Файл: Кацман, Ю. А. Электронные и квантовые приборы сверхвысоких частот учебное пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.10.2024

Просмотров: 78

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

наковы, то процессы вынужденного излучения и поглощения равновероятны. Поэтому при достаточно большой накачке населенности первого и третьего уровней будут одинаковы. Пусть населенности уровней в состоянии термодинамического

равновесия

равны Nu N2 и N3 соответственно,

а при накачке

я ь п2 и п3.

^

-

N, + N3

1 огда в рассматриваемом

случае п\ = п3 = — ^— •

Так как

N i > N 2> N 3, то при определенных условиях, кото­

рые рассматриваются ниже, населенность третьего уровня п3 окажется больше населенности второго уровня п2, т. е. будет иметь место инверсное состояние, которое может быть ис­ пользовано для работы усилителя на частоте v32. За счет взаимодействия с кристаллической решеткой ионы могут со­ вершать переходы не только с третьего уровня на первый, но и с третьего на второй и со второго на первый. Пусть соответ­ ствующие времена спин-решеточной релаксации будут Тзи Т32, Т2\. Очевидно, создание инверсии облегчается, если T32> T 2i, так как в этом случае накопление населенности третьего уровня облегчается и, наоборот, второй уровень быстро очи­ щается от находящихся на нем ионов.

Рассмотрим, каким должно быть расположение второго уровня, чтобы была возможна работа по разбираемой схеме,

когда рабочей является частота V3 2 .

 

(8.4) при

В соответствии с распределением Больцмана

8i=8s .

_

6>W

 

_ Wa-W,

(14.1)

N 3 = N,e kT

= N xe

kT ,

где Д Г =W a — Wl.

 

 

 

В диапазоне СВЧ AW<£kT и поэтому

 

 

Л ^ Л ^ ( 1 - 4 ^ ) .

 

(14.2)

Иначе говоря, для диапазона СВЧ населенность уровней убы­ вает по обычному линейному закону.

Пусть

W2 - Wx = mbW,

где величина m определяет положение второго уровня. Тогда

При достаточно интенсивной накачке

 

 

д, =

Nt + N3

и ™ (•--£)

Д Г

\

 

2

2kT)'

 

119



Для получения инверсии необходимо соблюдение неравенства

n3 > N 2

(14.3)

или

Отсюда следует, что

т > \ ,

kT )

(14.4)

т. е. второй уровень должен лежать выше середины между

крайними

уровнями.

 

 

 

 

Иначе это условие можно записать в виде:

 

 

 

 

 

v32 <

vsi,

(14.5)

где

V32 и V21 — частоты, соответствующие разностям энергии

W3— W2 и Wa— Wi.

 

 

 

 

Если учесть неравенство времен спин-решеточной релак­

сации, то это же неравенство переходит в следующее:

 

 

 

 

 

 

(14.6)

В качестве

рабочей пары

уровней могут быть

использованы

и уровни 1

и 2

(см. рис.

43). Тогда для создания инверсной

населенности необходимо

выполнение неравенства:

 

 

 

 

1 21

1 3S

(14.7)

 

 

 

 

 

а

при Т2\ ~ Т 32

должно

быть

V2 i<"V3 2 , как и

показано на

рисунке. Таким

образом,

инверсия образуется

на переходе

с большим временем спин-решеточной релаксации и с мень­ шей частотой перехода.

Создание инверсии облегчается при понижении темпера­ туры. Это объясняется не только большим увеличением вре­ мени спин-решеточной релаксации, но и уменьшением исход­ ной населенности второго уровня N2, за счет чего неравен­

ство (14.3) усиливается.

§ 14.3. Общие требования к рабочим веществам КПУ. Типы рабочих реществ КПУ. Рабочее вещество должно обла­ дать подходящим набором уровней, который обеспечивает работу на нужной частоте и достаточно удобную частоту на­ качки. Уровней должно быть не менее двух, но и не слишком много, так как иначе много ионов будет находиться на не­

120


рабочих уровнях. Обычно нужный набор уровней может полу­ читься только при наличии начального расщепления уровней энергии иона в поле кристаллической решетки. Величина этого начального расщепления должна быть близка к часто­ те сигнала. Время спин-решеточной релаксации должно быть достаточно большим, чтобы КПУ мог работать при приемле­ мых мощностях генератора накачки.

