Файл: Кацман, Ю. А. Электронные и квантовые приборы сверхвысоких частот учебное пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2024
Просмотров: 78
Скачиваний: 1
наковы, то процессы вынужденного излучения и поглощения равновероятны. Поэтому при достаточно большой накачке населенности первого и третьего уровней будут одинаковы. Пусть населенности уровней в состоянии термодинамического
равновесия |
равны Nu N2 и N3 соответственно, |
а при накачке |
|
я ь п2 и п3. |
^ |
- |
N, + N3 |
1 огда в рассматриваемом |
случае п\ = п3 = — ^— • |
||
Так как |
N i > N 2> N 3, то при определенных условиях, кото |
рые рассматриваются ниже, населенность третьего уровня п3 окажется больше населенности второго уровня п2, т. е. будет иметь место инверсное состояние, которое может быть ис пользовано для работы усилителя на частоте v32. За счет взаимодействия с кристаллической решеткой ионы могут со вершать переходы не только с третьего уровня на первый, но и с третьего на второй и со второго на первый. Пусть соответ ствующие времена спин-решеточной релаксации будут Тзи Т32, Т2\. Очевидно, создание инверсии облегчается, если T32> T 2i, так как в этом случае накопление населенности третьего уровня облегчается и, наоборот, второй уровень быстро очи щается от находящихся на нем ионов.
Рассмотрим, каким должно быть расположение второго уровня, чтобы была возможна работа по разбираемой схеме,
когда рабочей является частота V3 2 . |
|
(8.4) при |
|
В соответствии с распределением Больцмана |
|||
8i=8s . |
_ |
6>W |
|
_ Wa-W, |
(14.1) |
||
N 3 = N,e kT |
= N xe |
kT , |
|
где Д Г =W a — Wl. |
|
|
|
В диапазоне СВЧ AW<£kT и поэтому |
|
|
|
Л ^ Л ^ ( 1 - 4 ^ ) . |
|
(14.2) |
Иначе говоря, для диапазона СВЧ населенность уровней убы вает по обычному линейному закону.
Пусть
W2 - Wx = mbW,
где величина m определяет положение второго уровня. Тогда
При достаточно интенсивной накачке |
|
|
||
д, = |
Nt + N3 |
и ™ (•--£) |
Д Г |
\ |
|
2 |
2kT)' |
|
119
Для получения инверсии необходимо соблюдение неравенства
n3 > N 2 |
(14.3) |
или
Отсюда следует, что
т > \ ,
kT )
(14.4)
т. е. второй уровень должен лежать выше середины между
крайними |
уровнями. |
|
|
|
||
|
Иначе это условие можно записать в виде: |
|
||||
|
|
|
|
v32 < |
vsi, |
(14.5) |
где |
V32 и V21 — частоты, соответствующие разностям энергии |
|||||
W3— W2 и Wa— Wi. |
|
|
|
|||
|
Если учесть неравенство времен спин-решеточной релак |
|||||
сации, то это же неравенство переходит в следующее: |
||||||
|
|
|
|
|
|
(14.6) |
В качестве |
рабочей пары |
уровней могут быть |
использованы |
|||
и уровни 1 |
и 2 |
(см. рис. |
43). Тогда для создания инверсной |
|||
населенности необходимо |
выполнение неравенства: |
|||||
|
|
|
|
1 21 |
1 3S |
(14.7) |
|
|
|
|
|
||
а |
при Т2\ ~ Т 32 |
должно |
быть |
V2 i<"V3 2 , как и |
показано на |
|
рисунке. Таким |
образом, |
инверсия образуется |
на переходе |
с большим временем спин-решеточной релаксации и с мень шей частотой перехода.
Создание инверсии облегчается при понижении темпера туры. Это объясняется не только большим увеличением вре мени спин-решеточной релаксации, но и уменьшением исход ной населенности второго уровня N2, за счет чего неравен
ство (14.3) усиливается.
§ 14.3. Общие требования к рабочим веществам КПУ. Типы рабочих реществ КПУ. Рабочее вещество должно обла дать подходящим набором уровней, который обеспечивает работу на нужной частоте и достаточно удобную частоту на качки. Уровней должно быть не менее двух, но и не слишком много, так как иначе много ионов будет находиться на не
120
рабочих уровнях. Обычно нужный набор уровней может полу читься только при наличии начального расщепления уровней энергии иона в поле кристаллической решетки. Величина этого начального расщепления должна быть близка к часто те сигнала. Время спин-решеточной релаксации должно быть достаточно большим, чтобы КПУ мог работать при приемле мых мощностях генератора накачки.
