Файл: Попов В.С. Электрические измерения (с лабораторными работами) учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 207

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

индуктивность катушки электромагнита и ее полное сопро­ тивление, т. е.

* = f(P).

В дифференциальном преобразователе (рис. 13-10, б) перемещение якоря вызывает увеличение индуктивности

одной катушки

и уменьшение индуктивности

другой, что

 

 

 

 

повышает

чувствитель-

 

 

\

jp и

ность

преооразователя.

 

 

Включение

двух

кату­

 

Т D

л

шек

в смежные

плечи

 

измерительного

моста

 

дает

температурную

 

 

 

 

компенсацию.

 

 

а)

 

 

б)

В

индуктивном пре­

Р п с . 13-10. Схемы

индуктивного

образователе

трансфор­

маторного

типа

(рис.

преобразователя

(а) и

индуктивного

дифференциального

преобразовате­

13-11) первичная обмот­

ля

(б).

 

 

ка 1

питается

перемен­

 

 

 

 

ным

током

с

постоян­

ным действующим значением. Под действием

измеряемой

механической величины Р изменяется воздушный зазор б,

м а г н и т н о е с о п р о т и в л е н и е ц е п и ,

а следовательно,

и маг-

н н т н ы й п о т о к , п р о н и з ы в а ю щ и й

 

 

в т о р и ч н у ю о б м о т к у 2, к з а ж и ­

 

 

м а м к о т о р о й п р и с о е д и н е н в о л ь т -

 

т

Рис . 13 - 11 . Схема индуктивного пре­

0-

образователя

трансформаторного

0

 

 

тина.

 

метр. Таким

образом, вторичная

индуктированная

э. д. с.

и показания вольтметра зависят от измеряемой вели­ чины, т. е.

Ef**Ui

=

f(P).

ж) Емкостные

преобразователи

Емкостный преобразователь представляет собой кон­ денсатор, емкость которого изменяется под действием измеряемой неэлектрической величины.

Так как емкость конденсатора зависит от площади электродов, их формы, расстояния между ними, а также от размеров диэлектрика и его диэлектрической пропи-

330


цаемости, то эти преобразователи можно применять для измерения тех неэлектрических величин, значения которых влияют на один из пере­ численных выше параметров емкостного преобразователя.

4

-0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Лек/

 

 

 

диэлектрика

Ри с. 13-12. Принцип работы

Р и с . . 13-13.

Схема

устройства

емкостного динамометра п ма-

емкостного

преобразователя

нометра.

 

для измерения

толщины.

В емкостпых манометрах и динамометрах изменяется воздушный зазор б (рис. 13-12) между двумя пластинами конденсатора под действием измеряемого давления Р или силы F.

Работа емкостного преобразователя для измерения толщины резиновой ленты 1, которая протягивается между двумя неподвижными электродами 2 (рис. 13-13), основана на влиянии толщины ленты на изменение воздушного зазора и емкость преобразователя.

Емкостный преобразователь для измерения влажности зерна, порошка, волокна, пряжи представляет собой цилиндрический конденсатор (рис. 13-14). Внутренний электрод имеет форму цилиндрического стержня, наруж­ ный электрод — форму стакана, внутреннее пространство до определенного уровня заполняется испытуемым мате­

риалом. Содержание влаги в испытуе­

 

мом материале резко увеличивает ем­

-0

кость

вследствие большой

диэлектри­

•0

ческой

проницаемости воды

(е = 80).

Рпс . 13-14. Принцип устройства емкостного преобразоиателя влагометра.

Qzzzzzzzzzzi

Емкостные преобразователи имеют малую емкость, поэтому измерение их емкости производят при повышенной или высокой частоте, применяя при этом электронные усилители.

331


з) Фотоэлектрические преобразователи

Чувствительным элементом фотоэлектрических преоб­ разователей служат фотоэлементы с внешним и внутренним фотоэффектом. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом в свою очередь делятся на фотоэлементы вентильные (с запирающим слоем) и фоторезисторы (фотосопротивления).

