Файл: Отчет по производственной практике пм. 01Разработка конструкций типовых деталей и узлов радиоэлектронных приборных устройств и систем.docx

В

Цех

Уч

РМ

Опер

Код, наименование операции

Г

Маршрутная карта

Д

Код, наименование оборудования

Е

См

Проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт.

Т п.з.

Т шт.

Л/М

Печатные платы блока питания и усилителя мощности АБ класса

Н/М

10102

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н расх

B01

030 03 015 ПОДГОТОВКА ЭРЭ К ЭЛЕКТРОМОНТАЖУ

Г02

Инструкция №32/20

Д03

Верстак 1-2-2 ОСАТ.ГО.660.006; Пинцет ПГТМ-120 ОСТ4, 060.013; Чашка 98.99045-04

F04

Тигель 1582-0030; кисть КХЖК№1; Стойка 3 ОСТ4 ГО.060.053

О05

Извлечь диодный мост VDS из технологической тары;

O06

Флюсовать выводы диодного моста погружением в чашку с флюсом.

О07

Лудить выводы диодного моста VDS погружением их в тигель

О08

ПРИМЕЧНИЕ: Время лужения не более 2 сек, температура лужения не более 250 С

О09

Извлечь конденсаторы C1,C2,C3 из технологической тары и отформовать их выводы

О10

Лудить выводы конденсаторов C1,C2,C3 погружением их в тигель

О11

Повторить переходы О09...О10,O05 для резистора R1,R2,R3,R4

О12

Извлечь биполярный транзистор VT1 из технологической тары и припаять его выводы к соединительным проводам разъёма подключающегося к плате предварительно их обладив

О13

Повторить переходы О09...О10,O05 для стабилитрона VD4

О14

Повторить переходы О09...О10,O05 для диодов VD1-VD2

О15

Повторить переходы О05...О07, О09 для биполярных транзисторов VT2-VT3

МК

ГОСТ 3.1118-82 Форма 36

1   2   3   4   5   6   7

---

В

Цех

Уч

РМ

Опер

Код, наименование операции

Г

Маршрутная карта

Д

Код, наименование оборудования

Е

См

Проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт.

Т п.з.

Т шт.

Л/М

Печатные платы блока питания и усилителя мощности АБ класса

Н/М

10102

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н расх

B01

030 03 020 МЕХАНИЧЕСКИЙ МОНТАЖ ЭРЭ НА ПЛАТУ

Г02

Инструкция № 30/25

Д03

Верстак 1-2-2 ОСТ4.ГО.660.006; Пинцет ПГТМ -120 ОСТ4, 060.013; Стойка 3;

О04

Вставить в плату блока питания диодный мост VDS совместив его выводы с соответствующими отверстиями

О05

печатной платы, перевернуть плату, откусить выступающие концы до 0.5 мм

O06

Вставить в плату блока питания конденсатор С1, совместив его выводы с соответствующими отвер-

О07

стиями печатной платы, перевернуть плату, откусить выступающие концы до 0.5 мм

О08

Вставить в плату резисторы R1,R2 совместив их выводы выводы с соответствующими отверстиями

О09

печатной платы, перевернуть плату, откусить выступающие концы до 0.5 мм

О10

Вставить в плату блока питания транзистор VT1, совместив его выводы с соответствующими отвер-

O11

стиями печатной платы, перевернуть плату, откусить выступающие концы до 0.5 мм

O12

Вставить в плату блока питания стабилитрон VD4, совместив его выводы с соответствующими отвер-

O13

стиями печатной платы, перевернуть плату, откусить выступающие концы до 0.5 мм

O14

Повторить переходы О08, О08 на плате усилителя мощности для резисторов R3-R4

O15

Повторить переходы О08, О08 на плате усилителя мощности для диодов VD1-VD2

O16

Повторить переходы О08, О08 на плате усилителя мощности для транзисторов VT2-VT3

O17

Повторить переходы О08, О08 на плате усилителя мощности для конденсаторов C1-C2

МК

ГОСТ 3.1118-82 Форма 36

---

В

Цех

Уч

РМ

Опер

Код, наименование операции

Г

Маршрутная карта

Д

Код, наименование оборудования

Е

См

Проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт.

Т п.з.

Т шт.

Л/М

Печатные платы блока питания и усилителя мощности АБ класса

Н/М

10102

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н расх

B01

032 03 010 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОНТАЖ ЭРЭ НА ПЛАТУ

Г02

Инструкция №30/030

Д03

Установка пайки волной припоя АП-10

Е04

2 мин

О05

Закрепить печатную плату в технологическое приспособление.

O06

Установить приспособление с ПП на транспортер над секущей флюсования. Провести

О07

флюсование.

О08

Проверить качество флюсования нагрев платы.

О09

Провести предварительный нагрев платы.

О10

Проверить степень подсушки флюса. Флюс должен быть подсушен до клейкообразного

О11

Состояния.

О12

Провести пробную пайку ПП.

О13

Проверить качество паянных соединений.

О14

Произвести пайку печатных плат.

О15

Извлечь плату из приспособления.

О16

Произвести отмывку платы от остатков флюса и масла.

