Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 150

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Расчет генератора в критическом

Наимено вапие

Символическая запись или формула

Пара­

метры

транзи­

стора

Допустимый импульс тока коллектора

Безразмерная мощность

Напряжение источника питания

Амплитуда напряжения на коллекторе

Искомые

величины

«эбв

'кц

p £ = P l / S f t p E " Ш Ш

или У К = Я К ( — + — і /

— )

\ 2 2 К

а і ( Є ) /

Проверка

допустимости

 

 

 

напряжения

 

 

 

 

 

Сопротивление нагрузки

н

кр

к/ і

 

 

 

Первая гармоника

кол­

 

lm=2PlUb

 

лекторного

тока

 

 

 

 

Постоянная составляю­

'ко-=Ла/§і(0)

щая коллекторного

тока

 

 

 

€4

режиме (схема с ОБ)

Раз­ мер­ Примеры расчета

ность

В

30

10

90

65

40

В

1,5

3

4

4

2,5

А

0,25

0,12

10

1,5

0,4

 

2,23- Ю-8

6,94- Ю-3

7,72-10-;'

5,95 - Ю - 8

2.4.10-s

В

•20,35

6,36

36

34

28,6

В

19,65

5,68

 

30,8

27,4

В

 

 

34,3

 

 

В

4

12

70,3

64,8

56

Ом

387

319

29,4

95

250

мА

50,9

17,6

1168

324

110

мА

32,43

11,22

146

216

14

 

 

 

 

 

65



 

 

Расчет генератора

в критическом

Наименование

Символическая запись или

- форм улэ

 

 

Импульс

коллекторного

'к макс = /кі/°'і № ) < 'ид

тока

 

 

 

Мощность

источника

=

Ек/ш

питания

 

 

 

К п. д. коллекторной цепи

 

Амплитуда

входного

 

тока

 

Искомые

 

 

величи

Мощность

на гс,

ны

Мощность, затрачивае­ мая в источнике смешения Е

Мощность, передавае­ мая через

Р ч о ч е і

а е п и

/В х = / к і / « о / т ^ М

+ ^кі)

Р г б = / в х ' б ( 1 - 7 0 ї , к д + + m C K a a „ Y l K M / ? H ) / ?

^ о - 2 / м CuC.

PL6 = — / в х ( о / , б а 0 Х

режиме (схема с ОБ)

 

 

 

 

Раз­

 

 

Примеры расчета

 

 

мер­

 

 

 

 

ность

 

 

 

 

 

мА

101,8

35,2

2335

648

220

Вт

0,66

0,0714

26,85

7,35

2,12

 

6,758

0,702

0,743

0,68

0.71

в о з б у ж д е н и я

 

 

 

 

мА

121

45

2960

815

212

Вт

0,42

0,087

6,14

2,18

0,17

Вт

0,0048

0,0076

1,05

1,019

0,08

Вт

-0,081

—0,045

- 4,7 2

- 1,3 8

- 0,093

Коэффициент усиления

к

Р і + Р ^

0,51

6,2

4,35

5,5

 

1,24

по мощности

 

 

 

 

 

 

 


Графики

функции

YIKA(®1

Ю Т ) ; Y I K M ( ® .

 

приведены

на

рис. 1.19,

г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

рассматриваемой схемы

равно

 

 

 

 

 

ї м 1 = 0 В Х І / і Ґ .

 

 

 

(1.66)

Мощность возбудителя определяется

как

 

 

 

 

 

Р в х

=

П Re [Z B X I

|/2 = Pr,

+ Рп + Р о с

б ).+ Р о с

к а )

+

 

 

 

 

 

+ P 0 C ( L u ) f P 0 C ( C K . L 6 ) ,

 

 

(1.67)

где

Р п , = / р / - у / 2 —мощность

в

сопротивлении

тела

эмит­

тера;

РЕ =

/гУп<м(0; <отт)/2<оСл — мощность, затрачи­

ваемая

в

источнике

смещения;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рос

(го) = /? 'о [1 Уїкд + YIKM © С „ А

Рчк р ]/2

 

 

мощность, потребляемая

от

источника

возбуждения

за

счет обратной связи через лб ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р 0 0

(L6 ) =

/? coL6 ( у 1 к М

+ Уїкд юСк

Я к р ) / 2

 

 

— мощность, потребляемая от источника

возбуждения

за

счет обратной связи через LQ.

