|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
транзисторов мало (обычно сотни или |
тысячи |
ом |
и лишь |
для схем с общим коллектором — десятки |
килоом). |
ламп, |
Этим транзисторы отличаются от электронных |
входное сопротивлениемегаом). |
которых |
при |
отсутствии |
сеточных |
токов и вне |
диапазона |
с. в. ч. чрезвычайно велико (единицы |
и десятки |
|
|
на |
транзисторах |
(в |
отличие от |
Возбуждение усилителей |
усилителей |
на электронных |
лампах) |
можно |
осуществить |
только от источника достаточно |
большой |
мощности, |
способ |
ного развивать во входном сопротивлении транзистора сле дующего каскада ток требуемой силы. Поэтому каскады предварительного усиления должны усиливать сигнал не только по напряжению, но и по мощности.
При построении многокаскадных схем предусматривают меры, способствующие выделению наибольшей мощности во входной цепи следующего каскада. Такой мерой является согласование входного сопротивления каждого каскада с выходным сопротивлением предшествующего. Для этой це ли применяют междукаскадные трансформаторы.
На рис. 5.88а представлена одна из возможных схем двух
каскадного транзисторного У П Ч . |
Здесь согласование ме |
жду каскадами осуществляется |
посредством трансформато |
ра Трь трансформатор Тр2 служит для согласования нагруз ки с выходным сопротивлением второго каскада. Сопротив ления Rei и RÖ2 определяют положение рабочей точки тран зисторов. Конденсатор служит для замыкания переменной составляющей базового тока транзистора Т2 на корпус.
Условия, близкие к согласованию, удается получить ком бинированием различных схем усилительных каскадов. Од на из таких схем приведена на рис. 5.886. Здесь первый и третий каскады выполнены по схеме с общим эмиттером, а второй — по схеме эмиттерного повторителя.
Поскольку входное сопротивление каскада эмиттерного повторителя велико, этот каскад можно непосредственно (через разделительный конденсатор Сб2) подключить к вы ходу первого каскада. Выходное сопротивление каскада эмиттерного повторителя весьма мало (десятки о.и), поэтому к его выходу можно непосредственно (через разделительный конденсатор Сбг) подключить вход следующего каскада с об щим эмиттером, имеющим сопротивление в несколько сотен
ом.
Рис. 5. 88. Междукаскадное согласование в усилителях: а — посредством трансформатора; б — с помощью эмиттерного пов торителя.
Д . Резонансные усилители на транзисторах
Резонансные транзисторные усилители применяются для усиления модулированных или немодулированных колеба ний высокой частоты.
Такие усилители отличаются от апериодических высокой избирательностью, что обеспечивается сравнительно узкой полосой пропускания.
В радиоприемных устройствах применяют схемы резонан сных усилителей как с одиночным контуром в коллекторной цепи, так и со связанными контурами (рис. 5.89).
Принцип работы транзисторных резонансных усилителей почти не отличается от принципа работы ламповых резонанс ных усилителей.
Главная особенность заключается в трудностях, связан ных с получением высокой избирательности и высокого коэф фициента усиления. Трудности обусловлены: падением ко эффициента усиления а (а также ß) транзистора с ростом частоты усиливаемого сигнала, малой величиной входного сопротивления усилительных каскадов с общим эмиттером и общей базой и сравнительно малой величиной выходного
сопротивления каскада с общим коллектором.
Из-за малой величины входного сопротивления следую щего каскада и выходного сопротивления данного каскада колебательный контур, служащий коллекторной нагрузкой,
оказывается сильно шунтированным. Вследствие этого его
добротность значительно снижается, а полоса пропускания расширяется, что приводит к ухудшению избирательности усилителя.
Для уменьшения шунтирования колебательного контура (с целью повышения избирательности и коэффициента уси ления) применяют согласование контура как с выходным со противлением транзистора данного каскада, так и с вход ным сопротивлением транзистора следующего каскада. Это достигается неполным включением контура со стороны вхо да и выхода.
