Файл: Основы радиотехники и радиолокации учеб. пособие.pdf

Д в о й н ы е д и о д н ы е о г р а н и ч и т е л и

Для получения двустороннего ограничения используют двойные диодные ограничители (рис. 6.25е, 6.27е). В качест­ ве примера рассмотрим работу схемы, изображенной на рис. 6.26е.

Данная схема представляет сочетание двух параллель­ ных диодных ограничителей, имеющих общее ограничитель­ ное сопротивление (Rorp) и общее сопротивление нагрузки ( R H ) . Она часто применяется для формирования напряжения прямоугольной формы из синусоидального напряжения.

Как видно из графиков, в пределах ЕіЧ -Е2 и ВЫх. соответ­ ствует по форме U BX, так как оба диода заперты. Если же U BX. превышает уровень Е 2, открывается Д 2 и происходит ограничение сверху. При уменьшении входного напряжения до уровня Еі открывается диод Д ь вызывая ограничение вы­ ходного напряжения снизу.

ния на Rorp; в) необходимость источника смещения Е с малым внутренним сопротивлением.

Вы в о д ы

1.На выходе последовательного диодного ограничителя

воспроизводится та часть входного напряжения, при кото­ рой диод проводит ток.

2. На выходе параллельного диодного ограничителя вос­ производится та часть входного напряжения, при которой ди­ од не проводит ток.

3. Преимущества всех схем диодных ограничителей — простота, экономичность, стабильность уровня ограничения. Недостаток — отсутствие усиления входных сигналов.

Ограничение совместно с усилением можно получить при использовании многоэлектродных ламп или транзисторов.

В. Ограничители-усилители

Применяя многоэлектродные лампы или транзисторы, мо­ жно получить три вида ограничения:

— сеточное (за счет сеточных токов);

—анодное ограничение снизу (за счет отсечки анодного

тока);

—анодное ограничение сверху (за счет динамического насыщения лампы).

положительном напряжении на сетке. Последнее обстоятель­

Возникает сеточный ток (путь тока: 4-uBX, R orp, сеткакатод,— U BX). Пренебрегая падением напряжения на внут­ реннем сопротивлении источника входного напряжения (RjBX), можно считать, что напряжение на сетке

Следовательно, в промежутке времени ti-yt2 анодный ток лампы почти не изменится, то есть и выходное напряжение

туда которых меньше напряжения запирания лампы, сеточ­

388

б —

вре-

В рассматриваемой схеме происходит ограничение поло­ жительных полупериодов U Bx (ограничение сверху на н у л е ­ в о м у р о в н е ) .

Уровень ограничения определяется выбором рабочей точ­ ки на анодно-сеточной характеристике лампы, то есть вели­

зы напряжения на 180°, как в обычном реостатном усилителе.

А н о д н ы й о г р а н и ч и т е л ь с н и з у

Данный вид ограничения получается в усилителе за счет отсечки анодного тока. Схема ограничителя аналогична схе­ ме реостатного усилителя, собранного на лампе типа пентод (триод, тетрод, рис. 6.29а, б). Для выбора рабочей точки на

ветствии с изменением напряжения на управляющей сетке. При U BX<Ego(t4, ts, t6) лампа запирается, анодный ток пре­ кращается, часть отрицательного полупериода U BX ограничи­ вается, происходит ограничение снизу.

Для изменения уровня ограничения необходимо изменять величину напряжения смещения E g. При E g= E g0 ограниче­ ние наблюдается на нулевом уровне. Для четкого ограниче­ ния лампа должна иметь анодно-сеточную характеристику с резкой отсечкой анодного тока (6Ж1П, 6Ж З и др.).

А н о д н ы й о г р а н и ч и т е л ь с в е р х у

Анодное ограничение сверху достигается за счет динами­ ческого насыщения лампы. Схему ограничения, как прави­ ло, собирают на пентоде с большим сопротивлением в цепи анода (рис. 6.29а, в).

390

'Ro

Рис 6 29. Анодное ограничение: а — схема; б — анодное огра­ ничение снизу; в — анодное ограничение сверху

і

Пентоды применяются потому, что в них наиболее четко выражено явление динамического насыщения, связанного с

управляющей сетке. Это объясняется тем, что при увеличе­ нии Ug уменьшается U a, то есть и электрическое поле между анодом и катодом лампы. При этом электроны, вылетевшие

кращается и наступает динамическое насыщение лампы, ко­

Ограничение входных сигналов в схеме происходит тогда, когда часть U BX оказывается в области верхнего криволиней­ ного участка динамической характеристики лампы, где ко­ эффициент усиления схемы очень мал. В этом случае схема будет ограничивать U„x сверху (рис. 6.296). Уровень огра­ ничения зависит от величины напряжения источника пита­ ния Еа и сопротивления нагрузки Ra.

обеспечивают ограничение и усиление входных сигналов, что важно для получения большей крутизны фронтов импульсов.

б) схемы значительно сложнее схем диодных ограничи­ телей.

392