4 мкФ (максимальная емкость в данной |
разработке) будет равна |
40 мс. При отключении схемы в случае |
неисправности |
источника |
питания или по какой-либо другой причине данная АЗЯ |
позволяет |
сохранить длительное время запомненное напряжение. |
|
На рис. 173, е показана эквивалентная |
схема, которая |
получает |
ся при отключении питания. В этом случае оба конденсатора оказы-
Рис. 173. Иллюстрация режимов работы аналоговой запомина ющей ячейки
|
|
|
|
|
|
|
|
ваются шунтированными сопротивлениями утечки Ryi |
и ^ у 2 , |
а также |
некоторым сопротивлением R, величина которого зависит от харак |
тера неисправности схемы. В том случае, когда |
потенциал |
точки а |
относительно сетки |
Уі близок к |
нулю, |
основную |
утечку |
заряда |
с конденсатора С4 |
будет давать |
сопротивление |
R. Через некоторое |
время при длительном отключении питания с АЗЯ, |
независимо |
от |
величины сопротивления R, потенциал |
точки б |
станет равным |
по- |
тенциалу сетки У, а напряжение в точке а будет составлять поло вину запомненного напряжения. В данном случае оба конденсатора
Ci |
и С2 оказываются включенными |
параллельно, и |
поэтому на раз |
ряд конденсаторов будут в равной |
мере влиять |
сопротивления |
Ryi |
и R y 2 - Это обстоятельство и является определяющим при выборе |
элементов схемы АЗЯ, а также при построении ее конструкции. При некоторых неисправностях на выходе усилителя может быть нену левое напряжение. В соответствии с этим возможна дополнитель ная зарядка конденсаторов Су и С2 . Однако во всех случаях при пе
реводе этих конденсаторов в режим |
подзарядки (см. рис. 173,6) |
в схеме произойдет восстановление |
запомненного напряжения. |
Важно только предусмотреть, чтобы перевод схемы в режим ком пенсации сеточного тока происходил при нормальной работе уси лителя.
Функционирование АЗЯ в каждом из рассмотренных выше ре жимов осуществляется с помощью схемы управления.
§ 5 1 . ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Ключевые схемы. При реализации законов управления техноло гическими процессами в машиностроении зачастую возникает не обходимость решения уравнений, в которых одна из входных вели чин имеет только два состояния (принимает только два дискретных значения), а вторая может быть дискретной или непрерывной. В этом случае зависимость выходной величины у от двух входных величин Хі и Хг может быть выражена следующим образом:
|
хъ |
если |
х2 |
— 1 |
(501) |
|
У = О, |
если |
х2 |
= 0. |
|
|
Реализация функций данного типа осуществляется с помощью аналоговых ключевых схем, которые иногда называют также эле ментарными цифро-аналоговыми преобразователями [84].
Идеальный ключ в замкнутом состоянии должен иметь нулевое сопротивление, а в разомкнутом — бесконечно больше. Кроме того, запаздывание при переходе ключа из замкнутого состояния в ра зомкнутое должно быть равно нулю.
Простейшую схему ключа можно выполнить на электромагнит ном реле. Управляющее напряжение х2 подается на обмотку реле Р.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При хг = 0 контакт реле разомнут, |
напряжение на выходе у |
равно |
нулю. При Хг = |
1 реле срабатывает, |
его контакт замыкается |
и на |
пряжение Хі (коммутируемый сигнал) |
подается на выход у . |
|
Недостатком |
такого ключа является |
низкое |
быстродействие, а |
также большие |
(5—40 мА) токи в цепи |
управления. |
|
|
Эти недостатки отсутствуют в электронных |
ключах. Электрон |
ный |
ключ характеризуется: прямым |
сопротивлением |
(сопротивле |
нием |
замкнутого ключа), обратным |
|
сопротивлением |
(сопротивле |
нием |
разомкнутого ключа), остаточным напряжением и токами утеч- |
ки. Переключение таких ключей происходит за конечный промежу ток времени. Электронный ключ можно строить по последователь ной или параллельной схеме. При последовательной схеме ключ включен последовательно в цепь, по которой протекает ток сигнала,
при параллельной схеме ключ шунтирует ток сигнала |
на землю. |
Качество ключевой схемы возрастает при комбинации |
последова |
тельно и параллельно включенных ключей. |
|
В конкретных схемах в качестве ключей применяются |
диодные |
и транзисторные схемы. |
|
Наиболее часто в качестве диодных ключей применяются че- |
тырехдиодные мостовые схемы. На рис. 174 приведена |
последова |
тельно-параллельная схема диодного мостового ключа для комму тации положительных и отрицательных напряжений Х\. Управляю щее напряжение х2 принимает два значения + U и —U. При х\ > О
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 174. Схема диодного мостового |
ключа |
|
|
и хг = U диод Ді открыт, а Д2— закрыт. |
Напряжение |
на |
выходе |
усилителя |
£/вых = у |
пропорционально |
входному |
напряжению: |
у = |
Х і . |
Сопротивление диода в |
прямом направлении |
близко |
к нулю. Например, для кремниевых |
плоскостных диодов, |
которые |
обычно применяются |
в ключах, прямое сопротивление |
50—100 Ом, |
а токи утечки 0,05—0,1 мкА. При Хі > 0 и х2 |
= — U диод Д2 отпи |
рается, |
потенциал точки а становится почти |
равным |
—U, поэтому |
диод Д\ закрывается и напряжение Хі не проходит на выход схемы. Если Хі < 0, то работают диоды Д\ и Д'2. Время переключения ди одного ключа определяется паразитными емкостями схемы и диодов, временем восстановления диодов, а также сопротивлением коммутируемой цепи.
