Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 158

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Подставляя

значение

производной

diJd^T

в

(1.73)

по­

лучаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р

_

 

/

шСО

\ 2

/ к

м.ікс

; і ц м а к с

І

і

 

у j

 

 

 

 

 

 

1

' «

 

 

 

 

 

р : '

48л

V wT

J

 

coC

\

/,

j

МП2

6

1

*

;

При расчетах удобно ввести относительную мощность

потерь, поэтому (1.74) целесообразно преобразовать

к виду

 

 

 

* V

 

 

1

 

^кмакс

со

К ( 6 )

 

 

 

(1.75)

 

 

 

Ро

 

 

12

 

 

 

(07

sin в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ГДЄ

Р 0 =

£ „

/ к 0 =

 

/ к

М а к с 0 ) і / 4 Я ,

 

/С(0)

=

0)п

=

— і

=

 

 

і ^ ( в )

(см.

рис. 1.25, д),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ к 0

= £к

92/соЬт.

 

 

 

(1.76)

При оценке Pv,JPo по (1.75) необходимо учитывать, что практически ток возбуждения / г следует выбирать с опре­ деленным запасом, чтобы обеспечить надежное насыщение транзистора. Можно считать, что этот запас будет доста­ точным, если ток /, обеспечит в недонапряженном режиме импульс тока / к ' м а к с . который превысит в два раза импульс

/ к м а к с (Рис

1.26, а):

 

 

 

 

 

 

 

/ к макс >

2 / к

м а к с .

 

В соответствии

с (1.52)

при со60/о)У

= r o t g > 3 и / у = Ур

имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

К м а К С _

а , ( в ) " Г

со

а , ( в )

 

При этом

согласно

(1.67)

 

 

 

 

 

 

 

 

К

(Є)

У і

(&)

2

 

 

 

 

 

Рп "~ 48

sin в

а !

(в)

 

Подставляя значения функций

/((0),

у, (в), 04 (в), sin9

при реальных углах отсечки 9 = 50ч-100°, нетрудно убе­ диться, что PpJP0 < 0,02, т. е. ухудшение общего к. п. д. коллекторной цепи за счет активного этапа незначительно. Это позволяет в дальнейшем не проводить расчета потерь на активном этапе и при расчетах к. п. д. пренебречь ими.

Тогда в соответствии с (1.72) зависимость r\a(pH)

имеет

линейный характер:

 

Ла = 1 - Л » mJPo = 1 - 1 , 2 прЕ{в,

(1.77)

4 Зан 10&6

81


что отражено на графике рис. 1.13, а (кривая 2) для случая

Є= 90° и рь < 0,06.

1.3.4.Коэффициент усиления по мощности, влияние обратной связи

Коэффициент усиления по мощности определяется от­ ношением полезной мощности в нагрузке Р В Ь 1 Х к мощности Р в х , поданной для возбуждения транзистора:

^вх Рбн ~¥ 2 Р о с

где 2 Р— мощность, передаваемая через емкости пере­ ходов А индуктивности выводов; Р б н — мощность на входе нейтрализованного транзистора.

Если на этапе насыщения пренебречь шунтирующим действием пассивной части коллектора, то при нейтрали­ зации внешних цепей связи

Л,ж = Л5„ = ' ? г в / 2 .

(1-79)

Коэффициент усиления по мощности нейтрализованного

транзистора в ключевом

режиме

КрИКя меньше, чем в кри­

тическом Кі>„кр, так как,

чтобы

обеспечить в транзисторе

режим насыщения, требуется большее возбуждающее напря­

жение или ток.