О17

Проверить качество паяных соединений.

O18

Припаять к плате усилителя и к плате блока питания соединительный разъём в места показанные на схеме для дальнейшей их коммутации

МК

ГОСТ 3.1118-82 Форма 36

---

ПРИЛОЖЕНИЕ Б
Анализ разработки топологии рисунка печатной платы устройства средней сложности



Рисунок 1рисунок топологии печатной платы УНЧ АБ класса
Данный рисунок топологии печатной платы был разработан мною в программе Splan 7 .Разработка рисунка топологии печатной платы включает в себя следующие этапы

1. 
   Определение размеров самой печатной платы
   
2. 
   Расчёт геометрических параметров элементов РЭА находящихся на плате(диаметр,периметр,площадь и.т.п)
   
3. 
   Проверка того поместятся ли элементы РЭА на печатную плату нами определённого размера
   
4. 
   Создание платы определённого нами размера в программе Splan 7
   
5. 
   Выбор местоположения элементов РЭА и их выводов на плате .Основное требование – элементы РЭА не должны располагаться слишком близко особенно это касается элементов РЭА выделяющих большое количество теплоты во время работы и конденсаторов . Также на печатной плате если присутствуют транзисторы ,то должно быть место под радиаторы
   
6. 
   Разметка на созданной нами печатной плате в прграмме Splan 7 дорожёк соединяющих элементы РЭА. Основное требование – дорожки если это не предусмотрено в принципиальной схеме НЕ ДОЛЖНЫ пересекаться , в противном случае будет КЗ и выход из троя устройства чей рисунок топологии печатной платы проектируется
   
7. 
   Разметка отверстий под крепление печатной платы к корпусу устройства . Основное требование – элементы РЭА не должны находиться слишком близко к отверстиям крепления печатной платы к корпусу
   
8. 
   Обозначение в местах расположения на рисунке топологии печатной платы названия элементов ,что будут там находиться
   

ПРИЛОЖЕНИЕ В
Определение основных параметров устройств средней сложности

Расчет усилителя напряжения на биполярном транзисторе КТ315Б


Рисунок 9 – Схема усилителя

Исходные данные для расчета (выбираются из таблицы в приложении- вариант соответствует порядковому номеру фамилии студента в классном журнале):

Напряжение источника питания - Е_к, 10В

Амплитуда напряжения на нагрузке - U_н,0,4 В

Амплитуда тока в нагрузке- I_н,15мА

Диапазон частот f_н = 200Гц f_в = 5600 Гц = 5,6 кГц

Допустимые частотные искажения М_н, = 1,02

Сопротивление источника сигнала - R_с,

---

= 600Ом

Сопротивление нагрузки - R_н, = 50 Ом

Емкость нагрузки - С_н7пФ = 7· Ф

Порядок расчета

1. 
   Выбираем тип транзистора таким образом, чтобы допустимое напряжение между коллектором и эмиттером было больше напряжения источника питания:КТ315б
   

U_кэЕ_к;U_к0 (0,6…0,8) U_кэмакс.= 20 В E_к,= 10 В

U_k0= 0.4 В

По частотным свойствам транзистор выбирают из условия f_h21э >f_в

2. Следовательно, для использования в данной схеме можно выбрать маломощный высокочастотный транзистор широкого применения типа КТ315Б , с параметрами

h_21э=80, I_{к max}=100.мА; U_кэmax=20. В; U_кэнас=0.4В;U_бэнас=1.0.В, I_кнас=0,5 мА, С_кэ=7пФ; r_кэ=20 Ом; I_0к = 1 мкА; Р_max=150 мВт; Т_max =100^оС.

3. Определяем значение постоянной составляющей тока коллектора I_к0 . Минимальную величину тока коллектора I_{к мин} , А, выбираем из условия

I_{к мин} (5…10)I_кпасп

I_к0I_н + I_{к мин}

I_к0= 15 +0,01 мА =16 мА

Примем значение I_к0 = 16 мА

4. Выбираем минимальное значение напряжения u_кэмин,В, между коллектором и эмиттером . Так как выбран кремниевый транзистор, то

u_{кэ мин} = U_кэнас В u_{кэ мин} = 0,4 В

Uн=I_н ·R_н

Uн= 16 · 10^-3 · 50 = 0,8 В

5. 
   Напряжение между коллектором и эмиттером U_кэ0 , В, определяем из условия
   

U_кэ0 = u_кэмин + U_н

U_кэ0= 0,4+0,8 =1,2 В

5. 
   По выходной характеристике транзистора определим положение рабочей точки и соответственно значение тока
   

Рисунок 10 – Выходная характеристика транзистора

По характеристике определили, что I_б0 = 0,2 мА

5. 
   Мощность, Р_к, Ом, рассеиваемую на коллекторе транзистора определим по формуле
   

Р_к = U _к0 I_к0 ,

P_к = 1,2·16·10^-3= 0,0192 Вт

Следовательно, транзистор подобран в схему правильно, так как рассчитанное значение меньше предельно допустимой мощности рассеяния транзистора Р_max.Если условие не выполняется

---