Файл: Минин Б.А. СВЧ и безопасность человека.pdf

7.2.1. Дифракционные экраны. При разработке ди­ фракционных экранов приходится учитывать по крайней мере три фактора: уровень дифракционного затухания (через верхнюю кромку), сквозное затухание, обуслов­ ленное -проникновением энергии сквозь материал экрана, и наличие 'боковых дифракционных связей (при ограни­ ченной длине экрана), рассчитываемых по обычным формулам дифракции. Кроме того, необходим учет влия­ ния отдельно расположенных больших радиоотражаю-

Рис. 7.2.1. Защита объекта экраном на местности (вид сверху, общий случай).

щих поверхностей и одиночных излучателей, в некоторых случаях увеличивающих уровень поля в глубокой тени

(рис. 7.2.1).

Сквозное затухание материала может быть определе­ но несколькими путями. При использовании металличе­ ской сетки очень удобно применять номограмму, приве­ денную в работе Мамфорда [84]. Затухания (в децибе­ лах) для некоторых стандартных типов сеток, рассчитан­ ные по этой номограмме, будут приведены в табл. 7.3.1. В табл. 7.2.1 приведены данные затухания некоторых строительных материалов. При расчете затухания оплош­ ных металлических листов (применяемых, правда, очень редко) приходится учитывать не затухание чистого ли­ ста (оно всегда оказывается очень большим), а затуха­ ние листа в конструкции, т. е. с учетом элементов креп­ ления, неплотностей в стыках и т. п. Затухание таких экранов лучше всего определять экспериментально. Как правило, оно оказывается не меньше затухания сетчатых

экранов.

Расчет дифракционного затухания был приведен вы­ ше, в п. 5.2.3, где даны графики для определения поля дифракции на полубесконечном клине с ровной гладкой

2 7 9

Т а б л и ц а 7 . 2 . 1

кромкой. Обычные экранные конструкции не являются полубесконечными, но если учесть, что размеры экрана значительно 'больше длины волны, толщина кромки зна­ чительно меньше длины волны, нижний край экрана углублен в землю на расстояние, обеспечивающее доста­ точно высокое затухание «через землю», длина экрана

2 8 0

хания В для нескольких значений KR.

На практике наиболее трудным для учета оказывает­ ся влияние побочных переизлучений, возникающих из-за отражений от находящихся на относительно небольших расстояниях гладких радиоотражающих поверхностей (например, стен крупных строений), больших массивов леса и даже отдельных металлических элементов (дета­

лей сооружений и т. п.), резонирующих на рабочей дли­ не волны.

Если имеется более или менее выраженная отражаю­ щая поверхность, расчет затухания может быть проведен обычными методами, учитывающими коэффициент отра­ жения и диаграмму направленности отражающей по­ верхности. При попадании расчетной точки точно в отра­ женный луч интенсивность поля оказывается зависимой только от расстояния и потерь при отражении, учитывае­ мых коэффициентом отражения FB. В этом случае общее затухание при отражении

где Rnp — прямое расстояние источник — точка наблюде­ ния, Rотр— расстояние источник — отражающая плос­ кость — точка наблюдения.

Формула (7.2.1) показывает, что при попадании за­ щищенного экраном объекта в отраженный от больших поверхностей луч снижение интенсивности поля по срав­ нению с уровнем-поля без экрана незначительно превы­

шает Дэкр.

Методы учета влияния одиночных переизлучателей,

приемлемые для практического использования, в настоя­ щее время не найдены. Интенсивность отраженного луча таких излучателей зависит от очень многих причин и прежде всего от отношения длины переизлучателя к дли-

281

не падающей волны, от угла ее падения, материала пе-

реизлучателя и т. п.

Вообще говоря, на практике расчет В0тр (тем более от одиночных переизлучателей) неизбежно связан с использованием ряда допущений и носит чисто качест­ венный характер, поэтому для получения достоверных данных он может быть рекомендован как предваритель­ ный этап перед инструментальной проверкой. Конструк­ тивно дифракционные экраны представляют собой ме-

2 8 2

и

283