Файл: Верещагин, И. К. Электролюминесценция кристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 17.10.2024

Просмотров: 79

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

На рис. 32.15 экспериментальные зависимости фт от частоты для двух люминофоров с зеленым свечением также приводятся вместе с вычисленными по (32.10) и

(32.6)

при

значениях

параметров

Р 0 =

0,3,

Ф = 1,8 X

Х108 сек'1, ут/фа =

0,1, р = 0,5

и

Е = 0,1 эв.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимость срт от напряже-

 

 

 

 

 

 

 

 

ния определяется, очевидно,

80в

 

 

 

 

 

Р

изменением / (F0)

в

(32.5) для

 

 

 

 

 

 

 

Ру-

Зависимость

/ (F0) от нап-

 

 

 

 

 

 

 

0,5

ряжения V может быть

рассчи­

 

 

 

 

 

 

 

-

тана, но на рис. 32.16 использо-

 

 

 

 

 

 

 

ваны

значения /(F),

получен-

 

 

 

 

 

 

 

0,25

ные из

опытов

по тушению фо­

 

 

 

 

 

 

 

 

толюминесценции того же образ­

 

 

 

 

 

 

 

 

ца

слабым

переменным

полем

 

 

 

 

 

 

 

 

(§ 33)

*). Согласие форм кривых

 

 

 

 

 

 

 

 

<pm (F),

вычисленных таким пу­

 

 

 

) N C a , 8 e c %

 

тем, и опытных (рис.

32.16) под­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 32.14. Влияние концентра­

тверждает присутствие

процес­

ции

кобальта на фазовый

угол

сов тушения полем при

элект­

Фт

основного пика волны ярко­

ролюминесценции.

Относитель­

сти.

Точки — измеренные

зна­

чения

фт

для

люминофора

ная

величина

тушения

полем

частота

400 гц, комнатная тем­

фотолюминесценции уменьшает­

ZnS — Си, Со (напряжение 40 «,

ся

при

старении

электролюми­

пература); Р — квантовый

вы­

ход рекомбинации (опытные зна­

нофоров. Соответственно уве­

чения средней яркости электро­

условиях возбуждения, макси­

личивается

и

фт

у тех же об­

люминесценции при постоянных

разцов.

 

 

 

 

 

 

 

мальное

значение

Р

принято

рассмотрении темпера­

равным 0,5); 1 — угол

, под­

При

считанный с

помощью (32.10)

турной

зависимости срт необхо­

и соответствующий

кривой Р

(Ya/VT =

0,1,

Р =

0,5);

г —

димо

учесть

присутствие как

Фт

из (32.10) для

выхода,

вы­

полевого,

так

и

термического

численного по уравнению (32.2)

освобождения дырок. Если ис­

при Р 0 = 0,5,

а =

0

и Na =

■= NT =

7-10—в вес.%

вели­

пользовать значения 5s = Р-Ру,

чине NT добавляется Nq0).

приведенные

на рис.

32.9, то с

помощью уравнения (32.10) мож­ но получить кривую фт (Т), ко­ торая вычерчена на том же рисунке. Минимумы или

максимумы опытных зависимостей фт (Т) у разных об­ разцов приходятся на различные температуры. На

*) При этом предполагалось, что почти все наблюдаемое туше­ ние фотолюминесценции (85%) происходит в тех же барьерах, в ко­ торых при электровозбуждении идет ионизация и освобождение дырок из центров свечения полем.

240


рис. 32.17 дана кривая фт (Г) для образца ZnS — Си, AI,

на которой ясно

проявляются все элементы ожидае­

мой зависимости.

Если измерения фто относятся к неболь­

шому интервалу температур, то может наблюдаться толь­ ко рост фт с увеличением Г [157] либо только спад [80].

19Ра

Рис. 32.15. Зависимость фазово­

Рис. 32.16. Фазовый

угол основного

го угла Фт

от частоты. Светлые

пика в зависимости от напряжения.

точки относятся к люминофору

Точки — опытные данные для люмино­

ЭЛ-510,

темные— к

другому

фора ЭЛ-510 (нижняя

шкала напря­

образцу

с

зеленым

свечением

жения V). Сплошная кривая получена

180]. Сплошная кривая — тео­

по (32.10) с помощью опытной зависи­

мости выхода Р у от напряжения (верх­

ретическая (уравнения (32.6) и

(32.10)), Т = 300 “К.

няя шкала V). V — в

вольтах, срт

 

 

 

 

в градусах, Р 0 = 0,3.

У люминофоров типа ЭЛ-510 максимум

ц>т расположен

около

250 °К, а

минимум — около 150 °К

(рис.

32.18).

