Файл: Стабилизация параметров транзисторных усилителей..pdf

= | / " [(5,5-0,231)г+ 0 ,107=4-0,19*+(8,14.0,2)*+(2,58.0,2)*] =

= 0,87;

_

= | / [ ( 4 , 5 . 0 , 2 3 1 ) г+0,107г+ 0,19г+ (1 ,9 3 .0 12)24-(11,5.0,2)2] =

= 1.05;

Ы к» _ Тш

= ] / " -g" [(5,3.0,231)2+ 0,1072+0,192 + (5.47-0.2)2 + (3,13-0,2)2] «

= 0,72;

Д/К4 _ /к

“ ] / * 4 " [(4.7-0.231)* + 0,1072+0,192 + (2,47-0, 2)2 +(7,35-0,2)2] = -

= 0,775;

А/r К5.

= 0,66;

А^ко __ /к -

~ \ “б" [(4«9-0,231)2 + 0.1072 + 0 ,1 9 2 + (3,2-Q.2)2 + (5,4-0,2)г]

- 0 , 7 ,

y ^ - l = К 0 . 8 7 а + 1 ,0 5 * + 0 J 2 * + 0^75*’+ 0 ,6 6 * + 0,7**» 1,97. 'К J ï

С учетом этого ошибка аппроксимации, допускаемая при qa = 1, составляет:

10-3. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ НЕСТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ НА РАЗБРОС ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЕЙ

Д л я и с с л е д о в а н и й б ы л о о т о б р а н о из р а зл и ч н ы х п а р т и й 11 т р а н з и с т о р о в М П 1 3 Б , д а н н ы е к о э ф ф и ц и е н т а п е р е д а ч и т о к а б а з ы и о б р а т н о г о т о к а к о л л е к т о р а к о т о р ы х п р и в е ­ д ен ы в т а б л . 10-6.

Э к с п е р и м е н т а л ь н ы е и с с л е д о в а н и я п р о в о д и л и с ь н а у с и л и т е л ь н ы х к а с к а д а х с ф и к с и р о в а н н ы м с м е щ е н и е м , а т а к ж е с п о с л е д о в а т е л ь н о й О О С п р и 5 2 = 3 ,2 и s '2 = l , l . В о в т о р о м с л у ч а е в о с п р о и з в о д и л с я п р а к т и ч е с к и п р е д е л ь ­ но ж е с т к и й р е ж и м с т а б и л и з а ц и и р а б о ч е й то ч к и .

Н а к а ж д о м и з к а с к а д о в у с т а н а в л и в а л и с ь п о л у ч е н н ы е п у тем р а с ч е т а н о м и н а л ь н ы е з н а ч е н и я с о п р о т и в л е н и й р е ­ з и с т о р о в , а з а т е м п р о и з в о д и л а с ь с м е н а т р а н з и с т о р о в . Д л я с р а в н е н и я б ы л и в ы п о л н е н ы р а с ч е т ы п а р а м е т р о в у с и л и т е л е й , п о д в е р г а в ш и х с я э к с п е р и м е н т а л ь н ы м и с с л е ­ д о в а н и я м , к о т о р ы е п р и в о д я т с я д а л е е .

= у Л4 - [(1,24.(),4 19 )2 + (О ,82-0 ,419)2] = 0 ,4 4 .

В соответствии с изложенным ранее примем, что на каждом из линейных участков зависимости параметров транзисторов от деста­ билизирующих факторов (колебаний температуры, коллекторного то­ ка и напряжения на коллекторе) подчиняются закону равномерного распределения. Тогда при композиции двух участков (партий тран­ зисторов) будет иметь место распределение Симпсона, для которого

Для зависимости сопротивления базы от колебаний коллекторно­ го напряжения, учитывая, что согласно (9-113)

2 ,- 5" (° -05 0 - 17)= = °-9 - >0- =;

при нормальном законе распределения

С учетом этого из (2-9) и (6-38)

Поле допуска сопротивления базы при нормальном законе рас­ пределения

= 0,122-6 = 0,732.

Для сопротивления эмиттера с учетом (2-11) и (6-39):