Грубо оценить отношение

KpmJKl„Kp

при неизменном

напряжении питания Ек можно при сопо­

ставлении

площадей фигур, лежащих под кривыми iH'(t) =

= q6(t)/xT

и iK(t)

(см. рис. 1.26, а) при одинаковом

режиме

в базовой

цепи, т. е. при равной мощности на входе:

 

Р— Р

* вх кл

'

вх кр1

Мощность, подведенная

к

коллекторной цепи, Р0

— Ік0Ек в ключевом режиме будет определяться площадью фигуры і к (0, а в недонапряженном (критическом) режиме — площадью i'K{t) — qb{t)l%T:

к

 

^Окл= £ц 'ко кл= ^ J

d<»t,

lb

т

Л)кр — Вк1 кОкр2я J ' к d®t,


Если принять, что к. п. д. коллекторной цепи ге.н^ря тора близок к единице, т. е.

то отношение площадей равно отношению колебательных мощностей и отношению коэффициентов усиления по мощ­ ности в этих двух режимах:

 

 

 

к

 

 

 

КРкл

^Чкл/^вх КЛ

—1р

 

 

 

 

 

\

dm

 

 

 

 

J

Т7

 

 

 

 

 

— t(I

1

 

 

Из этого выражения

и рис. 1.26, а следует, что соотношение

площадей и, следовательно,

ухудшение

усиления

по мощ­

ности в ключевом режиме приблизительно равно двум.

При полном использовании

транзистора по

напря­

жению, т. е. при ик

м а с =

«кд,

в ключевом режиме вслед­

ствие увеличения пик-фактора формы коллекторного на­ пряжения приходится снижать напряжение коллекторного

питания

Ек. При заданной мощности Ру

на выходе снижение

Ек потребует

увеличения

тока

коллектора путем

увеличе­

ния возбуждающего

тока

/ г и приведет

к дополнительному

уменьшению

коэффициента

усиления

по мощности

Кр.

Если считать, что ток коллектора / к 0

с учетом (1.77) пропор­

ционален

/ г ,

 

а мощность

на

входе

пропорциональна

Рт

(1.79), то отношение

Кр11Ш/Kpm<v

 

будет обратно пропорцио­

нально отношению

квадратов

пик-факторов

напряжения

в этих двух

режимах;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КР»

КЛІК in Кр =

1 ( р к л ) 2 .

 

 

 

Так, например, согласно рис. 1.25,

ж при в

== 90° имеем

KPHKJKPBKP

 

=

(2/3,7)2 =0,3,

т. е.

при

полном

использо­

вании по напряжению проигрыш в усилении по мощности нейтрализованного транзистора в ключевом режиме зна­ чителен.

Полученные соотношения между коэффициентами уси­ ления по мощности для критического и ключевого режимов должны быть скорректированы с учетом связи через внеш­ ние емкости и индуктивности выводов.

В отличие от недонапряженного режима в ключевом режиме связь между выходной цепью и цепью возбуждения

изменяется в зависимости от состояния транзистора:

в со-

4*

83


стоянии насыщения выключается обратная связь через ем­ кость коллекторного перехода (так как напряжение на кол­

лекторе близко

к нулю), в состоянии отсечки емкость Сн

включается между этими двумя цепями.

 

 

 

Другое отличие состоит в комплексном характере коллек­

торной нагрузки

(ф, =

35°),

что изменяет величину связи

через С к

в

cos

фі

== 0,8

раз.

 

 

 

 

Таким

 

образом, можно записать

 

 

 

 

 

 

P o c K J , ( Q = 0 , 8 P o l ; ( C K ) Y l ( e ) ,

 

 

 

 

 

^ос кл к> L B )

= 0,8РО С (CK i L 3 ),

 

где Рос к )

и Я о с

(С,„ La )

определяются так же, как в (1.62).

Итак:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ос кл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к) =

0,4соСкп гб UKl

(/,. +

соСк а

UKl) Y 1

(в),]

 

Рос кл (С„, L a ) = 0,4соо)г L 3

Ск / г

(7К 1Y l

(в),

(1 -80)

^ к і = " к м а к с а і ( я —в)-

 

 

 

 

 

Кроме того, расстройка коллекторного контура (фх =

35°)

при со(30/&>7- >

3 приводит к положительной

обратной

свя­

зи через

емкость

эмиттерного перехода. Эта

емкость,

как

следует из рис. 1.15, а и из (1.59), является элементом свя­ зи между цепями возбуждения и нагрузки. Произведение

первой гармоники напряжения на этой емкости U31

на ток

/ г имеет

действительную

составляющую, определяющую

активную мощность, передаваемую по этому

каналу

связи.