 

 

 

 

 

 

 

При постоянных

Е й /

зави­

 

 

 

 

 

 

 

симости фт (Т) для синусои­

 

 

 

 

 

 

 

дального

напряжения

соот­

 

 

 

 

 

 

 

ветствует зависимость от тем­

 

 

 

 

 

 

 

пературы времени tm и нап­

 

 

 

 

 

 

 

ряжения

Vm,

отвечающих

 

 

 

 

 

 

__

максимуму света для

трапе-

 

 

 

 

 

 

циевидных

импульсов

(см.

 

 

 

 

 

 

WO рис. 15.4).

Для обычных лю-

 

 

 

 

 

 

Т°К

минофоров с зеленым свечени­

Рис.

32.17.

Опытная

зависим'ость

ем зависимости фт (Т) и Vm(Т)

угла

срт

от

температуры

для об­

имеют поэтому

одинаковый

разца

ZnS — Си, А1

[160].

V =

вид (рис. 32.18). Подсчет с

 

= 800 в, / = 40 гц.

 

tm от длительности

фронтов

помощью

(32.9)

зависимости

трапецеидальных импульсов

приводит при Р — const к такому же выражению,

какое

было

получено

в

§

15 несколько иным

способом (см.

(15.4)).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3/г9 И. К. Верещагин

241


Если спектр свечения образцов содержит две полосы, то углы срт и напряжения Vm для каждой полосы будут отличаться, так как число дырок на центрах свечения двух типов окажется различным к моменту начала рекомбина­ ции. Облучение люминофоров инфракрасным светом в промежутках между импульсами напряжения равноцен­ но повышению температуры (уменьшение pt и Р) и также приводит к уменьшению Vm [134].

Vm,B ?т,град

Рис. 32.18. Влияние температуры на положение основного пика волн яркости. V m — критическое напряжение, соответствующее максимуму света при тра­

пециевидном переменном напряжении [157J, <рт — фазовый угол при синусои­ дальном напряжении (люминофор ЭЛ-510, 500 гц).

Таким образом, достаточно широкий круг опытных данных согласуется с использованными в этом параграфе представлениями об условиях образования главных свето­ вых пиков волн яркости (учитываются как первоначаль­ ные изменения числа дырок на центрах свечения до начала рекомбинации, так и во время рекомбинации с электронами, ток которых контролируется иониза­ ционным процессом, идущим на противоположной сто­

роне

кристалла). Если предполагать, что пик

L0 обра­

зуется

в результате возвращения электронов,

освобож­

денных

из

ловушек теплом [142] или полем[157[,

или же

свободных

электронов, оттянутых полем к другой

сторо­

не кристалла [151],

то ожидаемые свойства Ь0

труднее

согласовать с теми,

которые наблюдаются (например, с

данными рис. 15.3,

показывающего сходство

 

кривых

G (t)

и Ь0 (()). Подобные механизмы образования

свето­

вого

пика

можно отнести поэтому скорее к дополнитель­

ному

пику Ьа, чем к основному.

 

 

242


Рис. 33.1. Схемы изменения ярко­ сти свечения В при повышении на­ пряжения V и постоянном освеще­
нии люминофора. Обозначения привепены в тексте.

§ 33. Свечение при одновременном действии поля и света

В настоящем параграфе кратко излагаются сведе­ ния о свойствах свечения, возникающего при освещении люминофоров и одновременном воздействии на них элек­ трического поля. В этих условиях яркость свечения обычно не равна сумме яркостей, получающихся при раздельном действии света или поля.

Иногда свечение называют фотоэлектролюминесцен­ цией, если наблюдается влияние освещения на ЭЛ, и электрофотолюминесценцией, если слабое электрическое поле только изменяет яркость фотолюминесценции (ФЛ). В общем случае, однако, оба явления присутствуют одновременно, при одних и тех же напряжениях, поэто­ му в дальнейшем эти явления нами обозначаются одним тер­ мином «фотоэлектролюминес­ ценция» (ФЭЛ). Явления, смежные с ЭЛ, интересны не только сами по себе, но и с точки зрения расширения сведений об условиях дейст­ вия поля в кристаллах, так как они проявляются как при больших напряжениях, при которых уже наблюдается ЭЛ, так и при малых напря­ жениях, недостаточных для возбуждения ЭЛ.

Помимо света из области собственного или примесно­

го поглощения, вторым возбуждающим агентом могут служить также а-, у-, рентгеновские или катодные лучи.

а) Основные явления. Если Яфэл —яркость свечения при одновременном действии поля и света, а Ва>л и Вэл — яркость при возбуждении люминофора только светом и только полем, то добавочное свечение при двойном воз­

буждении удобно характеризовать следующей

величиной:

АВ = Яфэл — (^фл + ^эл).

