Файл: Регулирование качества продукции средствами активного контроля..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 172

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Если в момент времени t =

0 на

вход ключа подана ступенька

тек а

 

 

/ б

1 > Н

Г '

то коллекторный ток нарастает по экспоненте до значения / к п . Дли­ тельность положительного фронта ^+ф определяется из уравнения заряда базы [141]

 

 

 

t+ = x\n

 

^ і — ,

 

(506)

 

 

 

/

6

1 -

Р

 

 

где

т эффективное время жизни

 

носителей.

 

 

 

Выражение

(506)

показывает,

что

длительность

фронта умень­

шается в основном с ростом тока базы Ли.

 

 

 

Накопление концентрации неосновных носителей в базе продол­

жается после

окончания изменения

внешних токов

транзистора и

заканчивается

за время

 

 

 

 

 

 

 

 

*„ = ( 2 - З К ,

 

(507)

где

т н — постоянная времени накопления носителей.

 

 

 

Коэффициент в формуле (507) характеризует степень завершен­

ности экспоненциального процесса.

 

 

 

(

 

В момент скачкообразного изменения тока базы от значения /бі

до

отрицательного

значения / б 2 транзистор не может

мгновенно

выйти из состояния насыщения, так как заряд не может

измениться

скачком, а также не может мгновенно

измениться и распределение

заряда в базе. В течение времени рассасывания неосновных носите­

лей

ток

коллектора

остается

практически

равным

значению

тока

насыщения / к н .

Время

рассасывания

tv

можно

определить

из уравнения заряда базы

 

 

 

 

 

^

 

 

 

 

 

 

^p

=

, H l n 7

f ^ - .

 

 

 

(508)

 

 

 

 

 

 

 

'кн

,

 

 

 

 

Формула (508) справедлива,

если

длительность

отпирающего

сигнала значительно превышает величину т„.

 

 

 

 

Как видно

из выражения

(507), время

рассасывания

можно

уменьшить,

увеличив

запирающий сигнал / б г и уменьшив

степень

насыщения N0. После окончания стадии рассасывания

начинается

формирование

отрицательного

фронта. С точки

зрения изменения

заряда в базе

эта стадия

является

продолжением

предыдущей.

Транзистор в этой стадии работает в активном режиме, и ток кол­ лектора уменьшается пропорционально заряду от / к = / К н до / к = 0.

Время отрицательного фронта

/кн

.

t- = , \ n l

.

Ф

- / б .

388


Переходные процессы ключа в действительности развиваются сложнее, так как необходимо учитывать влияние коллекторной ем­

кости Ск , которая увеличивает время

формирования фронтов ^+ф

и ^~ф. Кроме того, распределение

неосновных

носителей

в

базе

является нелинейным, в результате

процесс рассасывания

затяги­

вается [141]. Однако для практических

расчетов

приведенные

фор­

мулы являются достаточно точными, тем более что при выборе зна­ чений т и т н могут быть допущены погрешности.

Схемы логических блоков. В аналоговых и цифровых вычисли­ тельных устройствах логические схемы служат для преобразования двоичных сигналов. В аналоговых устройствах двоичные сигналы

Рис. 177. Диодные схемы для выполнения логических операций «И» и «ИЛИ»

используются в качестве управляющих переменных. В цифровых устройствах все переменные представлены в двоичной системе счис­ ления.

Логические схемы обычно используются для выполнения опера­ ций «И», «ИЛИ», «НЕ». Сигнал на выходе схемы «И» появится, если на всех его входах присутствуют входные переменные. Сигнал на выходе схемы «ИЛИ» появится, если хотя бы на одном из его

входов присутствует

входной

сигнал.

Устройство

«НЕ»

выдает

выходной сигнал, когда на его входе сигнал отсутствует.

Логиче­

ские схемы можно построить на электромагнитных

реле, электрон­

ных лампах, полупроводниковых

диодах

и транзисторах, а также на

ферротранзисторных

ячейках. В

современных

устройствах

наибо­

лее

часто

применяются

полупроводниковые

логические

схемы

[84,

134, 159], так как

они

обладают достаточным

быстродействием

и надежностью в работе,

а также имеют

небольшие

габариты

и

потребляют

небольшую

мощность от

источников

питания.

На

рис. 177, а приведена диодная схіема, выполняющая операцию «И». Двоичные переменные 0 и 1 представлены соответственно уровнями

напряжения 0 и + ( 1 0 — 1 0 0 В ) .

