Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 185

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

6.АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ

6.1. ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время амплитудная модуляция (AM) как вид управления колебаниями высокой частоты распростра­ нена довольно широко. Транзисторные передатчики с AM используются как в диапазонах гектометровых и декаметровых волн (например, для связи на море, / = 1,5-^-25 МГц [1]), так и в диапазоне метровых волн (самолетные тран­

зисторные передатчики, например,

работают на частотах

/ = 118-ГІ36 МГц [1, 2J). Особенно

широко

транзисторные

передатчики с AM применяются для целей

диспетчерской

связи и городского вещания (/ = 27

МГц [1,3]), для обеспе­

чения связи в походных условиях (/ = 50 МГц [3,4]) и в по­ движных радиостанциях самого различного назначения у = 804-106 МГц [5]).

Транзисторные передатчики с AM, как правило, исполь­ зуются в тех системах связи, где главными являются тре­ бования простоты и надежности конструкции и не столь важным оказывается высокое качество передачи. При AM более простыми, чем при частотной модуляции (ЧМ), полу­ чаются приемные устройства. При наличии многих абонен­ тов приема это кроме увеличения надежности работы ведет также к существенному выигрышу в стоимости всей систе­ мы [6].

Из всех способов осуществления амплитудной модуляции [7] в транзисторных передатчиках применяется в основном модуляция на коллектор и усиление модулированных ко­ лебаний. Положительным качеством первого способа являет­ ся высокий коэффициент полезного действия (к. п. д.) высо­ кочастотных каскадов. К достоинству второго способа от­ носится его универсальность по отношению к усилению как AM колебаний, так и колебаний ЧМ и однополосного сиг­ нала, что позволяет один и тот же передатчик использовать при различных режимах работы.


Наряду с указанными способами осуществления AM перспективен сравнительно новый способ модуляции изме­ нением связи выходного каскада с антенной с помощью не­ линейных реактивных элементов [8—10]. Реактивным моду­ лятором может служить как нелинейная емкость сегнето­ електрика (вариконд) или р-п перехода (варикап), так и не­ линейная индуктивность, выполненная из высокодобротного ферромагнитного материала. Предпочтительным оказывает­ ся реактивный модулятор на варикапе, так как варикапы обладают большей добротностью, чем сегнетоэлектрики или ферромагнетики, и могут рассеивать большие мощно­ сти [11]. Кроме того, благодаря особенностям вольткулоновой характеристики, варикапы позволяют получить высокую линейность модуляционной характеристики при глубине модуляции вплоть до 100% [9].

6.2.СХЕМЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ АМПЛИТУДНОЙ

МОДУЛЯЦИИ

Рассмотрим теперь основные схемы амплитудной моду­ ляции. К простейшим видам AM относится модуляция на коллектор и модуляция на базу.

При коллекторной модуляции (рис. 6.1) модулирующее напряжение подается в коллекторную цепь высокочастот­ ного каскада с помощью трансформатора, который, с одной стороны, развязывает цепи питания модулятора и генера­ тора, а с другой согласовывает выход модулятора с нагруз­ кой, которую представляет для модулятора высокочастот­ ный генератор. В процессе модуляции оконечный высоко­ частотный каскад работает в критическом и перенапряжен­ ном режимах.

Базовая модуляция осуществляется изменением напря­ жения смещения или амплитуды возбуждения на базе гене­ раторного транзистора. При этом оконечный высокочастот­ ный каскад работает в критическом и недонапряженном ре­ жимах. Схемы базовой модуляции можно найти в [13, 14]. Как правило, в транзисторных передатчиках не находит

применения

модуляция

одного типа

и используется ком­

бинированная модуляция. Например, коллекторная AM

с дополнительной модуляцией

на

один или два

пред-

оконечных

каскада. Это

связано

с особенностями

работы

транзистора

[12]. Дополнительная

модуляция (подмодуля-

ция) уменьшает напряженность режима оконечного каскада

326


и тем самым линеаризует модуляционную характеристику и облегчает тепловой режим предоконечного каскада [12]. Это особенно важно при работе на высоких частотах, когда коэффициент усиления по мощности (Кр) выходного каскада невелик.

Надо отметить, что на высоких частотах, как правило, не только оконечный, но и предоконечный каскад работает в режиме максимального значения Кр. В этом случае его

ПреВоконечньнІ Оконечный

I . J

Модулятор

Рис. 6.1. Схема выходных каскадов передатчика при коллекторной

модуляции.

выходная мощность слабо зависит от сопротивления на­ грузки, и поэтому мощность, поступающую в оконечный каскад, можно считать примерно постоянной. Кроме того, при сильной связи предоконечного каскада с оконечным промежуточный контур должен иметь высокий к. п. д., чтобы Кр оставался максимальным.