Уровни энергии не должны быть расщеплены или сильно уширены за счет влияния магнитного момента ядра или за счет сильной неоднородности кристалла.

Рабочее вещество должно быть холодостойким и выдер­ живать периодические охлаждения до температуры жидкого гелия, обладать достаточной химической инертностью и и влагостойкостью, допускать механическую обработку.

Рабочие вещества КПУ содержат парамагнитные ионы, находящиеся в виде примеси в кристалле. Парамагнитными свойствами обладают ионы так называемых переходных групп системы Менделеева. У ионов этих групп при заполнен­ ной внешней оболочке имеется незаполненная внутренняя оболочка. В результате этого магнитный момент иона не ра­ вен нулю, поэтому ион обладает парамагнитными свойст­ вами. Всего имеется 5 переходных групп, которые содержат 48 элементов. Из числа этих элементов нужно за непригод­ ностью исключить ионы, имеющие суммарный спин 1/2 и со­ ответственно только 2 уровня, а также элементы, распрост­ раненные изотопы которых имеют ядерный спин. Следует также исключить ионы очень редких и радиоактивных эле­ ментов, ионы, дающие малое время спин-решеточной релак­ сации и ионы, дающие малое нулевое расщепление. В резуль­ тате наиболее подходящими оказываются трехзарядные ионы хрома Сг3+, гадолиния Gd3+ и железа Fe3+. Из приведенной ниже таблицы видно, что лучшее число уровней энергии име­

ет ион

хрома.

 

 

 

 

Ион

Суммарный

Расщепление

Начальное рас­

спин 5

в магнитном поле

щепление

 

Сг3+

3/2

4

уровня

2

уровня

Fe3~

5/2

6

уровней

3

 

Gd3+

7/2

8

.

4

.

Наиболее употребительным рабочим веществом КПУ является рубин, представляющий собой кристалл корунда

121


АЬОз, в котором часть ионов А13+ замещена ионами Сг3+. Чаще всего используется рубин с примесью около 0,05% Сг3+ (бледно-розовый рубин). Увеличение концентрации ионов хрома вызывает рост кросс-релаксационных процессов и за­ трудняет работу КПУ. Кристаллы рубина легко изготавли­ ваются из расплава, обладают хорошей холодоустойчиво­ стью, не гигроскопичны; допускают механическую обработку.

Выше было рассмотрено расщепление уровней энергии парамагнитных ионов под влиянием магнитного поля (см. рис. 38). На рис. 56 показан характер этого расщепления для ионов со спином 3/2, введенных в кристаллическую решетку.

Меняя величину напряженности внешнего магнитного по­ ля и угол между направлением магнитного поля и осью кри­ сталла, можно получить большое количество трехуровневых систем с разными частотами сигнала и накачки. Практиче­ ски с помощью рубиновых КПУ может быть перекрыт весь сантиметровый и коротковолновая часть дециметрового диа­

пазона длин волн.

Ширина спектральной линии рубина зависит от концент­ рации ионов и варьируется в пределах 50—75 МГц (первая цифра относится к светло-розовым рубинам с малой кон­ центрацией хрома, вторая к темно-красным рубинам с содер­

жанием хрома до 0,3—0,5%).

Для работы в области' миллиметровых волн нужно иметь большее начальное расщепление, чем в рубине, и соответст­ венно более широко расщепленную систему уровней при тех же значениях магнитного поля. С этой целью используется ряд рабочих веществ. Рутил ТЮ2 используется с ионами Сг3+

и Fe3+. В первом случае начальное

расщепление равно

43,3 ГГц, во втором случае 43,3; 81,3;

124,6 ГГц (ион Fe3+

дает начальное расщепление на 3 уровня). Ионы Сг3+ исполь­ зуются в примеси к кристаллам берилла (изумруда). На­ чальное расщепление равно при этом 53,5 ГГц.

Все перечисленные вещества удовлетворяют комплексу требований, предъявляемых к рабочим веществам КПУ.

Г л а в а 15

Типы и конструкции КПУ

Для практического осуществления КПУ парамагнитный кристалл следует поместить в постоянное магнитное поле, охладить до температуры, близкой к абсолютному нулю, и подать на него электромагнитные поля сигнала и накачки.

Взаимодействие этих полей с кристаллом обеспечивается в объемном резонаторе или волноводе. В зависимости от ти­

122