Файл: 000810.pdf

А.3.3.8 У транзистора п-р-п надмірна концентрація електронів на емітерному переході дорівнює 1020м-3. Площі переходів А однакові і дорівнюють 1·10-6м2, ефективна ширина бази WБ = 4·10-5м; рухливість електронів

μп = 0,39м2 В−1с−1 при Т =300К . Визначитиструмколектора.

А.3.3.9 В р-п-р транзисторі площі емітерного і колекторного переходів однакові і дорівнюють 1·10-6м2. Надмірна концентрація дірок в емітерному

А.3.3.10 Концентрації домішок транзистора р-п-р і ширина бази виконані так, що тільки один відсоток дірок, що інжектовані з емітера, губиться при рекомбінації у базі. Визначити коефіцієнт інжекції.

А.3.3.11 Концентрація домішок у всіх областях транзистора р-п-р і ширина бази така, що тільки 1% дірок, які інжектуються з емітера, втрачається при рекомбінації у базі. Нехтуючи струмами витоку, знайти коефіцієнт передачі струму емітера, якщо електронна складова струму емітера InE = 0,01ІЕ , а коефіцієнт множення в колекторному переході М =1.

струму до електронного на переході емітер-база.

А.3.3.13 Діод на основі транзистора п-р-п з вільним колектором має прямий струм ІЕ = 2мА; ІКБ0 = 2мкА; ІЕБ0 =1,6мкА, α = 0,98 . Визначити напругу на переходах.

А.3.3.14 Прямий струм емітера п-р-п транзистора ІЕ = 2мА, колекторне коло розірвано. Визначити напругу емітер-колектор при

ІКБ0 = 2мкА; ІЕБ0 =1,8мкА, α = 0,98 .

А.3.3.15 Визначити постійний струм бази р-п-р транзистора при

Т =300К , коли ІК =1мА; τр =1,7 10−6 с; μр = 0, 2м2 В−1с−1 ; WБ =10−5 м .

А.3.3.16 Визначити коефіцієнти передачі при постійному струмі α, h21Е і зворотному струмі колектора ІКЕ0 в транзисторі за схемою з загальним емітером, коли ІК =1мА, ІБ = 20мА, ІКБ0 =10−8 А.

А.3.3.17 У транзистора р-п-р α = 0,98; ІКБ0 = 5мкА; ІЕБ0 = 3,57мкА. Визначити струми транзистора ІК та ІЕ, якщо обидва переходи увімкнені в зворотному напрямку.

струму бази та інжекції.

180

А.3.3.19 Визначити струм колектора транзистора, якщо струм бази

ІБ = 20мкА, ІКБ0 =1мкА, γ = 0,99 , β = 0,995 , а М =1 .

А.3.3.20 База транзистора з концентрацією домішок 1021м-3 має коефіцієнт передачі струму на низькій частоті β = 30 . Визначити час життя неосновних носіїв заряду у базі, якщо коефіцієнт інжекції γ =1, а коефіцієнт

Na =1018 см−3 має розміри активної області бази 1,0×1,0×0, 2мкм. Скільки електронів містить базова область при рівновазі?

А.3.3.26 Транзистор п-р-п має концентрацію домішок Na =1018 см−3 і розміри активної області бази 1×1×0,2мкм. Визначити кількість домішкових атомів у базі, враховуючи, що всі атоми іонізовані.

Визначити кількість атомів кремнію в базі.

А.3.3.28 Транзистор п-р-п працює в активній області і має такі

передачі β транзистора. Коефіцієнт передачі α транзистора розрахувати за формулою

181

А.3.3.34 Як впливає на ефективність емітера і коефіцієнт переносу збільшення питомої провідності області бази в двох випадках: а) при пропорційній зміні питомої провідності емітерної області; б) при незмінній питомій провідності емітерної області?

А.3.3.35 Поясніть, чому при зміні питомої провідності в області бази змінюється коефіцієнт передачі струму емітера, навіть якщо ефективність емітера підтримується постійною одночасною зміною питомої провідності емітерної області.

А.3.3.36 Покажіть, що в активному режимі в транзисторі р-п-р відношення діркового і електронного струмів ІрЕ / ІпЕ , що протікає через

емітерний перехід, прямо пропорційне відношенню питомих провідностей матеріалів р- і п-типу.

А.3.3.37 Через транзистор типу р-п-р тече постійний струм і концентрація дірок в базі більша за рівноважне значення. Що буде відбуватися в результаті цього з концентрацією електронів у базі?

182

А.3.3.38 Розрахувати і побудувати графік залежності струму емітера від напруги UЕБ ідеального транзистора, у якого коефіцієнт передачі

переходу UКБ = 0В; б) на колекторний перехід подано зворотну напругу 10В.

Розподіленим опором бази знехтувати.

А.3.3.39 Визначити емітерний і колекторний струми для ідеального транзистора, що працює в режимі відсікання, якщо зворотний струм колектора ІКБ0 = 5мкА, зворотний струм емітера ІЕБ0 = 3,6мкА, коефіцієнт

передачі струму емітера α = 0,96 .

А.3.3.40 У деякого р-п-р транзистора α = 0,98 ; αі = 0,8 ; ІКБ0 =10−9 А; ІЕБ0 = 0,816 10−9 А. Визначити: а) струми ІЕ і ІК при UЕБ = −0,36В і U КБ =10В ; б) напругу колектор-емітер, якщо ІЕ =10мА і ІК = 5мА (режим насичення).

А.3.3.41 При зворотній напрузі на емітерному переході при температурі навколишнього середовища Т=25°С струм емітера дорівнює 10-12А. Чому буде дорівнювати (теоретично) струм емітера при прямій напрузі 0,7 В ? Який це транзистор германієвий чи кремнієвий? Впливом температури на струм знехтувати.

А.3.3.42 Транзистор, який має α = 0,995 , αі = 0,1, ІЕБ0 =10−14 А; ІКБ0 =1013 А, увімкнутий в схему на рис. А.3.1. Визначити напругу UКЕ, а також струми ІЕ ; ІК; ІБ .

Рисунок А.3.1

А.3.3.43 У кремнієвого р-п-р транзистора ширина бази W =1мкм, питомий опір бази ρБ = 0,5Ом см, питомий опір колектора значно

менший питомого опору бази. Визначити напругу проколу бази.

А.3.3.44 При досить великій напрузі на колекторному р-п-переході його збіднений шар проникає крізь базу і колектор змикається з емітером. Це явище (прокол бази) виникає в деякому германієвому транзисторі при зворотній напрузі на колекторному переході 30В. Вважаючи, що колектор легований домішками значно більший, ніж база, яка містить концентрацію домішок 1021м-3,визначити ширину бази при відсутності напруги зміщення. Відносна діелектрична проникність германію ε =16 .

183