Файл: Кузьмин, А. А. Маломощные усилители с распределенным усилением.pdf

Технические параметры транзисторных усилителей

с распределенным усилением,

разработанных в ЛРУ ТИАСУР

Технические характеристики

Шифр УРУ

УРУ 0,12-Э*)

УРУ 0,14-Э [76]

УРУ 0,27-КБ

/H...f B, МГц

9...120

9.,. НО

10...270

Ке , дБ

37

52

13

аКе - дБ

±3

±1

±1

^ВХ’ вых*

75; 75

75; 75

75;

75

« свн я . «

1,2;

1,5

2;

2

2;

2

ДБ

4,5...6

6

6.. .7

£5„. ДБ при и вых, В эфф

-

-

60 при 0,1

5521, дБ при и вых,

В эфф

-

-

60 при 0,1

Увыхш0Я’ВэФФ при умень­

0,7

—

—

шении Ке на 1 дБ

Количество и тип транзисто

9ХГТ313Б

8ХГТ329

6ХГТ330Д

ров

Питание, В

+ 6,3

± 12,6

±12,6

-12,6

Габариты, мм

220X40X22

270X73X34

68X48X16

Испытания проводились

+ 10...+40

—50.. .+50

—40. ..+50

ири t° С

влажность 95%

П р и м е ч а н и е :

*) Имеется электронная регулировка усиления 26 дБ.

Шифр УРУ

Технические

УРУ 0,35-ЭБ

характеристики

УРУ 0,24-КБ*)

УРУ 0,27-Б**)

jy p y 0,36-ЭБ

[75]

fH.../„ , МГц

40...240

5...270

95...360

95...350

КЕ , дБ

54

8

26

48

Д Ке » дБ

±1

±0,5

±0,8

ГГ±1 1

^йХ, ПЫХ'

75;

75

75; 75

75;

75

75; 75

к с в н вх> вих

1,7;

1,7

2; 2

1,7;

1,7

1,7; 1,7

ДБ

6...8

-

5,5...8

5,5...8

дБ при Um x ,

60 при 0,3

38 при 1,4

52 при 0,02

48 при 0,02

В эфф

Продолжение табл. 10,'ls

Шифр УРУ

Технические

УРУ 0,35-ЭБ

характеристики

УРУ 0,24-КБ*) УРУ 0,27-Б**) УРУ 0,36-ЭБ

[75]

g ) n , дБпри[/вых, Вэфф

60 при 0,3

38 при 1,4

—

—

и вых m a x ’ В

ЭФФ

"Ри

—

—

—

—

уменьшении К.Е

иа 1

дБ

Количество и

тип

тран­

5ХГТ13Б

5ХКТОД4

14ХГТ329

28ХГТ329

зисторов

24ХГТ330Д

5ХГТ311

Питание, В

±12,6

±12,6

±12,6

±12,6

Габариты, мм

-

-

220X70X32 220X70X64

Испытания проводились

—40... +50

+20

—10...+60

—10. ..+60

при t ° С

Примечание: *)

Имеет амплитудный выравниватель,

работает

на ка'ель ВКПАП

длиной 1

км.

**)

Потребляемый ток 200 мА.

Технические характеристики

Шифр УРУ

УРУ 0,48-ЭБ [76]**)

УРУ 0,39-ЭБ | УРУ 0,45-Э*)

Технические характеристики

Шифр УРУ

УРУ 0,40-Б

УРУ 0,50-КЭ

УРУ 0,54-ЭБ 173]

МГц

10...400

2 .^.500

3...540

Ке , дБ

10,5

14

24,5

*KE , дБ

±1,5

±1

±1

*вх,

, н , ' 0м

50;

50

50;

50

75;

75

КСВНвх, вЫ*

1,5;

1,5

1,7;

1,7

2; 1,7

Fm- дБ

7...8

7...8

4...6

Юп - дБ при С/вых, В эфф

-

-

-

Ю г1>дБ при и вых, В эфф

20 при 1

37 при 1

-

и вых max' В ЭФФ "РИ Умень'

—

—

0,3

шепни Ке

на 1 дБ

Количество и тин транзисто­

16ХГТ329А

6ХГТ612А

12ХГТ329

ров

Питание, В

±12,6

-12.6

±12,6

Габариты, мм

180x54x17

120x 70x18

140X70X14

Испытания проводились при

+20

+ 20

—50...+55,

t° С

влажность 98%

Технические характеристики

Шифр УРУ

УРУ 0,60-ЭБ

УРУ 0,82-Э*) |

УРУ 1,10-ЭБ**) j

МГц

75...600

2...820

5...1100

Ке > дб

23

9,5

D

ДKg,

дБ

±0,7

±1

±1

вх, вых

Ом

75;

75

50; 50

50;

50

к с в н ах_ввх

2; 2,3

2; 2

1,9;

1,8

Г т- ДБ

5 ...7

-

7,5...8,6

SDn >дБ при Уввх, В эфф

40 при 0,12

-

-

S ) 2V

дБ при UEBX, В эфф

47 при 0,12

-

-

и .ы1

max' В Э*Ф "Ри Умень-

1,0

—

шении E g

на 1 дБ

Технические характеристики

Шифр УРУ

УРУ 0,60-ЭБ

УРУ 0,82-Э*)

УРУ 1,10-ЭБ**)

Количество и тип транзисто­

16ХГТ329А

3 шт.

12ХГТ329А

ров

Питание, В

±12,6

±12,6

±12,6

Габариты, мм

181X52X20

89X59X18

140x 70x14

Испытания проводились при

+20,

+60

+ 20

+20

t° С

П р и м е ч а н и е : *) Применены транзисторы с fT= 2,4...2,7

ГГц.

**)

Коэффициент шума снимался до 700 МГц.

Технические' характеристики

Шифр УРУ

УРУ 1,25-ЭБ

УРУ 1,15-ЭБ

УРУ 1,52-ЭБ***)

f u - f . - МГд

450...1250

2...1150

0,5...1525

/(£ , дБ

20

24

18

дБ

±1

±1 ^

±1

*вх, вых0м

75:

75

75; 75

50:

50

КСВНвх, вых

2;

2*)

1,5;

1,7

1,8;

1,4

F m- дБ

6...8,5*)

-

—

g ) lV

ДБ при и вых, В эфф

-

—

-

■0 2 1 -

дБ ПРИ и вых’ В ЭФ*

42 при 0,1

—

-

Увых m ax'

В>ФФ при умень­

1,0

—

-

шении Ке на

1 дБ

Количество и тип транзи­

12 шт.**) ]

12ХГТ341А

12 шт.

сторов

Питание, В

±12,6

±12,6

±12

Габариты, мм

154X44X18

140X50X20

50X40X36

Испытания проводились при

+20, +60

+ 20

+ 20

t° С

Примечание: *) В полосе частот 500... 1500 МГц.

**) Применены транзисторы с fT=

2,4.. .2,7

ГГц.

***) Применены транзисторы с /4=2,4...2,7 ГГц.

Время установления 0,3 нс.