(33.1)

В общем случае АВ может быть как положительным, так и отрицательным, т. е. может наблюдаться ослабле-

9* 243

тто свечения или его усиление (рис. 33.1). При малых полях, при которых еще нет заметной ЭЛ наблюдается только тушение фотолюминесценции, а при более высо­ ких — преобладает усиление свечения, хотя тушение присутствует и при этих напряжениях. Таким образом, при достаточно больших полях общее изменение яркости АВ может состоять из двух частей, одна из которых свя­ зана с изменением ФЛ в электрическом поле, а другая — с изменением ЭЛ при освещении:

АВ =

А5ФЛ + ДЯэл-

(33.2)

При малых напряжениях V второе слагаемое отсутствует,

и благодаря тушению,

АВ отрицательно.

При более

высоких V преобладает А7?эл, которое в зависимости от типа образца и условий опытов может быть как поло­ жительным, так и отрицательным. В результате суммар­ ное АВ также может иметь различные знаки. Все это

приводит в общем случае к

большому разнообразию

II запутанности наблюдающихся

явлений.

Свойства ФЭЛ изучались как на электро-, так и фото­ люминофорах различного состава и вида (порошки, моно­ кристаллы, пленки). После первоначальных наблюдений Дешене [165] и Дестрио [166] (тушение люминесценции полем), Дестрио [167], Кузано [168] и Торнтона [169] (усиление свечения в поле) изучению свойств ФЭЛ были посвящены работы многих авторов [170—194]. В частности, кривые Вф э л (F), сходные по форме с приведенными на рис. 33.1, были получены для пленок ZnS — Мп [182].

При включении или выключении поля наблюдаются различного рода переходные явления. Так, если люмино­ фор в обычной ячейке возбуждается ультрафиолетовым светом, то включение небольшого переменного напря­ жения приводит сначала к вспышке (эффект Гуддена и Поля [195—198]), затем к временному значительному тушению и, далее, к постепенному уменьшению тушения до стационарного уровня. Выключение напряжения вновь может сопровождаться вспышкой с последующим отно­ сительно медленным восстановлением первоначальной яр­ кости ФЛ. В ряде работ эти явления, связанные с за­ хватом электронов и дырок ловушками, изучались вместе с явлениями, относящимися к стационарному свечению. Подробные сведения о различных кратковременных про­ цессах, о волнах яркости при ФЭЛ, а также о явлениях при возбуждении люминофоров рентгеновскими, катод­

244


ными или а-лучами, можно найти в обзорах [181, 186, 187] и книгах [123, 126, 127].

В дальнейшем рассматриваются основные свойства установившегося свечения при двойном возбуждении люминофоров переменным полем и ультрафиолетовым светом (365 нм), причем имеется в виду средняя по вре­ мени яркость свечения. Данные о тушении и усилении свечения относятся к одним и тем же порошкообразным электролюминофорам, что позволяет сопоставить свойства трех явлений, связанных с действием поля и облегчает рассмотрение вопроса о происхождении этих явлений.

б) Тушение фотолюминесценции полем. В работах [189—192] исследовано тушение фотолюминесценции об­ разцов ZnS — Си с зеленым свечением (ЭЛ-510 и ФК-106). Слои порошкообразных люминофоров толщиной 30— 50 мкм находились во время измерений в вакууме. Об­ щий вид зависимости В фэл от напряжения V был одина­ ковым как для электро-, так и фотолюминофора, хотя для последнего значения V, при которых появлялась замет­ ная ЭЛ, увеличивались примерно в 10 раз. В минимуме кривой 7?фэл на рис. 33.1 ДВфл составляет обычно несколько процентов от величины Вфд.

Зависимость абсолютной величины тушения ДВфд от напряжения V приведена на рис. 33.2. В области малых С и в области более высоких V, в которой наблюдается одновременно небольшая ЭЛ и гашение фотолюминесцен­ ции, величины ДВфл и Вэл подчиняются одной и той же эм­

пирической зависимости: В ~ ехр (— Ьк С

'1'*),

хотя ве­

личина Ьк для случая тушения в несколько

раз

меньше,

чем в случае ЭЛ. Кроме того, частотные зависимости этого параметра также сходны в обоих случаях. Это позволяет предположить, что основные механизмы действия поля при тушении ФЛ и возбуждении ЭЛ одинаковы. Так как ЭЛ в этих образцах возбуждается ускоренными носителями тока, то и тушение может быть связано с тем же ос­ новным процессом. Малая величина Ьк отражает тогда пере­ ход электронов через меньший энергетический интервал.

По мере старения

образцов с течением времени ДВфд

и Вэл уменьшаются

одинаковым образом [190]. Посколь­

ку ЭЛ возбуждается в малых областях кристаллов, соот­ ветствующих энергетическим барьерам, то и тушение ФЛ происходит, очевидно, преимущественно в тех же областях кристаллов. Исходя из предыдущего и допуская наиболее простую схему внешнего тушения ФЛ, можно принять

245