Уровни энергии не должны быть расщеплены или сильно уширены за счет влияния магнитного момента ядра или за счет сильной неоднородности кристалла.
Рабочее вещество должно быть холодостойким и выдер живать периодические охлаждения до температуры жидкого гелия, обладать достаточной химической инертностью и и влагостойкостью, допускать механическую обработку.
Рабочие вещества КПУ содержат парамагнитные ионы, находящиеся в виде примеси в кристалле. Парамагнитными свойствами обладают ионы так называемых переходных групп системы Менделеева. У ионов этих групп при заполнен ной внешней оболочке имеется незаполненная внутренняя оболочка. В результате этого магнитный момент иона не ра вен нулю, поэтому ион обладает парамагнитными свойст вами. Всего имеется 5 переходных групп, которые содержат 48 элементов. Из числа этих элементов нужно за непригод ностью исключить ионы, имеющие суммарный спин 1/2 и со ответственно только 2 уровня, а также элементы, распрост раненные изотопы которых имеют ядерный спин. Следует также исключить ионы очень редких и радиоактивных эле ментов, ионы, дающие малое время спин-решеточной релак сации и ионы, дающие малое нулевое расщепление. В резуль тате наиболее подходящими оказываются трехзарядные ионы хрома Сг3+, гадолиния Gd3+ и железа Fe3+. Из приведенной ниже таблицы видно, что лучшее число уровней энергии име
ет ион |
хрома. |
|
|
|
|
|
Ион |
Суммарный |
Расщепление |
Начальное рас |
|||
спин 5 |
в магнитном поле |
щепление |
||||
|
||||||
Сг3+ |
3/2 |
4 |
уровня |
2 |
уровня |
|
Fe3~ |
5/2 |
6 |
уровней |
3 |
|
|
Gd3+ |
7/2 |
8 |
. |
4 |
. |
Наиболее употребительным рабочим веществом КПУ является рубин, представляющий собой кристалл корунда
121
АЬОз, в котором часть ионов А13+ замещена ионами Сг3+. Чаще всего используется рубин с примесью около 0,05% Сг3+ (бледно-розовый рубин). Увеличение концентрации ионов хрома вызывает рост кросс-релаксационных процессов и за трудняет работу КПУ. Кристаллы рубина легко изготавли ваются из расплава, обладают хорошей холодоустойчиво стью, не гигроскопичны; допускают механическую обработку.
Выше было рассмотрено расщепление уровней энергии парамагнитных ионов под влиянием магнитного поля (см. рис. 38). На рис. 56 показан характер этого расщепления для ионов со спином 3/2, введенных в кристаллическую решетку.
Меняя величину напряженности внешнего магнитного по ля и угол между направлением магнитного поля и осью кри сталла, можно получить большое количество трехуровневых систем с разными частотами сигнала и накачки. Практиче ски с помощью рубиновых КПУ может быть перекрыт весь сантиметровый и коротковолновая часть дециметрового диа
пазона длин волн.
Ширина спектральной линии рубина зависит от концент рации ионов и варьируется в пределах 50—75 МГц (первая цифра относится к светло-розовым рубинам с малой кон центрацией хрома, вторая к темно-красным рубинам с содер
жанием хрома до 0,3—0,5%).
Для работы в области' миллиметровых волн нужно иметь большее начальное расщепление, чем в рубине, и соответст венно более широко расщепленную систему уровней при тех же значениях магнитного поля. С этой целью используется ряд рабочих веществ. Рутил ТЮ2 используется с ионами Сг3+
и Fe3+. В первом случае начальное |
расщепление равно |
43,3 ГГц, во втором случае 43,3; 81,3; |
124,6 ГГц (ион Fe3+ |
дает начальное расщепление на 3 уровня). Ионы Сг3+ исполь зуются в примеси к кристаллам берилла (изумруда). На чальное расщепление равно при этом 53,5 ГГц.
Все перечисленные вещества удовлетворяют комплексу требований, предъявляемых к рабочим веществам КПУ.
Г л а в а 15
Типы и конструкции КПУ
Для практического осуществления КПУ парамагнитный кристалл следует поместить в постоянное магнитное поле, охладить до температуры, близкой к абсолютному нулю, и подать на него электромагнитные поля сигнала и накачки.
Взаимодействие этих полей с кристаллом обеспечивается в объемном резонаторе или волноводе. В зависимости от ти
122