Рис. 5. 89. Резонансные усилители на |
транзисторах: а — с |
одиночным; б — полосовым |
фильтрами. |
В схеме рис. 5.89а согласование контура с выходным со противлением транзистора осуществляется с помощью авто трансформаторного включения. Изменением положения точ ки подключения коллектора к катушке индуктивности мо жно добиться согласования контура с источником, то есть с транзистором. Согласование контура с входным сопротивле нием следующего каскада производится с помощью емко стного делителя напряжения. Аналогичные способы согласо вания применяются и в усилителях со связанными контура ми (рис. 5.896).
В резонансных усилителях высокой частоты используют высокочастотные триоды типа П401, П402, П403, П410 и дру гие.
Е. Частотные свойства усилителей
Частотные свойства усилителей на транзисторах опреде ляются частотной зависимостью коэффициентов усиления а и ß, наличием зарядных емкостей п— р-переходов транзи стора и комплексным характером нагрузки.
Зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общей базой а от частоты входного сигнала имеет вид:
|
а == |
1 + |
ш |
(5-56) |
где со — частота входного |
|
0)„ |
|
сигнала; |
|
соа — предельная частота. |
|
|
Модуль коэффициента |
|
|
|
I <* |
модуль |
а = 0 ,7 а о, то |
есть предельной |
На частоте со =•<»<, |
частотой транзистора |
со а |
называется такая |
частота входно |
го сигнала, на которой коэффициент усиления по току в схе ме с общей базой уменьшается до 0,7ао.
Предельная частота зависит от коэффициента диффузии Dp и ширины базы W, то есть
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмитте ром равен:
|
|
Р = ------- 2— |
, |
|
(5-57) |
|
|
1 + |
j ----- |
|
|
|
где сор— предельная частота |
Ü)ß |
|
|
сигнала, |
— частота входного |
|
|
на которой коэффициент усиления по току в схе |
|
|
ме с общим эмиттером уменьшения до 0,7 ß0. |
« |
Частотная зависимость коэффициента усиления |
по току |
подобна частотной зависимости |
коэффициента |
передачи |
цепи R C с емкостным выходом. Отличие лишь в том, что фа |
зовый |
сдвиг в цепи RC не превышает 90°, |
а в транзисторе |
сдвиг фаз между точками эмиттера |
и коллектора возрастает |
с |
увеличением частоты неограниченно. |
частоты умень |
|
Коэффициент усиления ß с увеличением |
шается |
более резко, чем а: |
|
|
|
|
Рис. 5. 90. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
Если, например, а = 0 ,9 9 |
, то ß = 99. Если |
а уменьшится на |
1% и станет равным 0,98, |
то ß уменьшится |
на 55% и будет |
равно 49.
Графическая зависимость а и ß от частоты усиливаемых колебаний изображена на рис. 5.90. Из рисунка видно, что граничная частота усиления по току транзистора с общим эмиттером сир значительно ниже, чем частота «><* , получае мая в том же транзисторе при включении его по схеме с об щей базой.
Ж . Температурная стабилизация исходного режима транзистора
При изменении температуры транзистора изменяются его проводимости, высота потенциальных барьеров, токи и все параметры. Ток Іко (неуправляемый обратный ток коллек
торного перехода) германиевого |
транзистора |
удваивается |
при повышении температуры на |
каждые 10° С , |
в кремние |
вых транзисторах этот ток удваивается при повышении тем пературы на каждые 14° С.
Ток Іко создает на сопротивлении базы прямое смещение для эмиттерного перехода, которое вызывает уменьшение со противления RBX и коэффициента Кь
В усилителе с изменением температуры появляются зна чительные нелинейные искажения. Уменьшают их темпера турной стабилизацией исходного режима.
Сущность стабилизации состоит в поддержании неизмен ной суммы Іб+Іко (суммарный ток, протекающий по цепи базы и определяющий параметры усилительного каскада на транзисторе), то есть при увеличении температуры и тока Іко необходимо уменьшать ток Іб и наоборот. Это происхо
дит |
автоматически, |
если |
ввести отрицательную обратную |
связь |
по постоянному току. |
температурной |
стабилизации |
В |
простейшей |
схеме |
(рис. 5.91а) с повышением температуры увеличивается ток коллектора и, следовательно, ток эмиттера. Ток базы
Е — R •I
Іб = — -—5—3—— уменьшается, чем и достигается стабили -
к б
зация. Коэффициент нестабильности схемы велик.