Поэтому,

используя

(1.59),

получаем

 

 

 

Р 0 С ( С К ,

Св) / г

«Уэ1

І- / г £ / к 1 ^ ^ ^

sin ф

1 .

(1.81)

Заметим,

что при расчетах

по (1.81) РоСк,

Сэ) в

низкоча­

стотной части рассматриваемого диапазона частот со60/сйт- >

>

3 может оказаться соизмеримой с другими положитель­

ными членами, определяющими

входную мощность. В клю­

чевом

режиме

(при

индуктивной расстройке

фх = 35°)

Ро С (С„,

Сэ ) <С 0», что

говорит

о положительной

обратной

связи через эти

емкости, т. е. о

возможной неустойчивости

в

работе генератора.

 

 

 

 

Влияние индуктивности эмиттерного вывода

(в схеме

с ОЭ) в ключевом режиме остается приблизительно таким

же, как

в недонапряженном режиме. Действительно, на

высоких

частотах формы, фазы и величины

коллекторного

и базового токов и, следовательно, тока через

индуктивность

L9эмиттерного вывода втом и другом режимах приблизи-


тельно одинаковы. Это значит, что будет одинаковым и влияние падения напряжения на индуктивном сопротивле­ нии L/Lgj на входную мощность. Таким образом, влияние индуктивности-эмиттерного вывода может быть приближен­

но учтено с помощью той же формулы (1.62),

что

и

для

недонапряженного

режима.

 

 

 

 

 

 

 

Итак, при расчетах Кр по (1.78) будем использовать сле­

дующую формулу:

 

 

 

 

 

 

 

 

Рвых

^1 "f Ррс «л (£к)

Рос нл (£ц La) -fr

^

 

 

Рвх

Рбн + Рос-кл (Ск )

Р , с K J 1 к , La)

 

 

 

 

^

*Ь Рос (^н) Ф Рус нл к,

Сэ)

 

 

 

 

 

 

+

Рос (^-в) +

Рос кл (Си,

С а)

 

 

 

 

1.3.5. Форма

напряжения

на

коллекторе

 

 

Очевидный недостаток формы коллекторного напряже­

ния в ключевом режиме по сравнению с

гармонической фор­

мой

напряжения

состоит в

большом

пик-факторе

П

=

=

ик м а к с / £ к -

Большая величина

пик-фактора

при

полном

использовании

транзистора

по

напряжению

к

м а к 0

=

=и к д ) требует снижения напряжения коллекторного пи­

тания

Ек, что, в свою очередь, ухудшает

электронный

к. п. д.

коллекторной цепи цэ и коэффициент

усиления по

мощности Кр. Уменьшение угла отсечки в , хотя и приводит к уменьшению пик-фактора (см. график П0 (в)на рис. 1.25,ж), требует увеличенных импульсов тока, при которых сни­ жается' Кр и цэ. При конечном значении г п а 0 пик-фактор П несколько уменьшается по сравнению с П~0, определенным

при г н а с

=

0. Это объясняется

изменением

напряжения

питания коллектора на величину 1к0гаас

(см. рис. 1.26).

Отсюда

при

г н а о

Ф 0,

т. е. при

рЕ = / V a a o

/ £ K 2 Ф 0, по­

лучаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

маки/По (©) = Ек

/ к 0

г н а с

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П (9)

=

м а к с = П0

(9) (1 -

рЕ).

(1.83)

При полном использовании транзистора по напряжению заданной является обобщенная мощность, определяемая выражением (1.35). Тогда для определения П(0) удобно использовать другое выражение:

П ( Є ) = П 0 ( в ) [ 1 - 2 П 2 0 ( 9 ) / 7 Ц ] .

(1.84)