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом бывают вакуум­ ными и газонаполненными. Наложенный на внутреннюю поверхность стеклянной колбы слой серебра, покрытый слоем щелочного металла, служит катодом. Анод выполнен

ввиде металлического кольца или диска, расположенного

вцентре колбы на рис. 13-15). Если между анодом и катодом создать электрическое поле (рис. 13-15), а на фото­

Рис. 13-15. Схема включения фотоэлемента с внешним фото­ эффектом.

элемент направить

световой

поток

так,

чтобы

он

падал

на

катод, то часть

электро­

нов

катода,

получив

доба­

вочную

энергию

от светово­

го

потока,

будет

покидать

катод,

двигаясь

к

аноду, и

в цепи установится

электри­

ческий ток — фототок. Фототок прекратится, если пре­ кратить освещение фотоэле­ мента.

При постоянном напряжении между анодом и катодом

фототок пропорционален

световому потоку.

Отношение фототока,

выраженного в м и к р о а м п е р а х ,

к световому потоку от стандартного источника света (лампа накаливания 100 Вт с вольфрамовой нитью и цве­ товой температурой 2850 К), выраженному в люменах (лм), называется интегральной чувствительностью фотоэле­ мента. Для вакуумных фотоэлементов она доходит до

100мкА/лм.

Вгазонаполненных фотоэлементах колба заполняется обычно аргоном, что значительно повышает чувствитель­ ность фотоэлемента. Наиболее распространенные фотоэле­ менты: тип СЦВ — сурьмяно-цезиевый — вакуумный и тип ЦГ — кислородно-цезиевый — газонаполненный.

Фототок, полученный от вакуумных фотоэлементов, мал, и его приходится усиливать.

Вместо фотоэлементов можно применять фотоэлектрон­ ные умножители, в которых усиление фототока происходит

332


ПолупроВодмик
Рис. 13-16. Схема вклточепия фотоэлемента с запирающим слоем.

посредством вторичной эмиссии электронов эмиттерами, находящимися в самом умножителе. В результате вторич­ ной эмиссии фототок увеличивается в сотни раз. Так напри­ мер, в однокаскадном умножителе типа ФЭУ-1 интеграль­ ная чувствительность доходит до 800 мкА/лм.

Фотоэлементы с запирающим слоем по своему устрой­ ству сходны с полупроводниковыми выпрямителями, у ко­

торых

между

двумя

слоями полу­

 

 

 

проводника

есть

запирающий

 

Запирающий

 

слон.

Попадая

па

эти

фотоэле­

>5[

с л ° и

Полупрозрач-

менты,

световой

поток

способст­

*

V}$B/

иый слой

вует перераспределению

электро­

 

 

 

нов и дырок, что вызывает разность потенциалов на р-п-ие- реходе.

Вентильный фотоэлемент (рис. 13-1G) состоит из металлического диска, на который наложен слой полупроводника (селен, таллий, германий, кремний), а на послед­ ний наложен полупрозрачный металлический слой. При освещенпн в цепи возникает фототок.

Интегральная чувствительность фотоэлементов с запи­ рающим слоем значительно выше, чем фотоэлементов с внешни фотоэффектом, что в ряде случаев дает возмож­ ность обойтись без применения усилителей.

Р п с . 13-17. Схема работы

Рпс . 13-18. Схема работы

фотоэлектрического пи-

фотоэлектрических к о л о -

рометра.

риметров.

Фоторезисторы представляют собой полупроводнико­ вые кристаллические или пленочные сопротивления, удельная проводимость которых резко возрастает с увели­ чением падающего на них светового потока.

Фотоэлектрические преобразователи применяются для измерения ряда неэлектрических величин.

Принцип работы фотоэлектрического пирометра — прибора для измерения температур, основанного на при­ менении фотоэлемента, показан на рис. 13-17.

333