Напряжение

Е в схеме

равно

единичному уровню сигнала. Сопротивление R

много больше

пря­

мого сопротивления диодов ДІ ДП

и определяется током нагрузки,

589


на

которую работает схема.

Если хотя

бы одно из напряжений

UBXi

равно нулю, то диод Di

проводит ток

и напряжение на выходе

схемы соответствует нулевому уровню. За счет нулевого сопротив­

ления диода на выходе схемы

появится

напряжение помехи

//

£ / ? 0 '

~

Е

R

 

 

Rm+R

 

 

R

где Roi — сопротивление диода ДІ В прямом направлении.

Если все n напряжений

на

входе равны

Е, то все диоды заперты

и напряжение на выходе соответствует единичному уровню. Однако

за счет обратных токов / 3 диодов напряжение на выходе

отличает­

ся от £ и равно

 

^ в ы х = E n/3R.

 

Соотношение полезного сигнала и помехи определяются

перепадом

напряжения на выходе схемы

 

AU = E—nI3R-^-.

(509)

Максимально допустимое число входов п можно определить из фор­ мулы (509)

Ё

Г]

Л ^

Roi

(510)

max

]_

Е

R

 

На рис. 177,6 приведена диодная схема, выполняющая опера­

цию «ИЛИ». При наличии положительного сигнала £ / В Х г

хотя бы на

одном из входов на выходе схемы появится

напряжение

с/В Ы х

в ы х

R +

Roi

 

 

При отсутствии сигналов на всех входах сигнал на выходе ра­ вен нулю.

Синхронизация работы импульсных схем обычно производится с помощью генератора тактовых импульсов. В этом случае необхо­ димо предусмотреть в логической схеме «И» еще один вход, на ко­ торый поступают тактовые импульсы, тогда выходные сигналы фор­ мируются в моменты времени, заданные передним и задним фрон­ тами тактовых импульсов. Длительность переходных процессов в логических схемах определяется теми же параметрами, что и в клю­ чевых схемах. Практически длительность тактовых импульсов долж­ на быть в 5—10 раз больше постоянной времени Г, определяющей скорость нарастания фронта импульса

Т = Сп — ,

R + Roi

где С п — паразитная емкость, определяемая параметрами нагрузки и монтажом.

На практике широко распространены транзисторные логические схемы. Они являются более экономичными по сравнению с диодны-

390


ми, так как не ослабляют входной сигнал. На рис. 178, а приведена схема операции «НЕ». Роль логического элемента «НЕ» выполняет транзисторный ключ. Если на входе такого элемента сигнал отсутст­ вует, то транзистор заперт и на его выходе напряжение соответству­ ет единичному уровню (отрицательный потенциал « — Е ) . Если на вход схемы подать отрицательный потенциал, то транзистор от-

 

 

3

 

 

кроется

и на выходе

напряжение

будет соответствовать

нулевому

уровню

(30—50 мВ).

 

 

 

Последовательное

соединение

транзисторов образует

логиче­

скую схему «И—НЕ»

(рис. 178,6). Сигнал на выходе схемы появит­

ся при отсутствии сигналов на всех ее входах. Если выход схемы по­ дать на элемент «НЕ», то общая схема будет выполнять опера­ цию «И».

Параллельное соединение транзисторов образует логическую схему «НЕ—ИЛИ» (рис. 178, б). Логическую схему «ИЛИ» можно получить, соединив выход данной схемы с элементом «НЕ».

При импульсном управлении транзисторными логическими схе­ мами переходные процессы рассчитываются так же, как в транзис­ торных ключах, которые уже рассматривались выше [141, 159].

391

Релаксационные схемы с двумя устойчивыми состояниями. При построении различных вычислительных устройств находят широкое применение релаксационные схемы с двумя устойчивыми состояния­ ми. К релаксационным схемам относятся триггерные схемы и схемы мультивибраторов.

Триггерные схемы используются как быстродействующие запо­ минающие элементы для хранения одной двоичной единицы, а так-

Рис. 179. Схемы симметричных транзисторных триггеров:

а — с разделенными входами; б — со счетным запуском

же для управления ключевыми и логическими схемами. На рис. 179, а приведена схема симметричного транзисторного триггера. На­ личие положительной обратной связи приводит к тому, что триггер всегда находится в одном из устойчивых состояний — когда один транзистор, например Ти полностью открыт, а второй, например 72 , полностью закрыт. Промежуточное состояние является неустойчи­ вым. Предположим, что имеет место состояние, при котором через оба транзистора протекают равные коллекторные токи / к і и /ь-г- При

392