Файл: TOE-MK-1 ответы.doc

Скачать файл (31,81Мб)

Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.03.2024

Просмотров: 7

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Мiкроклiмат та виробнича гігієна.

До кліатичних параметрів виробн. рриміщ. Відносять темп та вологість, сукупність яких визначає поняття мікроклімату (повна). Із-за вологості повітря в виробн. Приміщ. Відбув арбсорція парів води на поверхню пластини, що може при нагрів. Призв до утворення небажаних оксидів, тому вологість у вир приміщ повинна бути мін.

Повну температуру необхідно проводити при проведенні опер літографії та при виготов фото обміну. За температурою вологості параметри виробн. Приміщ можна розділити на 3 класи:

(найчастіше примінюється у вир. Приміщ.) В літку і в зимку темпер 22 С+-0,5, вологість 45%
Літку темпре (20+-1) С, зимку (32+-1) С, влолог- 50%+-5%
Літку (20+-2) С, зима (23+-2) С, волог – 501%+-10%

Виробнича гігієна – це комплекс технол. Та організац. – техн.. засобів, спямованих на забезпечення чистоти у вир. Приміщ. Та чистоти технол. Середовищ.

Мета – підвищення якості випускних виробів.

З точки зору виробн.. гігієни приміщ. Зарактерн. Запиленістю. Запил. Прийнята оцінка кількості чистоти, розмір яких більша 0,5 мкм., які знах. В 1 л повітря.

З точки зору запил. Вир. Приміщ ділять на 5 класів:

Клас	1	2	3	4	5
кількості чистоти, розмір яких більша 0,5 мкм	4	35	350	1000	3500

2.Класифікація технологічних процесів за призначенням у виробництві.

Класифікація технологічних процесів оброблюючої групи.
Вимоги до кремнiєвих пластин

Зобразити структуру елементів напівпровідникових інтегральних мікросхем:

а) МОН - транзистор;

б) діод на базі біполярного транзистора.

а) біполярний транзистор;

б) конденсатор на базі МОН-транзистора.

б) резистор на базі біполярного транзистора.

б) діод на базі МОН-транзистора.

б) конденсатор на базі біполярного транзистора

а) резистор на базі МОН-транзистора.

Зобразити та описати послідовність формування дифузійно-планарної структури напівпровідникових мікросхем на прикладі транзистора

На першому етапі на пластину наноситься шар оксиду кремнію SiO 2 (рис.1 а).
У цьому шарі шляхом літографії вибірково витравлюють ділянки прямокутної форми (рис 1 б)
та через утворені вікна шляхом термічної дифузії вводяться атоми домішки донора. Після цього проводиться термічне окиснення (рис 1 в).
У результаті на поверхні монокристала знову утворюється суцільний шар SiO 2 . Таким чином, одночасно створюються колекторні області всіх транзисторів . Вторинним повторним травленням вікон менших розмірів у шарі оксиду та подальшою дифузією акцепторної домішки формуються базові області транзисторів з провідністю р-типу (рис.1 г, д).

Далі в результаті наступних циклів: літографії, дифузії та окиснення виготовляються області емітерів, а також високолеговані ділянки з провідністю n + - типу для створення низькоомних контактів (рис 1 є, ж).

Для створення міжелементного зв’язку у шарі оксиду відкриваються методом фотолітографії вікна (рис.1 з)
і пластина покривається суцільною металевою плівкою, як правило, з алюмінію (рис.1 і),
при цьому у місцях, вільних від оксиду, утворюються контакти з відповідними областями кремнію. Завершальний цикл літографії по плівці алюмінію дозволяє створити систему з’єднань та периферійні контактні майданчики в кристалах (рис.1 к) .

.Зобразити та описати послідовність формування епітаксійно-планарної структури без схованого шару напівпровідникових мікросхем на прикладі транзистора

Для того, щоб виготовити просту епітаксійно-планарну структуру, як вхідну заготовку можна взяти монокристалічну пластину кремнію п-р-типу.
Готоють до епітаксії (шліфування, полірування, очищення))
У поверхневому шарі оксиду відкривають вікна (рис. 2.6,б) через які проводять дифузію донорної домішки з високою концентрацією, після чого поверхня окислюється.
Методом літографії травляться вікна у вигляді тонких замкнутих доріжок по контуру колекторних областей транзистора (рис.2.4.г).
Провівши через вікна дифузію акцепторних домішок до змикання їх з р-областями пластини, отримують таким чином ізольовані один від одного острівці рівномірно легованого кремнію з провідністю п-типу (рис.2.4, д). Такий процес дифузії отримав назву ізолюючої або роздільної.
В отриманій на даній стадії заготівці формують базові та емітерні ділянки транзистора, а також системи з’єднань (рис.2.4.,е).

Концентрація легуючих домішок у епітаксійній плівці (N) можна змінювати у широких межах, але з підвищенням концентрації домішок у епітаксійному колекторі зменшується пробивна напруга переходу база-колектор (рис.2.5).

Рисунок 2.5. Характер залежності електропровідності () епітаксійного шару та пробивної напруги переходу від концентрації легуючої домішки (N)

Компромісне вирішення вдалось отримати у використанні так званого схованого шару на дні колектора з провідністю n⁺ у епітаксійно-планарній структурі зі схованим шаром. У цьому випадку епітаксійний колектор легується потрібного концентрацією домішки, розрахованої із умови пробою переходу база-колектор, низький опір колектора забезпечується паралельно включеним схованим шаром з провідністю n⁺-типу.