ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.03.2024
Просмотров: 52
Скачиваний: 0
21
где K 4 0.03 0.1- коэффициент, задающий соотноше-
ние мощностей, выделяемых в эмиттерной и коллекторных цепях.
Эквивалентное сопротивление, характеризующее суммарную нагрузку для переменных составляющих токов в коллекторной и эмиттерной цепях
R |
|
2P |
|
. |
|
(I |
' |
)2 |
|||
|
|
|
km |
|
|
Сопротивление в коллекторной и эмиттерной цепях, соответствующие принятому значению коэффициенту K 4
Rк |
|
R |
|
, |
|
|
|
|
|
|
|
1 К |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
2К |
4 |
R |
|
||
Rэ R3 |
R4 |
|
|
|
|
|
, |
||||
1 |
К |
4 |
|||||||||
где - коэффициент передачи тока эмиттера для выбранного транзистора.
Активное сопротивление половины первичной обмотки выходного трансформатора
r1п 0.59(1 тр)Rк .
Для надежной работы транзистора необходимо соблюдать условие
Uoк 1.1(Uк' м I к' м rнас) 0.45Uк э доп .
При этом необходимо чтобы
Еп Uoк I oк ( Rэ r1п ) .
22
Если условие не выполняется, то необходимо уменьшить коэффициенты K1и K2 .
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора при
Uвх 0.64Uвх мак с, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
P |
|
|
|
0.32U |
|
|
|
( |
|
2 |
I |
' |
|
|
( 1)I |
|
) |
0.1U |
' |
I |
' |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
к мак с |
|
|
|
|
oк |
|
|
к м |
|
|
|
|
|
oк |
|
|
к м |
|
к м . |
|||||||||||
Через точки: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
А (I |
|
, E I |
|
|
( |
Rэ |
|
r |
)) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
0 |
|
oк |
|
п |
|
|
oк |
|
|
|
|
|
|
|
1п |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
А (I |
|
|
I ' |
|
, E |
|
I |
|
|
|
( |
Rэ |
r |
) U' |
|
) |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
1 |
oк |
|
к м |
п |
|
|
|
|
oк |
|
|
|
|
1п |
|
|
к м |
|
|
|
|
|
||||||||
проводим нагрузочную прямую по переменному току, а |
||||||||||||||||||||||||||||||
через точки |
А (I |
|
|
, E |
|
|
I |
|
|
( |
Rэ |
r |
|
)) и |
Б(0, E ) , прово- |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
0 |
oк |
|
п |
|
|
|
|
oк |
|
1п |
|
|
|
|
п |
|
|
|||||||||
дится нагрузочная характеристика по постоянному току. В результате параллельного смещения нагрузочной характеристики по переменному току вверх по нагрузочной характеристике для постоянного тока определяется значение приращение тока коллектора I к t , которое можно допустить при его нагреве (ри-
сунки 3.1, 3.2).
Путем переноса точек А0 и А1 с выходной характеристи-
ки на входную, определяются следующие параметры:
Uбм - амплитудное значение напряжения на базо-
эмиттерном переходе;
Uоб - напряжение покоя базы;
|
|
|
|
23 |
|
|
|
|
|
|
|
Iк |
А1Т |
Рк доп t tк мак с |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
А1 |
|
|
|
|
|
|
|
мах |
' к м |
I |
к t |
А0Т |
|
|
|
|
|
|
|
к I |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
I |
|
|
|
|
А0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iоб |
|
|
|
|
ок |
|
|
|
Б |
|
|
U |
кэ |
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
U' |
I |
|
( Rэ |
r |
) |
|
|
|
|
|
к м |
|
oк |
|
1п |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Рисунок 3.1 – Построение нагрузочной прямой транзисто- |
||||||||||
ра VT1 (VT2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
Uкэ 0 |
|
|
А |
|
|
|
|
1 |
|
макс |
бм |
|
|
|
I |
|
|
|
|
бм |
|
А0 |
|
|
I |
|
|
|
|
oб |
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
Uбэ |
|
0 |
Uоб |
Uбм |
|
|
Uбм макс |
|
Рисунок 3.2 – Определение параметров входного сигнала транзистора VT1 (VT2)
24
I бм - амплитудное значение тока на базо-эмиттерном пе-
реходе;
I об - ток покоя базы.
Допустимая нестабильность каскада, обусловленная изме-
нением I к оот температуры |
|
|
||||||||||
Sдоп |
I к t |
, |
|
|
|
|
|
|||||
I Т |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
где I Т I к оt I к о25 C - приращение обратного тока |
||||||||||||
коллектора: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
I |
к оt |
I |
к о25 C |
e 1 tп , |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
1 |
0.077 град 1 - температурный коэффициент обрат- |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ного коллекторного тока для германиевых транзисторов; |
||||||||||||
|
1 |
0.11град 1 - температурный коэффициент обратно- |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
го коллекторного тока для кремниевых транзисторов; |
||||||||||||
tп tк мак с 25 С - |
температура перегрева коллек- |
|||||||||||
торного перехода. |
|
|
|
|
|
|
||||||
Sвк |
|
|
|
h21э мин |
|
, |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
ф |
1 h21э мин |
Rэ |
|
||||||||
|
|
|
||||||||||
|
|
|
R |
R |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
э |
б |
|
|
где Rб |
|
R1R2 |
. |
|
|
|
|||||
|
R1 |
R2 |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Выходной каскад термоустойчив, если выполняется система неравенств
Sфвк Sдоп ,
Sфвк (5 15) .