Предположим теперь, что модулирующее напряжение подается на базу оконечного каскада. В процессе модуля­ ции изменяется его входное сопротивление, что свидетель­ ствует (при постоянстве входной мощности) об изменении амплитуды напряжения или тока входного сигнала. Это снижает эффективность базовой модуляции на высоких ча­ стотах. К тому же, существование у ВЧ транзисторов ве­ личины допустимого пробивного напряжения по эмиттер-

ному переходу накладывает дополнительные ограничения на применение базовой модуляции.

По названным причинам базовую модуляцию можно рекомендовать лишь для низкочастотных транзисторных передатчиков (/ < 10 МГц), у которых коэффициент уси­ ления по мощности Кг велик и промежуточные контуры могут работать с низким к. п. д.

При дальнейшем изложении материала будем рассмат­ ривать только коллекторную модуляцию и модуляцию из­ менением связи.

6.3.РЕЖИМ ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА ПЕРЕДАТЧИКА

6.3.1. Коллекторная модуляция

Режим высокочастотного генератора при амплитудной модуляции рассчитывается в основном так же, как и при отсутствии модуляции, и при расчете можно пользоваться материалами гл. 1. Здесь же остановимся только на неко­ торых особенностях расчета.

При модуляции важным показателем качества передачи является линейность модуляционной характеристики. Под

модуляционной

характеристикой понимается

зависимость

амплитуды первой

гармоники

коллекторного

напряжения

UKL

от постоянной

слагающей

коллекторного

напряжения

UK0.

Зависимость

(7К 1 ((7К 0 ) будет близка

к линейной, если

коэффициент формы (по напряжению) gu

= UKJ/UK0

г про­

цессе модуляции меняется мало.

 

 

 

 

Коэффициент формы коллекторного напряжения, как

следует из гл.

1, легко стабилизируется

в случае

исполь­

зования ключевого или близкого к нему режима [15J. Имен­ но этот режим будем считать целесообразным для обеспе­ чения возможно большей линейности модуляционной харак­ теристики. Емкость коллекторного контура в этом случае определяется из соотношения (1.85). Если режим не клю­ чевой, линейность модуляционной характеристики обеспе­ чивается при минимальной емкости С к (см. рис. 6.1). При отсутствии дополнительной емкости, включенной парал­ лельно выходу транзистора, во временной зависимости кол­ лекторного напряжения в области малых напряжений наблюдается некоторое уплощение [16, 17], что благо­ приятствует эффекту линеаризации модуляционных ха­ рактеристик.



Как уже упоминалось, при коллекторной AM целесооб­ разно применять подмодуляцию. Относительная глубина подмодуляции предоконечного каскада /И п р е д //И с точки зрения линейности модуляционной характеристики не долж­ на быть ни слишком малой (в этом случае наблюдается вы­ пуклость модуляционной характеристики), ни слишком большой (в этом случае модуляционная характеристика имеет вогнутость). На практике хорошие результаты полу­

чаются при значениях' Мцрвя

= 0,5—0,7.

Заметим, что при применении однотипных транзисторов в оконечном и предоконечном каскадах и при питании этих каскадов от одного источника выбор сравнительно малой относительной глубины подмодуляции /Идред/М = 0,5 приводит к заметному недоиспользованию транзистора по

напряжению в предоконечном

каскаде, и, таким образом,

в предоконечном каскаде не

реализуются максимальные

значения КР И к. п. д. Поэтому в тех случаях, когда к линей­ ности модуляционной характеристики жестких требований

не предъявляется

или когда в качестве максимальной за­

дается глубина

модуляции / И м а к о = 80-^85%,

относи­

тельную глубину

подмодуляции следует выбирать

равной

Мцред/М = 1 [1]. Последнее позволяет реализовать наивы­ годнейшие режимы в двух последних каскадах при питании их от одного источника и устраняет необходимость делать отвод от вторичной обмотки модуляционного трансфор­ матора.

Следует отметить, что коллекторную модуляцию весьма удобно применять в маломощных приемопередатчиках (при мощности в антенне Ра до 100—200 мВт), когда в ка­

честве модулятора может быть использован

усилитель низ­

кой частоты приемника. При мощности Р„ >

100^-200 мВт

для передатчика требуется отдельный модулятор, что свя­ зано с определенными неудобствами. Кроме того, при боль­ ших мощностях встает вопрос о к. п. д. модулятора и о его влиянии на общий к. п. д. передатчика. Для повышения к. п. д. модулятора необходимо увеличивать к. п. д. модуля­ ционного трансформатора г|т по сравнению с т ] т « 0,7 при малых мощностях 118], что приводит к нежелательному уве­ личению габаритов трансформатора*'. Устранить эти ус­ ложнения можно при использовании реактивного модуля­ тора на варикапе.

*> Методика

расчета .габаритов трансформатора приведен?

в приложении 6.

1,