Учет емкостей диода является сложным, так как они оказыва ются существенно нелинейными. Величина емкости диода, к которо му приложено обратное напряжен?іе Е, увеличивается с ростом на пряжения Е; величина емкости диода в прямом направлении воз растает с ростом прямого тока [159]. В технических условиях пара-
метры диода задают для определенных режимов работы. Наиболее эффективными являются транзисторные ключи. В транзисторных ключах ток в цепи управления может быть значительно меньше то ка, отдаваемого в нагрузку. Кроме того, в них обеспечивается хоро шая электрическая развязка коммутируемых цепей от цепей управ ления. Наиболее распространенной является схема ключа с общим эмиттером (рис. 175). При рассмотрении режимов работы транзи стора более целесообразно, с точки зрения физических процессов
Рис. 175. Схема транзисторного клю ча с общим эмиттером
транзисторов, за независимые переменные принимать не напряже ния, а токи. Тогда управляющим сигналом является ток базы, а коммутируемым-—ток коллектора. В ключевом режиме транзистор находится в одном из двух устойчивых состояний. Ключ в области отсечки является разомкнутым, а в области насыщения — замкну тым. Если коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратком направлении, транзистор заперт (режим отсечки). Токи в запер том транзисторе равны [42, 141]:
|
|
/ |
« - |
- |
^ |
/ |
|
• |
|
|
|
|
|
'Э |
' |
0 |
|
1 |
КО> |
|
|
|
|
|
|
/ « |
- / ' Kко O |
/ |
I |
- |
^ |
V , |
|
|
(502) |
|
|
|
|
— |
|
^ко, |
|
|
|
|
|
где /э , / к , |
/б — соответственно |
токи эмиттера, коллектора |
и базы |
|
транзистора; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
р\,ѵ и |
ß/ — интегральные |
коэффициенты |
передачи |
базового |
|
тока соответственно при нормальном и инверсном |
|
включении |
транзистора; ßr <С ß^ (ßw = |
20—100); |
|
/ к о — тепловой ток транзистора. |
|
|
|
Соотношения (502) |
выполняются при условии: |
|
|
|
|
UR6 |
= 4о^б С |
|
Е6; |
|
|
|
|
|
VR« |
= / |
Л |
|
« |
ЕК. |
|
|
(503) |
Сопротивления Re и RK |
выбираются |
|
исходя из неравенств |
(503). |
Напряжение на выходе запертого транзистора |
равно |
|
|
|
U |
= |
Е — / |
|
|
R |
ш Е |
|
|
|
|
^ |
вых |
^ к |
' к о ' м ; |
' *-кш |
|
|
|
При £б < 0 оба перехода транзистора смещены в положительном направлении, транзистор открыт. Токи h и /к можно считать задан ными внешней схемой:
£ |
б - |
^ б э £f> . |
/г, |
« 6 |
(504) |
|
|
На границе насыщения при |
UK |
= 0 ток / к связан с током /б зави |
симостью [141] |
|
|
В режиме насыщения, как следует из характеристик транзистора при увеличении тока базы, ток коллектора остается неизменным, т. е. в режиме насыщения:
где /б. H — ток насыщения базы. |
базовым током h |
|
|
Относительное превышение |
значения |
/бн на |
зывают степенью насыщения |
[141]: |
|
|
|
|
|
N |
= |
Г б — hn |
|
|
|
(505) |
Межэлектродные напряжения при N ^ |
3 |
мало |
зависят |
от то |
ков и их изменений. |
|
|
|
|
|
|
|
Таким образом, транзисторный |
ключ |
в |
замкнутом состоянии |
можно считать «эквипотенциальной» |
точкой. |
|
|
|
h,
Iffl
Рис. 176. Временная диаграмма фор мирования фронта выходного тока транзисторного ключа
Процесс замыкания транзисторного ключа состоит из стадии формирования положительного фронта выходного тока и накопле ния избыточного заряда в базе, а процесс размыкания ключа — из стадии рассасывания неосновных носителей и формирования отри цательного фронта (рис. 176).