Учитывая, что обычно (А71 ~ ~ -) У" 1, выражение (9.6)
'* ил 2 /
ѵѵжпо упростить и записать так:
л, =- |
- |
к г,— СА’,-,, Іи |
1 + |
А';. ! “ А 6' |
— |
!_t/KlK„ |
|
т |
'МГІ |
|
КЕк |
+ |
' ^Лчкои I |
|
/•»*» |
|
1 |
К62 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Щ\ - MJ |
- у |
|
|
(9.6а) |
|
|
- CR,, |
|
|
|
|
Скачок |
At/ потенциала |
транзистора Т1 |
во |
время первого |
опрокидывания примерно равен модулю напряжения Uб.э20 на |
базе транзистора Т2 в исходном состоянии. |
|
транзистора Т1 |
Для |
определения потенциала |
коллектора |
в конце рабочей стадии 6 к1Кон приведем следующие рассужде ния. Второе опрокидывание начинается в тот момент времени, когда откроется транзистор ТЗ, т. е. когда напряжение £/к.э,КО|Т
станет равным |
эквивалентному |
|
напряжению |
в цепи базы |
транзистора |
ТЗ, |
т. е. |
|
|
|
|
|
|
|
|
А'к.эзкоп — |
А б .э |
Е, |
R , . |
|
( 9 . 7 ) |
|
|
|
|
|
|
|
К R:, 'r R6 • |
Так как транзистор Т1 в этот момент |
времени уже насы |
щен |
то Uк.эін |
мало и |
|
|
|
|
|
ß u _____ |
і |
t/K|K0|i |
— |
t/ц-э2кон Т" |
t / к . э ц і I — |
|
! Т , бз |
р |
Подставляя значение £/к1кш1 в формулу (9.6а), получим
I Op I -- I ü’c, э-,0' E,
Для определения коэффициента усиления К можно соста вить следующее уравнения (см. рис. 9.11)1
|
|
(9.9) |
|
Ч" (^С '1' ) Rö2 ' |
(9.10) |
1к! |
■г iRK\ ; |
(9.11) |
Uб.э2 — |
Ctx'j! 6)j *• |
(9.12) |
К этим четырем уравнениям необходимо добавить пятое, полученное из следующих соображений. Ток коллектора 77
|
|
|
|
*кі |
“ |
7l |
|
^öi • |
|
|
|
|
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7| |
— |
|
—; ^2^63 • |
|
|
|
|
Так как іб1 <' |
/ä t, |
то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
“ |
М б2 • |
|
|
|
|
(9-13) |
Из уравнения |
(9.10) с учетом выражения |
(9.12) |
находим |
|
|
|
|
£ к "I" Мб.э2 |
|
М |
|
|
|
|
|
|
/С |
|
|
|
|
#02 |
|
|
|
(9.11) |
Подставляя соотношение |
(9.9) |
в уравнение |
(9.11) и учитывая |
равенство (9.14), имеем |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
« к , - |
- ZfK( 1 + |
#б3 |
+ |
R |
Kl |
і к1 |
- щ-„,2 /1 |
+ А |
Л |
A i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
F iix'j |
/ |
Коэффициент усиления |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
к = — -Ai- =_як| A - + (i f .Я63 \ Rn |
|
|
|
я н 6.92 |
|
d |
u |
6.S2 |
\ |
|
Л , « / |
^ б -.- |
|
На основании выражений (9.12) и (9.13) |
|
|
|
■Л ' |
|
|
<7/kl |
=■ |
■!///,-,., = |
— |3., а?«б.э2 |
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Г„ѵ, |
|
|
|
|
Тогда |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
к = |
Э2 ^ |
+ |
fl |
+ А ) |
А |
= |
(1 |_ |
?2) А |
+ |
|
|
' ВХ2 |
|
' |
ВХ2 • |
*^ 0 2 |
|
|
|
' вх*> |
'\ б 2 |
Теперь определим условия, при которых транзистор 77 в начале рабочей стадии находится в активном режиме, а в конце рабочей стадии входит в режим насыщения. Транзистор 77 бу дет в начале рабочей стадии в активном режиме при условии
U«M < 0 .
\ .
Это значит, что должно выполняться условие
{/„ (0) <С Е(>I г
I ле U*1 (0) = |
— I Up 1-f AU — потенциал коллектора транзис- |
|
тора 77 в начале рабочей стадии; |
Ебі = |
Е, |
+ £см |
^ 3 |
эквивалентное напря- |
Кз + К-і |
R |
|
|
ПК’. |
|
|
|
жение в цепи базы транзистора 77. |
В режим насыщения транзистор 77 войдет при выполнении |
условия |
|
|
|
|
|
где |
|
Л іік о н |
Л и н |
» |
|
|
|
|
|
/бікон — ток базы транзистора 77 в конце рабочей ста дии;
Азт — -f2- — насыщающий ток базы транзистора 77. Рі
В конце рабочей стадии, как было показано выше, £/к.эакон = = £ бзТогда
|
|
' б | |
'бЗ |
|
' |
б іко н |
|
где |
|
|
|
г\ |
/?3 (/?4 ~Ь /?кз) |
— эквивалентное сопротивление в це |
Кбі — |
-р \гр~і7р~ |
|
|
пи базы транзистора 77. |
Если учесть, что сопротивление резистора /? б2 значитель |
но больше сопротивления резистора |
R Kl, то коллекторный ток |
насыщения транзистора 77 |
|
/ КІН —
Следовательно, условием перехода транзистора 77 в режим насыщения является
Коэффициент нелинейности регулировочной характеристи ки tu — '5 (7/р) по аналогии с выражением (9.3) определяется формулой
и.макс |
*и .м нн |
1 а. E « ) |
KCRcy, |
' гв„ I ' |
Нестабильность длительности импульсов фантастрона на транзисторах составляет 1—5%.
ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ
1. Опишите действие положительной обратной связи во время второго опрокидывания.