 

 

 

 

 

 

 

Выражение для

коэффициента усиления

по мощности

с

учетом составляющих, создающих прямое прохождение мощ­

ности

на

выход, имеет вид

 

 

 

 

 

К Р

О Ъ = И * ж =

P l

* Р ° с

( / б )

, (1.68)

 

 

 

Р в х

Ргэ+Р(Е)

+

Р00

Ы^Рос

О б )

где p i

=

\

/ к , Р н =

^ / 2 г [ ( У г к м ) 2

+

( ^ к д ) 2

1 Р н .

В табл. 1.3 приведены расчетные формулы и примеры расчета генераторов по схеме с общей базой для тех же слу­ чаев, которые представлены в табл. 1.2.

Коллекторная цепь схемы с ОБ рассчитывается по тем же формулам, при той же крутизне линии критического режима, что и схема с ОЭ, поскольку для высокочастотных транзисторов этот параметр в основном определяется со­ противлением коллектора, и положение линии критического режима практически не зависит от схемы включения тран­ зистора. Расчет цепи возбуждения существенно отличается от расчета для схемы с ОЭ и проводится по формулам (1.67), (1.68).

Сравнение табл. 1.2, 1.3 показывает, что

при работе

на частотах, близких к предельным, схема с ОБ

имеет боль­

ший КР, чем схема с ОЭ.

 


1.2.4. Влияние нелинейности емкости коллекторного перехода на энергетические характеристики коллекторной цепи

Нелинейность коллекторной емкости транзистора может существенно сказаться на работе генератора, если внеш­ нюю емкость контура, шунтирующую выход транзистора,

сделать малой

или равной

нулю. Такой случай

характерен

для

работы

в метровых и дециметровых

диапазонах. Здесь

уменьшение

 

емкости

 

 

 

 

 

 

 

контура

необходимо для

 

 

 

 

 

 

 

повышения

к. п. д. кон­

 

 

 

 

 

 

 

тура ги получения до­

 

 

 

 

 

 

 

статочно

больших

ин-

 

 

 

 

 

 

 

дуктивностей,

конструк­

 

 

 

 

 

 

 

тивное выполнение кото­

 

 

 

 

 

 

 

рых

не

вызывает

труд­

 

 

 

 

 

 

 

ностей.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выходная

емкость

 

 

 

 

 

 

 

транзистора

в

схеме с

 

 

 

 

 

 

 

ОЭ

при ефо/о)/

>

3 и в

 

 

 

 

 

 

Ult

схеме с ОБ, как следует

 

 

 

 

 

 

из эквивалентных

схем

Рис. 1.22. Форма

гока

и

напряже­

на рис. 1.15

и

1.20, оп­

ния

коллектора

в

генераторе с не­

ределяется

 

емкостью

линейной

емкостью

контура.

коллекторного

перехода

 

 

 

 

 

 

 

Ск .

Рассмотрим форму напряжения

на коллекторном пе­

реходе в

этих

схемах (см. рис. 1.14). Будем считать, что

внешняя

емкость

С — 0 и емкость коллекторного

конту-

ра: определяется емкостью Са.

Как известно

I1J,

 

 

 

 

 

 

 

CK

=

Au7v-

 

 

 

 

 

Для современных высокочастотных кремниевых генернторных транзисторов характерна степень нелинейности v = = VJ5].

Известно, что колебания в таком контуре имеют негар­ монический характер: уплощена нижняя полуволна напря­ жения, при которой происходит увеличение емкости (рис. 1.22). Это уменьшает рассеиваемую на коллекторе мощность, но увеличивает пик-фактор формы коллектор­ ного напряжения П = ик а&кск. Расчеты показывают [17], что npH.SK p -+ оо и при достаточно высокой добротности контура форма напряжения определяется 1-й и 2-й гармо-