Рис. |
5. 91. Температурная стабилизация исходного режима: |
а — схема с отрицательной обратной связью по току; б — схе |
ма с |
отрицательной обратной связью по току и напряжению. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Хорошую стабильность режима можно получить в ком |
бинированной схеме (рис. |
5.916), где |
применяется отрица |
тельная обратная связь |
и |
по |
току, и |
по напряжению |
(че |
рез |
R6). |
кроме |
отрицательной |
обратной |
свя |
зи |
В схемах (рис. 5.91), |
по постоянному току, есть отрицательная |
обратная |
связь |
по сигналу. В случае необходимости последнюю устраняют.
Для этого параллельноб) |
сопротивлению R3 включают конден |
сатор значительной емкости, а среднюю точку сопротивления- |
Rs (рис. 5. 91 |
через |
конденсатор соединяют с корпусом. |
Г л а в а |
V I |
основы импульсной техники |
И м п у л ь с н о й т е х н и к е |
посвящен специальный раз |
дел радиотехники, включающий вопросы формирования им пульсных сигналов и их прохождение через электрические цепи и устройства.
Импульсная техника появилась в начале 30-х годов в связи с развитием телевидения. С конца 30-х годов происхо дит бурное внедрение импульсной техники в радиолокацию, радиосвязь, радионавигацию, радиотелеметрию, радиоизме рения и др. Большой вклад в развитие импульсной техники внесен советскими учеными.
В настоящее время импульсная техника непрерывно со вершенствуется. Использование полупроводниковых прибо ров и микромодулей способствует уменьшению габаритов, повышению экономичности и надежности импульсных ус тройств.
§ 6. 1. Прохождение импульсов через линейные цепи
А. Параметры импульсов
Под импульсом следует понимать кратковременное от клонение напряжения или тока от некоторого постоянного уровня (в общем случае не равного нулю).
Основные параметры импульсного колебания:
—форма импульсов (прямоугольные, трапецеидальные, треугольные, экспоненциальные и др.);
—полярность импульсов (положительные и отрицатель
ные) ;
— период повторения импульсов (Т);
— амплитуда импульсов ( U MaKc, Ім а к с);
—длительность импульса (ти);
—скважность импульсов (Q) и коэффициент заполнения
(К),
— среднее |
значение импульса |
(Іср.; Р Ср.): |
Iср — |
~ |
оJ |
P ( t ) d t , Рср =' |
—длительность переднего фронта (тфі);
—длительность заднего фронта (тфг). Подробнее см. в главе 1.
Б. Понятие о переходных процессах
При изучении электрических цепей обычно рассматрива ют установившиеся (стационарные) значения токов и на пряжений. Однако стационарные значения токов и напряже ний на выходе электрической цепи устанавливаются не мгно венно с подключением к цепи внешнего источника (входного).
Если в электрической цепи имеются реактивные элемен ты (L, С ), то после подключения источника в электрическом поле конденсатора и в магнитном поле катушки начинает
накапливаться энергия. |
Пока эта энергия не достигнет ста |
ционарного значения, в |
цепи |
будут иметь место п е р е х о д |
н ые п р о ц е с с ы (рис. 6. |
1). |
Переходные процессы возникают в любой цепи при вклю чении или выключении источника энергии. Они обусловлены в общем случае изменением запаса энергии в цепи.
Время, после которого можно считать переходные про цессы закончившимися, зависит от параметров цепи L, С, R и от требований к точности рассмотрения процессов. В элек трических цепях длительность переходных процессов состав ляет малые доли секунды, поэтому ими в большинстве слу чаев можно пренебречь.
В радиолокации импульсы напряжения (тока) имеют длительность от нескольких сотен до сотых долей микросе кунды, поэтому длительность переходных процессов может стать соизмеримой с длительностью самих импульсов. Следо-