Файл: Лабораторная работа 4 Преподаватель Коротков А. Н. Студенты Бондарев С. С. Екатеринбург 2022.docx

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 18.10.2024

Просмотров: 3

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего образования

«Уральский федеральный университет

имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»

Схемотехника аналоговых устройств

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

Преподаватель:

Коротков А.Н.

Студенты:

Бондарев С.С.

Екатеринбург 2022

Цель работы: Исследование процесс усиления и принципов оценки уровня нелинейных и интермодуляционных искажений в транзисторном каскаде.

Исходные данные для расчета и компьютерного анализа и синтеза:

  1. Напряжение питания каскада: .

  2. Сопротивление нагрузки каскада:

  3. Нижняя граничная частота усиления, определяемая по уровню

  4. Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте:

  5. Температурный диапазон работы каскада:

  6. Дрейф напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя в пределах температурного диапазона:

  7. В качестве транзистора взять n-p-n транзистор.

  8. Максимально допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе:

  9. Максимальный коллекторный ток транзистора:

Схема для снятия выходных характеристик



Результаты анализа выходных характеристик биполярного транзистора.




В нашем случае Iлн= = 14 мА и суммарное сопротивление равно

= 714 Ом.

Рассчитаем требуемое отношение сопротивлений в коллекторной и эмиттерной цепях:

, из заданного температурного диапазона заданного максимального дрейфа напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя в диапазоне температур = 500 мА и известного температурного коэффициента напряжения база-эмиттер:





В нашем случае K = 5,68 для транзистора 2N2218.

Рассчитаем требуемые сопротивления в цепи эмиттера RE и коллектора RC:



напряжение коллектор-эмиттер VCEA в точке покоя А, в этом случае должно определяться соотношением:

= 4,23В

ток коллектора в точке покоя ICA. Поскольку точка покоя (т. А) находится на линии нагрузки по постоянному току, то коллекторный ток покоя определяется по формуле:

для транзистора 2N2218 они составили , = 1В.

Ток базы покоя усилительного каскада в нашем случае для транзистора 2N2218:

= 9*10-5 А

Результаты анализа с построенными кривыми



Схема для снятия входных характеристик



Характеристика Ic(Vbe) с отмеченной точкой соответствующей токе покоя А



Характеристика Ib(Vbe) с отмеченной точкой соответствующей токе покоя А



Значение VBEA =700,2 мВ для транзистора 2N2218.

Сравним значение тока базы покоя с приближенным значением, определенным ранее. = 9*10-5 А – определенное ранее и = 8,76*10-5 А – по графику.

Схема для выходных характеристик. Для транзистора 2N2218 дифференциальное входное сопротивление со стороны базы составило rB DIFF = 367,741 Ом.



Для транзистора 2N2218 дифференциальное входное сопротивление со стороны коллектора составило rС DIFF = 12416 Ом, а проводимость будет равна 8,05 * 10-5 см.



Дифференциальный коэффициент передачи тока базы β в коллекторную цепь в точке покоя равен 97.4259.



Ток эмиттера транзистора в точке покоя IEA = 8,527 мA. Сопротивление эмиттера .



Потенциал базы усилительного каскада VBA в точке покоя по формуле:

= 700,2*10-3 + 8,527*10-3*668,817*10-3 705,9 мВ

876 мкА

Рассчитаем сопротивление нижнего плеча делителя R2:



Рассчитаем сопротивление верхнего плеча делителя R1:



В нашем случае для транзистора 2N2218 получили:

  • IEA = 8,527 * 10-3 A

  • 876 * 10-6 А

  • 705,9 * 10-3 В




Смотрите также файлы