)

 

 

 

1 Ь

Rn Rn\

 

 

 

 

 

 

 

Е„

 

 

 

/Іля повышения

термостабильности

обычно

выбирают

Rn Ео\

, 1 .

/к о Еп> у/ ,

 

 

— Ё Г

1 ■

 

< - 1 •

 

 

В этом случае формулы (7.41) и (7.42) можно упростить:

2 7 3